Technologie hochintegrierter Schaltungen: mit ... 29 Tabellen
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | German |
| Published: |
Berlin [u.a.]
Springer
1996
|
| Edition: | 2. Aufl. |
| Series: | Halbleiterelektronik
19 |
| Subjects: | |
| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Physical Description: | XIX, 363 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3540593578 |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV010682740 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20140512 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 960318s1996 gw d||| |||| 00||| ger d | ||
| 016 | 7 | |a 946711887 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3540593578 |c Gb. : DM 128.00 |9 3-540-59357-8 | ||
| 035 | |a (OCoLC)263617559 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV010682740 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 044 | |a gw |c DE | ||
| 049 | |a DE-1046 |a DE-29T |a DE-Aug4 |a DE-91 |a DE-M347 |a DE-898 |a DE-355 |a DE-92 |a DE-1050 |a DE-703 |a DE-384 |a DE-706 |a DE-526 |a DE-634 | ||
| 084 | |a UX 2150 |0 (DE-625)146948: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4100 |0 (DE-625)157351: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4900 |0 (DE-625)157417: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4950 |0 (DE-625)157424: |2 rvk | ||
| 084 | |a 37 |2 sdnb | ||
| 084 | |a ELT 355f |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Widmann, Dietrich |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Technologie hochintegrierter Schaltungen |b mit ... 29 Tabellen |c D. Widmann ; H. Mader ; H. Friedrich |
| 250 | |a 2. Aufl. | ||
| 264 | 1 | |a Berlin [u.a.] |b Springer |c 1996 | |
| 300 | |a XIX, 363 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Halbleiterelektronik |v 19 | |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Integrierte Schaltung |0 (DE-588)4027242-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a LSI |0 (DE-588)4168200-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a VLSI |0 (DE-588)4117388-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Integrierte Schaltung |0 (DE-588)4027242-4 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a LSI |0 (DE-588)4168200-2 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a VLSI |0 (DE-588)4117388-0 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 689 | 3 | 0 | |a LSI |0 (DE-588)4168200-2 |D s |
| 689 | 3 | 1 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
| 689 | 3 | |5 DE-604 | |
| 689 | 4 | 0 | |a VLSI |0 (DE-588)4117388-0 |D s |
| 689 | 4 | 1 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
| 689 | 4 | |5 DE-604 | |
| 700 | 1 | |a Mader, Hermann |e Verfasser |4 aut | |
| 700 | 1 | |a Friedrich, Hans |e Verfasser |4 aut | |
| 830 | 0 | |a Halbleiterelektronik |v 19 |w (DE-604)BV035415828 |9 19 | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007130386&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007130386 | |
Record in the Search Index
| _version_ | 1807594306956951552 |
|---|---|
| adam_text |
INHALTSVERZEICHNIS
BEZEICHNUNGEN
UND
SYMBOLE
.
XV
1
EINLEITUNG
.
1
2
GRUNDZUEGE
DER
TECHNOLOGIE
VON
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
3
LITERATUR
ZU
KAPITEL
2
.
12
3
SCHICHTTECHNIK
.
13
3.1
VERFAHREN
DER
SCHICHTERZEUGUNG
.
13
3.1.1
CVD-VERFAHREN
.
13
3.1.2
THERMISCHE
OXIDATION
.
21
3.1.3
AUFDAMPFVERFAHREN
.
28
3.1.4
SPUTTERVERFAHREN
.
30
3.1.5
SCHLEUDERBESCHICHTUNG
.
35
3.1.6
SCHICHTERZEUGUNG
MITTELS
IONENIMPLANTATION
.
36
3.1.7
SCHICHTERZEUGUNG
MITTELS
WAFER-BONDING
UND
RUECKAETZEN
.
36
3.1.8
TEMPERVERFAHREN
.
37
3.2
DIE
MONOKRISTALLINE
SILIZIUMSCHEIBE
.
40
3.2.1
GEOMETRIE
UND
KRISTALLOGRAPHIE
VON
SILIZIUMSCHEIBEN
.
40
3.2.2
DOTIERUNG
VON
SILIZIUMSCHEIBEN
.
41
3.2.3
ZONENGEZOGENES
UND
TIEGELGEZOGENES
SILIZIUM
.
42
3.3
EPITAXIESCHICHTEN
.
44
3.3.1
ANWENDUNG
VON
EPITAXIESCHICHTEN
.
