Photoelektronenspektroskopie der elektronischen Eigenschaften von amorphem Kohlenstoff und seiner Grenzfläche zu kristallinem Silizium:
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
1
2.
STRUKTUR
DES
AMORPHEN
KOHLENSTOFFS
4
2.1
HYBRIDISIERUNG
UND
DIE
KRISTALLE
DIAMANT
UND
GRAPHIT
4
2.2
FORMEN
DES
AMORPHEN
KOHLENSTOFFS
8
2.2.1
ZUSAMMENSETZUNG
UND
EIGENSCHAFTEN
8
2.2.2
EINFLUSS
DER
DEPOSITIONSBEDINGUNGEN
10
2.3
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
UND
STRUKTUR
DES
AMORPHEN
KOHLENSTOFFS
14
2.3.1
ELEKTRONISCHE
ZUSTANDSDICHTE
14
2.3.2
NETZWERKMODELLE
15
3.
GRUNDLAGEN
FUER
DIE
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
19
3.1
THEORIE
DES
PHOTOEMISSIONSPROZESSES
19
3.1.1
DER
ANREGUNGSPROZESS
19
3.1.2
DER
ZUSTAND
DES
PHOTOELEKTRONS
23
3.2
VALENZBANDSPEKTROSKOPIE
26
3.2.1
PHOTOELEKTRONENSTROM
UND
ZUSTANDSDICHTE
26
3.2.2
MODELLIERUNG
DER
LEBENSDAUERVERBREITERUNG
29
3.3
INELASTISCHE
VERLUSTE
30
3.4
PHOTOELEKTRONEN-AUSBEUTESPEKTROSKOPIE
31
4.
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
34
4.1
APPARATUR
ZUR
ROENTGEN
UND
ULTRAVIOLETTPHOTOEMISSION
34
4.2
AUSBEUTESPEKTROMETER
36
4.3
DEPOSITION
DES
AMORPHEN
KOHLENSTOFFS
39
5.
CHARAKTERISIERUNG
VON
KOHLENSTOFF
AUS
DER
PLASMADEPOSITION
43
5.1
RUMPFIIIVEAU-VERLUSTSPEKTROSKOPIE
43
5.2
VALENZBANDSPEKTROSKOPIE
52
5.2.1
OPTISCHE
DATEN
VON
A-C:H
52
5.2.2
UPS-VALENZBANDSPEKTREN
UND
DIE
HYBRIDISIERUNG
DES
KOHLENSTOFFS
55
5.3
DEFEKTZUSTAENDE
62
6.
VERGLEICH
KRISTALLINER
UND
AMORPHER
KOHLENSTOFFMODIFIKATIONEN
70
6.1
RUMPFHIVEAUSPEKTROSKOPIE
AN
DEN
VERSCHIEDENEN
KOHLENSTOFFTNODIFIKATIONEN
70
INHALTSVERZEICHNIS
6.1.1
RUMPFIIIVEAUVERLUSTE
70
6.1.2
CLS-LINIENFORM
73
6.2
VALENZBANDSPEKTREN
UND
ANPASSUNG
DER
ZUSTANDSDICHTE
75
6.2.1
ANPASSUNG
DER
ZUSTANDSDICHTE
ZUR
SIMULATION
DER
SPEKTREN
75
6.2.2
ZUSTANDSDICHTE
UND
VALENZBANDSPEKTREN
DER
KRISTALLINEN
MODIFIKATIONEN
80
6.3
DIE
AMORPHEN
KOHLENSTOFFMODIFIKATIONEN
86
7.
DIE
WASSERSTOFFTERMINIERTE
SILIZIUM
(111)
OBERFLAECHE
92
7.1
SPEKTROSKOPIE
DER
SI(
11
1):H-OBERFLAECHE
92
7.1.1
GRUNDLEGENDE
EIGENSCHAFTEN
DER
OBERFLAECHE
92
7.1.2
NASSCHEMISCHE
PRAEPARATION
DER
SILIZIUM-SUBSTRATE
94
7.1.3
FERMINIVEAUPOSITION
UND
SI-H
BINDUNGSZUSTAENDE
ALS
FUNKTION
DER
ANLASSTEMPERATUR
95
7.2
DISKUSSION
DES
ANLASSVERHALTENS
VON
SI(
11
1):H
100
7.2.1
SCHEINBARES
FERMINIVEAU-PINNING
100
7.2.2
DESORPTIONSKINETIK
DES
WASSERSTOFFS
AUF
DER
SI(
11
1)-OBERFLAECHE
106
8.
GRENZFLAECHE
VON
WASSERSTOFFTERMINIERTEM
SILIZIUM
(111)
ZU
A-C:H
110
8.1
TECHNOLOGISCHE
ASPEKTE
DES
SYSTEMS
SI
/
A-C:H
110
8.2
RUMPFHIVEAU-SPEKTROSKOPIE
DER
WACHSENDEN
GRENZFLAECHE
112
8.3
NATUR
DER
GRENZFLAECHENPHASE
UND
VERLAUF
DER
BANDVERBIEGUNG
115
8.3.1
DREI-LAGEN-MODELL
DER
WACHSENDEN
GRENZFLAECHE
115
8.3.2
VERHALTEN
DER
ENERGIEBAENDER
ZU
BEIDEN
SEITEN
DER
GRENZFLAECHE
121
8.4
ZUSTANDSDICHTE
AN
DER
GRENZFLAECHE
UND
BANDKANTENDISKONTINUITAET
125
9.
ZUSAMMENFASSUNG
131
ANHANG
134
A.
ENTFALTUNG
DER
MEHRFACHVERLUSTE
134
B.
ELEKTRONENOPTIK
DES
AUSBEUTESPEKTROMETERS
137
C.
VALENZBANDSPEKTREN
ZUM
ANLASSVERHALTEN
VON
A-C:H
142
DANKSAGUNG
146
LITERATURVERZEICHNIS
148
VERZEICHNIS
DER
VEROEFFENTLICHUNGEN
157
CURRICULUM
VITAE
159 |
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