Technologie hochintegrierter Schaltungen: mit ... 29 Tabellen
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin [u.a.]
Springer
1996
|
| Ausgabe: | 2. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Halbleiterelektronik
19 |
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| Beschreibung: | XIX, 363 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3540593578 |
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INHALTSVERZEICHNIS
BEZEICHNUNGEN
UND
SYMBOLE
.
XV
1
EINLEITUNG
.
1
2
GRUNDZUEGE
DER
TECHNOLOGIE
VON
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
3
LITERATUR
ZU
KAPITEL
2
.
12
3
SCHICHTTECHNIK
.
13
3.1
VERFAHREN
DER
SCHICHTERZEUGUNG
.
13
3.1.1
CVD-VERFAHREN
.
13
3.1.2
THERMISCHE
OXIDATION
.
21
3.1.3
AUFDAMPFVERFAHREN
.
28
3.1.4
SPUTTERVERFAHREN
.
30
3.1.5
SCHLEUDERBESCHICHTUNG
.
35
3.1.6
SCHICHTERZEUGUNG
MITTELS
IONENIMPLANTATION
.
36
3.1.7
SCHICHTERZEUGUNG
MITTELS
WAFER-BONDING
UND
RUECKAETZEN
.
36
3.1.8
TEMPERVERFAHREN
.
37
3.2
DIE
MONOKRISTALLINE
SILIZIUMSCHEIBE
.
40
3.2.1
GEOMETRIE
UND
KRISTALLOGRAPHIE
VON
SILIZIUMSCHEIBEN
.
40
3.2.2
DOTIERUNG
VON
SILIZIUMSCHEIBEN
.
41
3.2.3
ZONENGEZOGENES
UND
TIEGELGEZOGENES
SILIZIUM
.
42
3.3
EPITAXIESCHICHTEN
.
44
3.3.1
ANWENDUNG
VON
EPITAXIESCHICHTEN
.
44
3.3.2
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
AUS
DEM
SUBSTRAT
IN
DIE
EPITAXIESCHICHT
.
46
3.4
THERMISCHE
SIO
2
-SCHICHTEN
.
49
3.4.1
ANWENDUNG
VON
THERMISCHEN
SIO
2
-SCHICHTEN
.
49
3.4.2
DIE
LOCOS-TECHNIK
.
50
3.4.3
CHARAKTERISIERUNG
VON
DUENNEN
THERMISCHEN
SIO
2
-SCHICHTEN
.
57
3.5
ABGESCHIEDENE
SIO
2
-SCHICHTEN
.
62
3.5.1
ERZEUGUNG
VON
ABGESCHIEDENEN
SIO
2
-SCHICHTEN
.
63
3.5.2
ANWENDUNG
ABGESCHIEDENER
SIO
2
-SCHICHTEN
.
64
3.5.3
SPACERTECHNIK
.
64
3.5.4
GRABENISOLATION
.
66
X
INHALTSVERZEICHNIS
3.5.5
SIO
2
-ISOLATIONSSCHICHTEN
FUER
DIE
MEHRLAGENVERDRAHTUNG
.
67
3.6
PHOSPHORGLASSCHICHTEN
.
68
3.6.1
ERZEUGUNG
VON
PHOSPHORGLASSCHICHTEN
.
68
3.6.2
FLOW-GLAS
.
70
3.6.3
THERMISCHES
PHOSPHORGLAS
.
71
3.7
SILIZIUMNITRIDSCHICHTEN
.
71
3.7.1
ERZEUGUNG
VON
SILIZIUMNITRIDSCHICHTEN
.
71
3.7.2
NITRIDSCHICHTEN
ALS
OXIDATIONSSPERRE
.
72
3.7.3
NITRIDSCHICHTEN
ALS
KONDENSATOR-DIELEKTRIKUM
.
72
3.7.4
NITRIDSCHICHTEN
ALS
PASSIVIERUNG
.
73
3.8
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
74
3.8.1
ERZEUGUNG
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
74
3.8.2
KORNSTRUKTUR
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
75
3.8.3
LEITFAEHIGKEIT
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
76
3.8.4
ANWENDUNG
VON
POLYSILIZIUMSCHICHTEN
.
78
3.9
SILIZIDSCHICHTEN
.
82
3.9.1
ERZEUGUNG
VON
SILIZIDSCHICHTEN
.
82
3.9.2
POLYZIDSCHICHTEN
.
85
3.9.3
SILIZIERUNG
VON
SOURCE/DRAIN-BEREICHEN
.
87
3.10
REFRAKTAER-METALLSCHICHTEN
.
88
3.11
ALUMINIUMSCHICHTEN
.
89
3.11.1
ERZEUGUNG
VON
ALUMINIUMSCHICHTEN
.
90
3.11.2
KRISTALLSTRUKTUR
VON
ALUMINIUMSCHICHTEN
.
91
3.11.3
ELEKTROMIGRATION
IN
ALUMINIUMLEITERBAHNEN
.
91
3.11.4
ALUMINIUM-SILIZIUMKONTAKTE
.
93
3.11.5
ALUMINIUM-ALUMINIUM-KONTAKTE
.
95
3.12
ORGANISCHE
SCHICHTEN
.