44
3.3.2
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
AUS
DEM
SUBSTRAT
IN
DIE
EPITAXIESCHICHT
.
46
3.4
THERMISCHE
SIO
2
-SCHICHTEN
.
49
3.4.1
ANWENDUNG
VON
THERMISCHEN
SIO
2
-SCHICHTEN
.
49
3.4.2
DIE
LOCOS-TECHNIK
.
50
3.4.3
CHARAKTERISIERUNG
VON
DUENNEN
THERMISCHEN
SIO
2
-SCHICHTEN
.
57
3.5
ABGESCHIEDENE
SIO
2
-SCHICHTEN
.
62
3.5.1
ERZEUGUNG
VON
ABGESCHIEDENEN
SIO
2
-SCHICHTEN
.
63
3.5.2
ANWENDUNG
ABGESCHIEDENER
SIO
2
-SCHICHTEN
.
64
3.5.3
SPACERTECHNIK
.
64
3.5.4
GRABENISOLATION
.
66
X
INHALTSVERZEICHNIS
3.5.5
SIO
2
-ISOLATIONSSCHICHTEN
FUER
DIE
MEHRLAGENVERDRAHTUNG
.
67
3.6
PHOSPHORGLASSCHICHTEN
.
68
3.6.1
ERZEUGUNG
VON
PHOSPHORGLASSCHICHTEN
.
68
3.6.2
FLOW-GLAS
.
70
3.6.3
THERMISCHES
PHOSPHORGLAS
.
71
3.7
SILIZIUMNITRIDSCHICHTEN
.
71
3.7.1
ERZEUGUNG
VON
SILIZIUMNITRIDSCHICHTEN
.
71
3.7.2
NITRIDSCHICHTEN
ALS
OXIDATIONSSPERRE
.
72
3.7.3
NITRIDSCHICHTEN
ALS
KONDENSATOR-DIELEKTRIKUM
.
72
3.7.4
NITRIDSCHICHTEN
ALS
PASSIVIERUNG
.
73
3.8
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
74
3.8.1
ERZEUGUNG
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
74
3.8.2
KORNSTRUKTUR
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
75
3.8.3
LEITFAEHIGKEIT
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
76
3.8.4
ANWENDUNG
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
78
3.9
SILIZIDSCHICHTEN
.
82
3.9.1
ERZEUGUNG
VON
SILIZIDSCHICHTEN
.
82
3.9.2
POLYZIDSCHICHTEN
.
85
3.9.3
SILIZIERUNG
VON
SOURCE/DRAIN-BEREICHEN
.
87
3.10
REFRAKTAER-METALLSCHICHTEN
.
88
3.11
ALUMINIUMSCHICHTEN
.
89
3.11.1
ERZEUGUNG
VON
ALUMINIUMSCHICHTEN
.
90
3.11.2
KRISTALLSTRUKTUR
VON
ALUMINIUMSCHICHTEN
.
91
3.11.3
ELEKTROMIGRATION
IN
ALUMINIUMLEITERBAHNEN
.
91
3.11.4
ALUMINIUM-SILIZIUMKONTAKTE
.
93
3.11.5
ALUMINIUM-ALUMINIUM-KONTAKTE
.
95
3.12
ORGANISCHE
SCHICHTEN
.
96
3.12.1
SPIN-ON-GLASSCHICHTEN
.
96
3.12.2
POLYIMIDSCHICHTEN
.
97
3.13
LITERATUR
ZU
KAPITEL
3
.
99
4
LITHOGRAPHIE
.
101
4.1
STRUKTURGROESSE,
LAGEFEHLER
UND
DEFEKTE
.
102
4.2
PHOTOLITHOGRAPHIE
.
104
4.2.1
PHOTORESISTSCHICHTEN
.
104
4.2.2
AUSBILDUNG
VON
PHOTORESISTSTRUKTUREN
.
109
4.2.3
SCHWANKUNG
DER
LICHTINTENSITAET
IM
PHOTORESIST
.
112
4.2.4
SPEZIELLE
PHOTORESISTTECHNIKEN
.
117
4.2.5
OPTISCHE
BELICHTUNGSVERFAHREN
.
123
4.2.6
AUFLOESUNGSVERMOEGEN
DER
LICHTOPTISCHEN
BELICHTUNGSGERAETE
.
127
4.2.7
JUSTIERGENAUIGKEIT
VON
LICHTOPTISCHEN
BELICHTUNGSGERAETEN
.
