Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1995
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 251 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV010748918 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 19961009 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 960430s1995 gw ad|| m||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 947015418 |2 DE-101 | |
| 035 | |a (OCoLC)51676043 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV010748918 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-91 |a DE-12 |a DE-355 |a DE-83 |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 084 | |a ELT 240d |2 stub | ||
| 084 | |a ELT 358d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Thewes, Roland |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger |c von Roland Thewes |
| 264 | 1 | |c 1995 | |
| 300 | |a 251 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Dortmund, Univ., Diss., 1995 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Degradation |g Technik |0 (DE-588)4206992-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a CMOS-Schaltung |0 (DE-588)4148111-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a CMOS-Schaltung |0 (DE-588)4148111-2 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Degradation |g Technik |0 (DE-588)4206992-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007177893&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007177893 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1807682177750532096 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
-
-
.
.
1
2.
DER
MOS-TRANSISTOR
-
_
_
.
_
3
2.1
EINFUEHRUNG
.
3
2.2
AUFBAU
DES
MOS-TRANSISTORS
.
4
2.3
LDD-STRUKTUR
.
5
2.4
EIN
EINFACHES
DRAINSTROMMODELL
.
6
2.4.1
HERLEITUNG
DER
DRAINSTROMCHARAKTERISTIK.
.
6
2.4.2
TRANSISTOR-KLEINSIGNALPARAMETER
.
10
2.5
PSEUDO
2D-MODELL
.
11
2.5.1
VERRINGERUNG
DER
BEWEGLICHKEIT
BEI
MODERNEN
TRANSISTOREN
.
12
2.5.2
SAETTIGUNG
DER
LADUNGSTRAEGERGESCHWINDIGKEIT
.
13
2.5.3
DRAINSTROMMODELLIERUNG
IM
LINEAREN
BEREICH
.
13
2.5.4
DRAINSTROMMODELLIERUNG
IM
SAETTIGUNGSBEREICH.
.
14
2.5.5
ZUSAMMENFASSUNG
UND
ANWENDUNG
DES
MODELLS
AUF
TRANSISTOREN
IN
ANALOGEN
.
17
CMOS-SCHALTUNGEN
3.
EINFUEHRUNG
IN
DIE
DEGRADATION
VON
P-MOS-TRANSISTOREN.
_
_
_
21
3.1
DEGRADATIONSMECHANISMUS
.
21
3.2
LOGARITHMISCHE
ZEITABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
.
23
3.3
ANWENDUNG
DES
DEGRADAUONSMODELLS
AUF
DEN
DRAINSTROM
IM
LINEAREN
BEREICH
.
26
3.4
AUSHEILPROZESSE
.
28
3.5
METHODE
ZUR
LEBENSDAUEREXTRAPOLATION
.
31
3.6
ALTERNATIVE
ANSAETZE
UND
MODELLE
.
33
4.
EINFUEHRUNG
IN
DIE
DEGRADATION
VON
N-MOS-TRANSISTOREN.
_
_
_
.
_
.
35
4.1
UEBERBLICK
.
35
4.2
DEGRADATIONSMECHANISMEN
.
35
4.2.1
ELEKTRONENINJEKTION
INS
GATEOXID
.
35
4.2.2
LOECHERINJEKTION
INS
GATEOXID
.
39
4.3
ARBEITSPUNKTABHAENGIGKEIT
UND
BEDEUTUNG
DER
VERSCHIEDENEN
DEGRADATIONSMECHANISMEN
.
41
4.4
METHODE
ZUR
LEBENSDAUEREXTRAPOLATION
.
44
4.5
DEGRADATION
VON
LDD-N-MOS-TRANSISTOREN
.
45
5.
DEGRADATION VON
SCHALTUNGSEIGENSCHAFTEN
_
_
49
5.1
DEGRADATION
DIGITALER
CMOS-SCHALTUNGEN
.
50
5.1.1
TRANSISTORARBEITSPUNKT
IN
DIGITALANWENDUNGEN
.
