Photoemissionsmessungen an p-GaAs (100) und n-Si (100) bei zusätzlicher Einstrahlung von Licht der Energie 1.2eV kleiner als hv kleiner als 6.6eV:
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1995
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INHALTSVERZEICHNIS
1. EINLEITUNG 2
2. PHOTOEMISSION 4
2.1 OBERFLAECHENZUSTAENDE IN DER PHOTOEMISSION. 5
3. DIE BANDVERBIEGUNGSZONE 8
3.1 BANDVERBIEGUNGSZONE AN DER OBERFLAECHE IM GLEICHGEWICHT. 8
3.2 BANDVERBIEGUNGSZONE AN DER OBERFLAECHE IM UNGLEICHGEWICHT. 10
4. MESSVERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG 14
5. EXPERIMENTELLES 17
5.1 APPARATUR. 17
5.2 BESTIMMUNG DER FERMIENERGIE DER APPARATUR. 20
5.3 DIE GASENTLADUNGSLAMPE. 21
6. KRISTALLPRAEPARATION 24
6.1 PRAEPARATION DER GA AS KRISTALLE'. 24
6.2 PRAEPARATION DER SI KRISTALLE. 27
7. PHOTOEMISSIONSMESSUNGEN OHNE ZUSATZLICHT 28
7.1 GAAS (100) . 29
7.2 SI (100) . 34
8. BANDVERBIEGUNGSBESTIMMUNG 36
8.1 BANDVERBIEGUNG IN ABHAENGIGKEIT, VON DER INTENSITAET DES ZUSATZLICHTES
. . 40
8.2 BANDVERBIEGUNG IN ABHAENGIGKEIT VON DER PROBENTEMPERATUR. 44
8.3 EINFLUSS DER PRAEPARATION AUF DIE BANDVERBIEGUNG. 45
9. ADSORBATABHAENGIGE PHOTOEMISSIONSMESSUNGEN 47
9.1 GAESIERTE GAAS (100) OBERFLAECHEN. 47
9.1.1 BANDVERBIEGUNGSIRESTIMMUNG CAESIERTER GAAS OBERFLAECHEN. 50
9.2 OXIDIERTE GAAS(100) OBERFLAECHEN. 52
9.2.1 BESTIMMUNG UND VERGLEICH DER BANDVERBIEGUNGEN. 54
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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INHALTSVERZEICHNIS
10.INTENSITAETSAENDERUNGEN IN DEN PHOTOEMISSIONSSPEKTREN DURCH
ZUSATZBELEUCH
TUNG
11. ZUSAMMENFASSUNG
12. LITERATURVERZEICHNIS |
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