138
4.2.8
DEFEKTE
BEI
DER
LICHTOPTISCHEN
LITHOGRAPHIE
.
141
INHALTSVERZEICHNIS
XI
4.3
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
143
4.3.1
WELLENLAENGENBEREICH
FUER
DIE
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
144
4.3.2
ROENTGENRESISTS
.
145
4.3.3
ROENTGENQUELLEN
.
146
4.3.4
ROENTGENMASKEN
.
151
4.3.5
JUSTIERVERFAHREN
DER
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
153
4.3.6
STRAHLENSCHAEDEN
BEI
DER
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
153
4.3.7
CHANCEN
DER
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
154
4.4
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
154
4.4.1
ELEKTRONENRESISTS
.
155
4.4.2
AUFLOESUNGSVERMOEGEN
DER
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
156
4.4.3
ELEKTRONENSTRAHLSCHREIBGERAETE
.
158
4.4.4
ELEKTRONENPROJEKTIONSGERAETE
.
163
4.4.5
JUSTIERVERFAHREN
DER
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
164
4.4.6
STRAHLENSCHAEDEN
BEI
DER
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
164
4.5
LONENLITHOGRAPHIE
.
166
4.5.1
LONENRESISTS
.
168
4.5.2
LONENSTRAHLSCHREIBEN
.
169
4.5.3
LONENSTRAHLPROJEKTION
.
170
4.5.4
AUFLOESUNGSVERMOEGEN
DER
LONENLITHOGRAPHIE
.
173
4.6
STRUKTURERZEUGUNG
OHNE
LITHOGRAPHIE
.
178
4.7
LITERATUR
ZU
KAPITEL
4
.
178
5
AETZTECHNIK
.
181
5.1
NASSAETZEN
.
182
5.1.1
NASSCHEMISCHES
AETZEN
.
183
5.1.2
CHEMISCH-MECHANISCHES
POLIEREN
.
183
5.2
TROCKENAETZEN
.
186
5.2.1
PHYSIKALISCHES
TROCKENAETZEN
.
186
5.2.2
CHEMISCHES
TROCKENAETZEN
.
188
5.2.3
CHEMISCH-PHYSIKALISCHES
TROCKENAETZEN
.
190
5.2.4
CHEMISCHE
AETZREAKTIONEN
.
200
5.2.5
AETZGASE
.
201
5.2.6
PROZESSOPTIMIERUNG
.
203
5.2.7
ENDPUNKTERKENNUNG
.
206
5.3
TROCKENAETZPROZESSE
.
210
5.3.1
TROCKENAETZEN
VON
SILIZIUMNITRID
.
210
5.3.2
TROCKENAETZEN
VON
POLYSILIZIUM
.
211
5.3.3
TROCKENAETZEN
VON
MONOKRISTALLINEM
SILIZIUM
.
213
5.3.4
TOCKENAETZEN
VON
METALLSILIZIDEN
UND
REFRAKTAER-METALLEN
.
214
5.3.5
TROCKENAETZEN
VON
SILIZIUMDIOXID
.
215
5.3.6
TROCKENAETZEN
VON
ALUMINIUM
.
217
5.3.7
TROCKENAETZEN
VON
POLYMEREN
.
219
5.4
LITERATUR
ZU
KAPITEL
5
.
220
XII
INHALTSVERZEICHNIS
6
DOTIERTECHNIK
.
223
6.1
THERMISCHE
DOTIERUNG
.
224
6.2
DOTIERUNG
MITTELS
IONENIMPLANTATION
.
225
6.2.1
LONENIMPLANTATIONSANLAGEN
.
226
6.2.2
IMPLANTIERTE
DOTIERPROFILE
.
228
6.3
AKTIVIERUNG
UND
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
.
236
6.3.1
AKTIVIERUNG
IMPLANTIERTER
DOTIERATOME
.
236
6.3.2
INTRINSISCHE
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
.
237
6.3.3
DIFFUSION
BEI
HOHEN
DOTIERATOMKONZENTRATIONEN
.
240
6.3.4
OXIDATIONSBESCHLEUNIGTE
DIFFUSION
.
241
6.3.5
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
AN
GRENZFLAECHEN
.
242
6.3.6
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
IN
SCHICHTEN
.
244
6.3.7
SCHICHTWIDERSTAND
VON
DOTIERTEN
SCHICHTEN
.
