InAlAs-InGaAs-InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit Submikrometer-Gatelängen: Herstellung, Charakterisierung und Stabilisierung
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1996
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996 |
| Beschreibung: | II, 143 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALT
1
EINLEITUNG
UND
AUFGABENSTELLUNG
.
1
1.1
EINLEITUNG
.
1
1.2
AUFGABENSTELLUNG
.
3
2
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
IM
MATERIALSYSTEM
INALAS/INGAASZINP.6
2.1
FUNKTIONSWEISE
DES
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTORS
.
6
2.2
SCHICHTAUFBAU
IM
MATERIALSYSTEM
INALAS/INGAAS/INP
.
11
2.3
HOCHFREQUENZERSATZSCHALTBILD
.
14
3
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
MIT
EINER
GATELAENGE
VON
1
JUN
.21
3.1
VERFAHRENSSCHRITTE
ZUR
HERSTELLUNG
.
21
3.2
GITTERANGEPASSTE
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
25
3.2.1
SCHICHTAUFBAU
.
25
3.2.2
KENNDATEN
GITTERANGEPASSTER
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
28
3.3
PSEUDOMORPHE
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
34
3.3.1
SCHICHTAUFBAU
.
34
3.3.2
KENNDATEN
PSEUDOMORPHER
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
37
3.4
EINFLUSS
NASSCHEMISCHER
AETZUNGEN
.
41
3.4.1
OPTIMIERUNG
DER
RECESS-AETZUNG
.
41
3.4.2
MODIFIZIERUNG
DER
MESAAETZUNG
ZUR
REDUZIERUNG
HOHER
LECKSTROEME
.
46
4
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
MIT
GATELAENGEN
UM
300
NM.5O
4.1
VERFAHRENSSCHRITTE
ZUR
HERSTELLUNG
.
50
4.2
KENNDATEN
.
55
5
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOREN
MIT
GATELAENGEN
UM
100
NM.YY.61
5.1
DIE
ELEKTRONENSTRAHLANLAGE
.
61
5.2
T-FOERMIGES
GATE
FUER
GATELAENGEN
UM
100
NM
.
63
5.2.1
ABSCHAETZUNG
DES
GATEWIDERSTANDES
.
63
5.2.2
STRUKTURIERUNG
T-FOERMIGER
GATES
MITTELS
MEHRLAGENSYSTEMEN
.
64
5.3
VERFAHREN
ZUR
HERSTELLUNG VON
HFETS
MIT
T-FOERMIGEM
GATE
.
72
5.4
KENNDATEN
.
78
5.4.1
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOR
MIT
T-FOERMIGEM
GATE
NACH
NICHTSELEKTIVEM
RECESS
.
79
5.4.2
HETEROSTRUKTUR-FELDEFFEKTTRANSISTOR
MIT
T-FOERMIGEM
GATE
NACH
SELEKTIVEM
RECESS
.
84
6
VERGLEICH
MIT
LITERATURDATEN.88
7
DEGRADATIONSMECHANISMEN
AL-HALTIGER
INP-HFETS
UND
DEREN
STABILISIERUNG.91
7.1
GLEICHSTROM
UND
HOCHFREQUENZVERHALTEN
NACH
THERMISCHER
BELASTUNG
.
92
7.2
MATERIALABHAENGIGE
DEGRADATIONEN
.
97
7.3
STABILITAET
DER
METALL-HALBLEITER-UEBERGAENGE
.
101
7.4
DEGRADATION
DER
INALAS-OBERFLAECHE
.
106
7.5
PASSIVIERUNG
DES
INALAS/INGAAS-HFET
.
115
8
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK.
124
9
VERWENDETE
FORMELZEICHEN
.
128
10
LITERATURVERZEICHNIS.
131
II |
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