Entwicklung und Charakterisierung von lateralen Bipolartransistoren auf SOI:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1995
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INHALTSVERZEICHNIS
.
SEITE
ZUSAMMENFASSUNG
.
3
1
DIE
ENTWICKLUNG
DER
MODERNEN
MIKROELEKTRONIK
.
5
2
EIGENSCHAFTEN
VON
BIPOLARTRANSISTOREN
_
7
2.1.1
PRINZIPIELLE
FUNKTIONSWEISE
.
7
2.1.2
DURCHBRUCHSSPANNUNGEN
.
16
2.1.3
DYNAMISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
18
2.1.4
KAPAZITAETEN
UND
SENENWIDERSTAENDE
.
21
3
BIPOLARTECHNOLOGIE
.
24
3.1.1
VERTIKALE
BIPOLARTRANSISTOREN
.
24
3.1.2
BICMOS-TECHNOLOGIE
MIT
VERTIKALEN
BIPOLARTRANSISTOREN
.
26
4
LATERALE
BIPOLARTRANSISTOREN:
EIN
INNOVATIVER
ANSATZ
FUERBICMOS
.
28
4.1
S
TAND
DER
T
ECHNIK
BEI
DER
M
IKROLITHOGRAPHIE
.
31
4.2
G
ESAMIPROZEBKONZEPT
.
32
4.2.1
OPTIONEN
FUER
EINE
SKALIERUNG
DER
LITHOGRAPHIE
.
32
4.2.2
GEMEINSAME
PROZESSE
.
34
4.2.3
PROZESSFTIHRUNG
BEI
VERWENDUNG
DER
ELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE
.
34
4.2.4
PROZESSFTIHRUNG
BEI
VERWENDUNG
DER
OPTISCHEN
LITHOGRAPHIE
.
35
4.3
L
AYOUT
DER
LATERALEN
B
IPOLARTRANSISTOREN
.
38
5
ENTWICKLUNG
UND
OPTIMIERUNG
DER
EINZELPROZESSE
_
41
5.1.1
OPTISCHE
LITHOGRAPHIE
.
41
5.1.2
ELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE
.
43
5.1.3
HOCHTEMPERATURBESTAENDIGE
WOLFRAM-METALLISIERUNG
.
47
6
VORHALTE
DER
LITHOGRAPHIE
.
52
6.1.1
DIE
STREUUNG
DER
IMPLANTIERTEN
DOTIERSTOFFATOME
IM
SUBSTRAT.
.
52
6.1.2
AUSLEGUNG
DER
EMITTER/KOLLEKTOR-IMPLANTATIONEN
.
56
6.1.3
SCHLUSSFOLGERUNGEN
FUER
DEN
VORHALT
DER
EMITTER/KOLLEKTOR-IMPLANTATION
.
58
6.1.4
TRANSPORT
DER
LADUNGSTRAEGER
IN
DER
BASIS
.
63
6.1.5
FOLGERUNGEN
JUR
DIE
AUSLEGUNG
DES
GESAMTPROZESSES
.
64
7
ANALYTISCHE
UNTERSUCHUNGEN
DER
HERGESTELLTEN
TRANSISTOREN
.
66
7.
1.1
RASTERELEKTRONENMIKROSKOPIE
.
66
7.1.2
TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE
(TEM)
.
67
7.1.3
SIMS-MESSUNGEN
.
69
8
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
BAUELEMENTE
_
73
8.1
M
IT
OPTISCHER
L
ITHOGRAPHIE
HERGESTELLTE
T
RANSISTOREN
.
73
8.1.1
EINGANGSKENNLINIEN
.
73
8.1.2
AUSGANGSKENNHNIEN
.
76
8.1.3
SKALIERUNGSEFFEKTE
.
77
8.1.4
GEOMETNEEFFEKTE
.
81
8.1.5
KAPAZITAETEN
UND
SERIENWIDERSTAENDE
.
82
8.1.6
DYNAMISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
85
8.2
M
IT
E
LEKTRONENSTRAHLLITHOGRAPHIE
HERGESTELLTE
T
RANSISTOREN
.
87
8.2.1
EINGANGSKENNLINIEN
.
87
8.2.2
PUNCH-THROUGH-KENNLINIEN
.
89
8.2.3
HOCHFREQUENZEIGENSCHAFTEN
DER
TRANSISTOREN
.
91
9
SIMULATION
DER
BAUELEMENTE
.
92
9.1
SOI
ALS
S
UBSTRATMATERIAL
FUER
LATERALE
B
IPOLARTRANSISTOREN
.
93
9.1.1
KRISTALLDEFEKTE
IN
DER
SILIZIUMSCHICHT
.
94
9.1.2
GRENZFLAECHENDEFEKTE
.
96
9.1.2.1
REKOMBMATIONSZENTREN
.
97
9.1.2.2
DIE
ISOLATIONSMDUZIERTE
BASISWEITENMODULATION
.
97
9.1.2.3
OXIDLADUNGEN
.
100
9.1.2.4
DIE
BESTIMMUNG
DER
GRENZFLAECHENLADUNGSDICHTE
.
103
9.2
N
ACHWEIS
DER
S
KALIERUNG
.
106
9.2.1
EINGANGSKENNLINIEN
.
106
9.2.2
PUNCH-THROUGH-CHARAKTERISTIK.
.
110
9.2.3
GEOMETNEFFEKTE
.112
9.2.4
HF-SIMULATION
.
112
9.3
S
IMULATION
DER
L
AYOUTSTRUKTUR
.
116
9.3
1
DC-SIMULATION
.
117
9.3.2
HF-SIMULATION
DES
LAYOUTS
.
120
9.3.3
OPTIMIERUNGSMOEGLICHKEITEN
.
126
10
ABSCHLIESSENDE
ZUSAMMENFASSUNG
UND
VERGLEICH
MIT
VERTIKALEN
BIPOLARTRANSISTOREN
.
130
LITERATURVERZEICHNIS
DANKSAGUNG |
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