246
6.3.8
DIFFUSION
AM
RAND
VON
DOTIERTEN
BEREICHEN
.
248
6.4
DIFFUSION
VON
NICHTDOTIERENDEN
STOFFEN
.
249
6.5
LITERATUR
ZU
KAPITEL
6
.
252
7
REINIGUNGSTECHNIK
.
253
7.1
VERUNREINIGUNGEN
UND
IHRE
AUSWIRKUNGEN
.
253
7.2
REINE
RAEUME,
MATERIALIEN
UND
PROZESSE
.
257
7.2.1
REINRAEUME
.
257
7.2.2
REINE
MATERIALIEN
.
260
7.2.3
SAUBERE
PROZESSFUEHRUNG
.
263
7.3
SCHEIBENREINIGUNG
.
263
7.4
LITERATUR
ZU
KAPITEL
7
.
267
8
PROZESSINTEGRATION
.
269
8.1
DIE
VERSCHIEDENEN
MOS
UND
BIPOLAR-TECHNOLOGIEN
.
269
8.1.1
DIE
AKTIVEN
BAUELEMENTE
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
269
8.1.2
SYSTEMATIK
DER
MOS
UND
BIPOLAR-TECHNOLOGIEN
.
269
8.1.3
DIE
PASSIVEN
BAUELEMENTE
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
271
8.2
ARCHITEKTUR
DER
GESAMTPROZESSE
.
271
8.2.1
ARCHITEKTUR
DER
MOS-TECHNOLOGIEN
.
271
8.2.2
ARCHITEKTUR
DER
BIPOLAR
UND
BICMOS-TECHNOLOGIEN
.
274
8.3
TRANSISTOREN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
275
8.3.1
AUFBAU
DER
MOS-TRANSISTOREN
UND
IHRER
ISOLATION
.
275
8.3.2
AUFBAU
DER
DMOS-TRANSISTOREN
.
283
8.3.3
AUFBAU
DER
BIPOLAR-TRANSISTOREN
UND
IHRER
ISOLATION
.
285
8.4
SPEICHERZELLEN
.
288
8.4.1
AUFBAU
VON
STATISCHEN
SPEICHERZELLEN
.
288
8.4.2
AUFBAU
VON
DYNAMISCHEN
SPEICHERZELLEN
.
290
8.4.3
AUFBAU
VON
NICHTFLUECHTIGEN
SPEICHERZELLEN
.
293
INHALTSVERZEICHNIS
XIII
8.5
MEHRLAGENMETALLISIERUNG
.
297
8.5.1
EINEBNUNG
VON
OBERFLAECHEN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
298
8.5.2
KONTAKTE
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
303
8.5.3
LEITERBAHNEN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
306
8.5.4
PASSIVIERUNG
VON
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
307
8.6
DETAILLIERTE
PROZESSFOLGE
AUSGEWAEHLTER
GESAMTPROZESSE
.
308
8.6.1
0,4
PM-DIGITAL-CMOS-PROZESS
.
308
8.6.2
0,7
PM-BICMOS-PROZESS
.
319
8.6.3
HOECHSTFREQUENZ-BIPOLAR-PROZESS
.
319
8.6.4
0,25
PM-DRAM-PROZESS
.
319
8.7
LITERATUR
ZU
KAPITEL
8
.
348
SACHVERZEICHNIS
.
