Ionenimplantation zur Synthese von Beta-SiC-Schichten und zur Dotierung polykristalliner CVD-Diamantschichten:
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1995
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INHALTSVERZEICHNIS
FORMELZEICHEN
6
1
EINLEITUNG
10
2
DIE
GRUNDLAGEN
DER
IONENIMPLANTATION
UND
DES
RUTHERFORD-BACKSCATTERING
12
2.1
REICHWEITE
MONOENERGETISCHER
IONEN
IN
FESTKOERPERN
12
2.1.1
ELEKTRONISCHE
ABBREMSUNG
14
2.1.2
KEMABBREMSUNG
16
2.1.3
REICHWEITENVERTEILUNG
IMPLANTIERTER
IONEN
18
2.1.4
HOCHDOSISEFFEKTE
18
2.1.4.1
SPUTTERING
WAEHREND
DER
IMPLANTATION
19
2.1.4.2
VOLUMENAENDERUNG
DURCH
IONENIMPLANTATION
21
2.2
ENTSTEHUNG
UND
AUSHEILEN
VON
STRAHLENSCHAEDEN
22
2.3
DIE
COMPUTERSIMULATION
TRIM91
23
24
RUTHERFORD-BACKSCATTERING
(RBS)
24
2.4.1
DER
KINEMATISCHE
FAKTOR
K
24
2.4.2
DER
RUTHERFORD-STREUQUERSCHNITT
26
2.4.3
BESTIMMUNG
VON
TIEFENPROFILEN
MIT
RUTHERFORD-BACKSCATTERING
27
3
SIC-ERZEUGUNG
DURCH
LONENSTRAHLSYNTHESE
31
3.1
DIE
KRISTALLSTRUKTUR
VON
SIC
31
3.2
ZIELE
DER
LONENSTRAHLSYNTHESE,
ALTERNATIVE
METHODEN
33
3.3
DER
EXPERIMENTELLE
AUFBAU
35
3.3.1
DER
LONENIMPLANTER
35
3.3.2
DIE
TARGETKAMMER
37
3.4
IMPLANTATION
VON
12
C
IN
SILIZIUMSUBSTRATE
38
3.4.1
TRIM91-SIMULATION
DER
IMPLANTATION
VON
12
C
IN
28
SI
38
3.4.2
PARAMETER
DER
SIC-IONENSTRAHLSYNTHESE
43
3.5
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
45
3.5.1
UEBERSICHT
DER
EXPERIMENTELLEN
ERGEBNISSE
45
3.5.2
EINFLUSS
VON
IMPLANTATIONSTEMPERATUR
UND
TEMPERUNG
47
3.5.2.1
SEEBECK
UND
SCHICHTWIDERSTANDSMESSUNGEN
AUF
IMPLANTIERTEN
OBERFLAECHEN
49
3.5.2.2
PHOTOLUMINESZENZUNTERSUCHUNGEN
51
3.5.2.3
SIMS-UNTERSUCHUNGEN
57
3.5.2.4
RAMAN
UND
IR-SPEKTROSKOPIE
59
3.5.2.5
ROENTGENDIFFRAKTIONSMESSUNGEN
64
3.5.3
VARIATION
DER
IMPLANTIERTEN
12
C-DOSIS
71
3.5.4
VERWENDUNG
VON
111
ORIENTIERTEN
SILIZIUMSUBSTRATEN
77
4
ABSCHEIDUNG
VON
CVD-DIAMANTSCHICHTEN
AUF
IONENSTRAHLSYNTHETISIERTEM
SS-SIC
80
4.1
MOTIVATION
FUER
DIE
ERZEUGUNG
DUENNER
SS-SIC-SCHICHTEN
80
4.2
HERSTELLUNG
FREISTEHENDER
SIC-MEMBRANEN
81
4.3
ABSCHEIDUNG
VON
CVD-DIAMANT
85
4.3.1
DIAMANTSYNTHESE
85
4.3.2
ABSCHEIDUNG
VON
CVD-DIAMANT
AUF
EINER
SS-SIC-PUFFERSCHICHT
87
5
IONENIMPLANTATION
IN
POLYKRISTALLINE
CVD-DIAMANTSCHICHTEN
91
5.1
TYPENKLASSIFIZIERUNG
VON
DIAMANT
91
5.2
IMPLANTATIONSAUFBAU
UND
EXPERIMENTELLE
DURCHFUEHRUNG
92
5.3
BESTIMMUNG
EINER
GRENZDOSIS
93
5.4
DOTIERUNG
POLYKRISTALLINER
CVD-DIAMANTSCHICHTEN
DURCH
IONENIMPLANTATION
101
5.4.1
BEDEUTUNG
DER
TARGETTEMPERATUR
102
5.4.2
DAS
PRINZIP
DER
KOIMPLANTATION
105
5.4.3
TRIM91-SIMULATION
VON
12
C/
11
B
UND
4
HE/
11
B-KOIMPLANTATIONEN
IN
12
C
107
5.4.4
DOTIERVERSUCHE
DURCH
IMPLANTATION
VON
7
LI
108
6
ELEKTRISCHE
MESSUNGEN
AN
POLYKRISTALLINEN
P-CVD-DIAMANTSCHICHTEN
110
6.1
BESTIMMUNG
DES
SPEZIFISCHEN
WIDERSTANDS
110
6.1.1
WAHL
DER
SPITZENANORDNUNG
110
6.1.2
DER
SPEZIFISCHE
WIDERSTAND
ALS
FUNKTION
VON
TEMPERATUR
UND
TEMPERDAUER
112
6.1.3
DISKUSSION
116
6.2
OHMSCHE
KONTAKTE
AUF
CVD-DIAMANT
120
6.2.1
KONZEPTE
DER
DIAMANTKONTAKTIERUNG
120
6.2.2
TANTALSILIZID
ALS
KONTAKTMATERIAL
AUF
P-CVD-DIAMANTSCHICHTEN
121
6.2.2.1
BESTIMMUNG
VON
KONTAKTEIGENSCHAFTEN
MIT
HILFE
VON
TLM-STRUKTUREN
122
6.2.2.2
HERSTELLUNG
VON
TLM-STRUKTUREN
128
6.2.2.3
ELEKTRISCHE
MESSUNGEN
AN
TLM-STRUKTUREN
ERGEBNISSE
UND
DISKUSSION
130
7
ZUSAMMENFASSUNG
136
8
LITERATURVERZEICHNIS
138 |
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