50
5.1.2
WESENTLICHE
TRANSISTORPARAMETER
IN
DIGITALANWENDUNGEN
.
53
5.2
DEGRADATION
ANALOGER
CMOS-SCHALTUNGEN
.
53
5.2.1
TRANSISTORARBEITSPUNKT
IN
ANALOGANWENDUNGEN
.
54
5.2.2
WESENTLICHE
TRANSISTORPARAMETER
IN
ANALOGANWENDUNGEN
.
54
5.2.3
BEISPIEL
ZUR
DEGRADAUON
ANALOGER
CMOS-SCHALTUNGEN
.
56
6.
CHARAKTERISIERUNG
UND
MESSTECHNIK
_
_
.YY.YYYY.~YY.YY.YY.YY.YY._.
61
6.1
CHARAKTERISIERUNG
VON
EINZELTRANSISTOREN
.
61
6.1.1
LINEARE
KENNLINIE
.
61
6.1.2
SUBSTRATSTIOM
.
62
6.1.3
AUSGANGSKENNLINIENFELD
UND
DIFFERENTIELLER
AUSGANGSLEITWERT
GSSG
.
63
6.1.4
STEILHEIT
UND
SCHWELLENSPANNUNG
IM
SAETTIGUNGSBEREICH
.
65
6.1.5
GATESTROM
.
66
6.1.6
CHARAKTERISIERUNG
IN
VORWAERTS
UND
IN
RUECKWAERTSRICHTUNG
.
66
6.1.7
WEITERE
CHARAKTERISIERUNGSVERFAHREN.
.
67
6.2
CHARAKTERISIERUNG
KASKADIERTER
STROMQUELLENSCHALTUNGEN
.
68
7.
MESSERGEBNISSE
AUS
UNTERSUCHUNGEN
AN
P-MOS-TRANSISTOREN
.
------
.
--------
69
7
1
UEBERSICHT
.
69
7.2
DISKUSSION
EINES
TYPISCHEN
BELASTUNGSEXPERIMENTES
AN
EINEM
2
PM
P-MOS-TRANSISTOR
.
70
7.3
KANALLAENGENABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
DER
UNTERSUCHTEN
PARAMETER
.
TI
1A
ABWEICHUNGEN
IM
DEGRADATIONSVERHALTEN
KURZER
TRANSISTOREN
.
82
7.5
BEISPIEL
ZUR
LEBENSDAUEREXTRAPOLATION
.
86
7.6
VERGLEICH
HEUTIGER
UND
AELTERER
PROZESSE
.
90
7.7
ZUSAMMENFASSUNG
.
91
8.
MODELLIERUNG
DER
DEGRADATION
ANALOGSCHALTUNGSRELEVANTER
PARAMETER
VON
----
.
--------
.
93
P-MOS-TRANSISTOREN
8.1
LADUNGSAUFBAU
IM
OXID
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
KANALLAENGE
.
93
8.2
AUSWIRKUNG
DER
IM
OXID
EINGEFANGENEN
LADUNG
AUF
DEN
TRANSISTORBETNEB
IN
SAETTIGUNG
.
98
8.2.1
FALLUNTERSCHEIDUNG
BEI
BETRIEB
DES
TRANSISTORS
IN
SAETTIGUNG
.
98
8.2.2
ZUR
HAEUFIGKEIT
DES
EINTRETENS
BEIDER
FAELLE
.
99
8.2.3
DEGRADATION
IM
FALL
L
MT
L
DAMI
,
E
,
(FALL
I)
.
100
8.2.4
DEGRADATION
IM
FALL
L
SAT
L^,^
(FALL
II)
.
109
8.3
ZUR
DEGRADATION
DER
SCHWELLENSPANNUNG
.
110
8.4
URSACHE
FUER
DAS
ABWEICHENDE
DEGRADATIONSVERHALTEN
VON
TRANSISTOREN
MIT
MINIMALER
.
111
KANALLAENGE
9.
ANSATZ
ZUR
MODELLIERUNG
DER
DEGRADATION
ANALOGSCHALTUNGSRELEVANTER
PARAMETER
VON
.