351 |
| any_adam_object | 1 |
| author | Widmann, Dietrich Mader, Hermann Friedrich, Hans |
| author_facet | Widmann, Dietrich Mader, Hermann Friedrich, Hans |
| author_role | aut aut aut |
| author_sort | Widmann, Dietrich |
| author_variant | d w dw h m hm h f hf |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV010682740 |
| classification_rvk | UX 2150 ZN 4100 ZN 4900 ZN 4950 |
| classification_tum | ELT 355f |
| ctrlnum | (OCoLC)263617559 (DE-599)BVBBV010682740 |
| discipline | Physik Elektrotechnik Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| edition | 2. Aufl. |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV010682740</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20140512</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">960318s1996 gw d||| |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">946711887</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3540593578</subfield><subfield code="c">Gb. : DM 128.00</subfield><subfield code="9">3-540-59357-8</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)263617559</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV010682740</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">DE</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-Aug4</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-M347</subfield><subfield code="a">DE-898</subfield><subfield code="a">DE-355</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-1050</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-384</subfield><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-526</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">UX 2150</subfield><subfield code="0">(DE-625)146948:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4100</subfield><subfield code="0">(DE-625)157351:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4900</subfield><subfield code="0">(DE-625)157417:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4950</subfield><subfield code="0">(DE-625)157424:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">37</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 355f</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Widmann, Dietrich</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Technologie hochintegrierter Schaltungen</subfield><subfield code="b">mit ... 29 Tabellen</subfield><subfield code="c">D. Widmann ; H. Mader ; H. Friedrich</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">2. Aufl.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Berlin [u.a.]</subfield><subfield code="b">Springer</subfield><subfield code="c">1996</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XIX, 363 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Halbleiterelektronik</subfield><subfield code="v">19</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Integrierte Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027242-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">LSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4168200-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">VLSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4117388-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Integrierte Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4027242-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">LSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4168200-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">VLSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4117388-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2="0"><subfield code="a">LSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4168200-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2="1"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="3" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="0"><subfield code="a">VLSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4117388-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2="1"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="4" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Mader, Hermann</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Friedrich, Hans</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="830" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterelektronik</subfield><subfield code="v">19</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV035415828</subfield><subfield code="9">19</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007130386&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007130386</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV010682740 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-08-17T00:57:43Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3540593578 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007130386 |
| oclc_num | 263617559 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-1046 DE-29T DE-Aug4 DE-91 DE-BY-TUM DE-M347 DE-898 DE-BY-UBR DE-355 DE-BY-UBR DE-92 DE-1050 DE-703 DE-384 DE-706 DE-526 DE-634 |
| owner_facet | DE-1046 DE-29T DE-Aug4 DE-91 DE-BY-TUM DE-M347 DE-898 DE-BY-UBR DE-355 DE-BY-UBR DE-92 DE-1050 DE-703 DE-384 DE-706 DE-526 DE-634 |
| physical | XIX, 363 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1996 |
| publishDateSearch | 1996 |
| publishDateSort | 1996 |
| publisher | Springer |
| record_format | marc |
| series | Halbleiterelektronik |
| series2 | Halbleiterelektronik |
| spelling | Widmann, Dietrich Verfasser aut Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen D. Widmann ; H. Mader ; H. Friedrich 2. Aufl. Berlin [u.a.] Springer 1996 XIX, 363 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Halbleiterelektronik 19 Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Integrierte Schaltung (DE-588)4027242-4 gnd rswk-swf LSI (DE-588)4168200-2 gnd rswk-swf VLSI (DE-588)4117388-0 gnd rswk-swf Integrierte Schaltung (DE-588)4027242-4 s DE-604 LSI (DE-588)4168200-2 s VLSI (DE-588)4117388-0 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s Mader, Hermann Verfasser aut Friedrich, Hans Verfasser aut Halbleiterelektronik 19 (DE-604)BV035415828 19 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007130386&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Widmann, Dietrich Mader, Hermann Friedrich, Hans Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen Halbleiterelektronik Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Integrierte Schaltung (DE-588)4027242-4 gnd LSI (DE-588)4168200-2 gnd VLSI (DE-588)4117388-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4158814-9 (DE-588)4027242-4 (DE-588)4168200-2 (DE-588)4117388-0 |
| title | Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen |
| title_auth | Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen |
| title_exact_search | Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen |
| title_full | Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen D. Widmann ; H. Mader ; H. Friedrich |
| title_fullStr | Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen D. Widmann ; H. Mader ; H. Friedrich |
| title_full_unstemmed | Technologie hochintegrierter Schaltungen mit ... 29 Tabellen D. Widmann ; H. Mader ; H. Friedrich |
| title_short | Technologie hochintegrierter Schaltungen |
| title_sort | technologie hochintegrierter schaltungen mit 29 tabellen |
| title_sub | mit ... 29 Tabellen |
| topic | Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Integrierte Schaltung (DE-588)4027242-4 gnd LSI (DE-588)4168200-2 gnd VLSI (DE-588)4117388-0 gnd |
| topic_facet | Halbleitertechnologie Integrierte Schaltung LSI VLSI |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007130386&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| volume_link | (DE-604)BV035415828 |
| work_keys_str_mv | AT widmanndietrich technologiehochintegrierterschaltungenmit29tabellen AT maderhermann technologiehochintegrierterschaltungenmit29tabellen AT friedrichhans technologiehochintegrierterschaltungenmit29tabellen |