_
113
N-MOS-TRANSISTOREN
9.1
UEBERSICHT
.
113
9.2
LOKALISIERUNG
DER
SCHAEDIGUNG
.
113
9.3
DEGRADATION
DES
INNEREN
TRANSISTORS
DURCH
GENERATION
VON
GRENZFLAECHENZUSTAENDEN
.
115
9.4
DEGRADATION
DES
INNEREN
TRANSISTORS
DURCH
INJEKTION
VON
LOECHERN
.
116
9.5
DEGRADATION
DES
INNEREN
TRANSISTORS
DURCH
EINFANG
VON
ELEKTRONEN
.
118
9.6
EINFLUSS
DER
SUBSTRATSTROMDEGRADATION
.
120
9.7
DEGRADATION
DES
DRAINSEITIGEN
N"-GEBIETES
.
122
10.
MESSERGEBNISSE
AUS
UNTERSUCHUNGEN
AN
N-MOS-TRANSISTOREN
127
10.1
UEBERSICHT
.
127
10.2
DISKUSSION
EINES
BELASTUNGSXEPERIMENTES
MIT
STARKER
LOECHERINJEKTION
AN
EINEM
2
JUN
.
127
LDD-N-MOS-TRANSISTOR
10.3
KANALLAENGENABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
LDD-N-MOS-TRANSISTOREN
BEI
.
144
BELASTUNGSEXPERIMENTEN
MIT
STARKER
LOECHERINJEKTION
10.4
DISKUSSION
EINES
BELASTUNGSXEPERIMENTES
MIT
STARKER
ELEKTRONENINJEKTION
AN
EINEM
2
PM
.
155
LDD-N-MOS-TRANSISTOR
10.5
KANALLAENGENABHAENGIGKEIT
DER
DEGRADATION
VON
LDD-N-MOS-TRANSISTOREN
BEI
.
166
BELASTUNGSEXPERIMENTEN
MIT
STARKER
ELEKTRONENINJEKTION
10.6
ZUSAMMENFASS
UNG
.
176
10.6.1
ALLGEMEINE
ZUSAMMENFASSUNG
.
176
10.6.2
ENTWICKLUNG
EINES
FUER
DIE
INGENIEURPRAXIS
GEEIGNETEN
ANSATZES
ZUR
BEWERTUNG
.
176
DER
DEGRADATION
ANALOGSCHALTUNGSRELEVANTER
PARAMETER
IN
N-MOS-TRANSISTOREN
11.
DEGRADATION
VON
STROMSPIEGEL
UND
STROMQUELLENSCHALTUNGEN.
----------
.
179
11.1
UEBERSICHT
.
179
11.2
EINFACHE
STROMSPIEGEL
.
179
11.3
UNTERSUCHTE
TESTSTRUKTUR
.
181
11.3.1
AUFBAU
UND
FUNKTIONSWEISE
.
181
11.3.2
CHARAKTERISIERUNG
UND
BELASTUNG
DER
TESTSTRUKTUR
.
188
11.4
MESSUNGEN
AN
P-KANAL-STRUKTUREN
.
188
11.5
MESSUNGEN
AN
N-KANAL-STRUKTUREN
.
196
11.6
MODELLBILDUNG
.
197
11.6.1
MODELLIERUNG
DER
STROMDEGRADATION
.
197
11.6.2
ANWENDUNG
DES
MODELLS
FUER
DIE
STROMDEGRADATION
.
199
11.6.3
MODELLIERUNG
DER
DEGRADATION
DES
AUSGANGSWIDERSTANDES
.
200
11.6.4
ANWENDUNG
DES
MODELLS
FUER
DIE
DEGRADATION
DES
AUSGANGS
WIDERSTANDES.
202
11.7
UEBERTRAGBARKEIT
DES
MODELLS
AUF
ANDERE
KASKADIERTE
STROMSPIEGELSCHALTUNGEN
.
203
11.7.1
CASCODE-STROMSPIEGEL
.
203
11.7.2
VERBESSERTER
WILSON-MOS-STROMSPIEGEL
.
207
11.7.3
MOS-STROMSPIEGEL
MIT
UNTERLEGTEM
REGLER
.
209
12.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK.
_
.
_
.
_
.
211
ANHANG
A
VERIFIKATION
GRUNDLEGENDER
ANNAHMEN
FUER
DAS
P-MOS-DEGRADATIONSMODELL
.
215
A.
1
ZUR
GENERATION
NEUER
OXIDEINFANGSTELLEN
DURCH
BELASTUNG
.
215
A.2
ZUR
ANNAHME
EINES
EXPONENTIELLEN
ABFALLS
DER
OXIDINJEKTIONSSTROMDICHTE
MIT
DER
.
216
ENTFERNUNG
ZUM
DRAIN
B
TECHNOLOGISCHE
TRANSISTORKENNGROESSEN
.219
C
KONKRETER
MESSAUFBAU
UND
ABLAUF
DES
MESSPROGRAMMS
BEI
EINZELTRANSISTOR
221
BELASTUNGSEXPERIMENTEN
D
BEISPIELHAFTER
AUFBAU
EINES
FOLDED-CASCODE-OPERATIONSVERSTAERKERS
227
IN
CMOS-TECHNOLOGIE
VERZEICHNIS
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
UND
ABKUERZUNGEN.
-
229
LITERATURVERZEICHNIS.
-
-
.
-
-
-
-
-
.
-
-
-
.
-
.
-
-
-.-.
-
.-.-.
-
-
-
-
-
-
239
LEBENSLAUF
-
-
-
-
-
-
-
-
YYYYYY
-
-
YYYY
-
249
DANK
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
251 |
| any_adam_object | 1 |
| author | Thewes, Roland |
| author_facet | Thewes, Roland |
| author_role | aut |
| author_sort | Thewes, Roland |
| author_variant | r t rt |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV010748918 |
| classification_tum | ELT 240d ELT 358d |
| ctrlnum | (OCoLC)51676043 (DE-599)BVBBV010748918 |
| discipline | Elektrotechnik |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV010748918</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19961009</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">960430s1995 gw ad|| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">947015418</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)51676043</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV010748918</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 240d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 358d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Thewes, Roland</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger</subfield><subfield code="c">von Roland Thewes</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1995</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">251 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Dortmund, Univ., Diss., 1995</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Degradation</subfield><subfield code="g">Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4206992-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4148111-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">CMOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4148111-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Degradation</subfield><subfield code="g">Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4206992-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007177893&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007177893</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV010748918 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-18T00:14:22Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007177893 |
| oclc_num | 51676043 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-355 DE-BY-UBR DE-83 DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-12 DE-355 DE-BY-UBR DE-83 DE-11 DE-188 |
| physical | 251 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1995 |
| publishDateSearch | 1995 |
| publishDateSort | 1995 |
| record_format | marc |
| spelling | Thewes, Roland Verfasser aut Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger von Roland Thewes 1995 251 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Dortmund, Univ., Diss., 1995 Degradation Technik (DE-588)4206992-0 gnd rswk-swf CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 s Degradation Technik (DE-588)4206992-0 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007177893&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Thewes, Roland Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger Degradation Technik (DE-588)4206992-0 gnd CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4206992-0 (DE-588)4148111-2 (DE-588)4113937-9 |
| title | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger |
| title_auth | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger |
| title_exact_search | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger |
| title_full | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger von Roland Thewes |
| title_fullStr | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger von Roland Thewes |
| title_full_unstemmed | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger von Roland Thewes |
| title_short | Degradation analoger CMOS-Schaltungen durch heisse Ladungsträger |
| title_sort | degradation analoger cmos schaltungen durch heisse ladungstrager |
| topic | Degradation Technik (DE-588)4206992-0 gnd CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 gnd |
| topic_facet | Degradation Technik CMOS-Schaltung Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007177893&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT thewesroland degradationanalogercmosschaltungendurchheisseladungstrager |