96
3.12.1
SPIN-ON-GLASSCHICHTEN
.
96
3.12.2
POLYIMIDSCHICHTEN
.
97
3.13
LITERATUR
ZU
KAPITEL
3
.
99
4
LITHOGRAPHIE
.
101
4.1
STRUKTURGROESSE,
LAGEFEHLER
UND
DEFEKTE
.
102
4.2
PHOTOLITHOGRAPHIE
.
104
4.2.1
PHOTORESISTSCHICHTEN
.
104
4.2.2
AUSBILDUNG
VON
PHOTORESISTSTRUKTUREN
.
109
4.2.3
SCHWANKUNG
DER
LICHTINTENSITAET
IM
PHOTORESIST
.
112
4.2.4
SPEZIELLE
PHOTORESISTTECHNIKEN
.
117
4.2.5
OPTISCHE
BELICHTUNGSVERFAHREN
.
123
4.2.6
AUFLOESUNGSVERMOEGEN
DER
LICHTOPTISCHEN
BELICHTUNGSGERAETE
.
127
4.2.7
JUSTIERGENAUIGKEIT
VON
LICHTOPTISCHEN
BELICHTUNGSGERAETEN
.
138
4.2.8
DEFEKTE
BEI
DER
LICHTOPTISCHEN
LITHOGRAPHIE
.
141
INHALTSVERZEICHNIS
XI
4.3
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
143
4.3.1
WELLENLAENGENBEREICH
FUER
DIE
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
144
4.3.2
ROENTGENRESISTS
.
145
4.3.3
ROENTGENQUELLEN
.
146
4.3.4
ROENTGENMASKEN
.
151
4.3.5
JUSTIERVERFAHREN
DER
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
153
4.3.6
STRAHLENSCHAEDEN
BEI
DER
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
153
4.3.7
CHANCEN
DER
ROENTGENLITHOGRAPHIE
.
154
4.4
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
154
4.4.1
ELEKTRONENRESISTS
.
155
4.4.2
AUFLOESUNGSVERMOEGEN
DER
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
156
4.4.3
ELEKTRONENSTRAHLSCHREIBGERAETE
.
158
4.4.4
ELEKTRONENPROJEKTIONSGERAETE
.
163
4.4.5
JUSTIERVERFAHREN
DER
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
164
4.4.6
STRAHLENSCHAEDEN
BEI
DER
ELEKTRONENLITHOGRAPHIE
.
164
4.5
LONENLITHOGRAPHIE
.
166
4.5.1
LONENRESISTS
.
168
4.5.2
LONENSTRAHLSCHREIBEN
.
169
4.5.3
LONENSTRAHLPROJEKTION
.
170
4.5.4
AUFLOESUNGSVERMOEGEN
DER
LONENLITHOGRAPHIE
.
173
4.6
STRUKTURERZEUGUNG
OHNE
LITHOGRAPHIE
.
178
4.7
LITERATUR
ZU
KAPITEL
4
.
178
5
AETZTECHNIK
.
181
5.1
NASSAETZEN
.
182
5.1.1
NASSCHEMISCHES
AETZEN
.
183
5.1.2
CHEMISCH-MECHANISCHES
POLIEREN
.
183
5.2
TROCKENAETZEN
.
186
5.2.1
PHYSIKALISCHES
TROCKENAETZEN
.
186
5.2.2
CHEMISCHES
TROCKENAETZEN
.
188
5.2.3
CHEMISCH-PHYSIKALISCHES
TROCKENAETZEN
.
190
5.2.4
CHEMISCHE
AETZREAKTIONEN
.
200
5.2.5
AETZGASE
.
201
5.2.6
PROZESSOPTIMIERUNG
.
203
5.2.7
ENDPUNKTERKENNUNG
.
206
5.3
TROCKENAETZPROZESSE
.
210
5.3.1
TROCKENAETZEN
VON
SILIZIUMNITRID
.
210
5.3.2
TROCKENAETZEN
VON
POLYSILIZIUM
.
211
5.3.3
TROCKENAETZEN
VON
MONOKRISTALLINEM
SILIZIUM
.
213
5.3.4
TOCKENAETZEN
VON
METALLSILIZIDEN
UND
REFRAKTAER-METALLEN
.
214
5.3.5
TROCKENAETZEN
VON
SILIZIUMDIOXID
.
215
5.3.6
TROCKENAETZEN
VON
ALUMINIUM
.
217
5.3.7
TROCKENAETZEN
VON
POLYMEREN
.
219
5.4
LITERATUR
ZU
KAPITEL
5
.
220
XII
INHALTSVERZEICHNIS
6
DOTIERTECHNIK
.
223
6.1
THERMISCHE
DOTIERUNG
.
224
6.2
DOTIERUNG
MITTELS
IONENIMPLANTATION
.
225
6.2.1
LONENIMPLANTATIONSANLAGEN
.
226
6.2.2
IMPLANTIERTE
DOTIERPROFILE
.
228
6.3
AKTIVIERUNG
UND
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
.
236
6.3.1
AKTIVIERUNG
IMPLANTIERTER
DOTIERATOME
.
236
6.3.2
INTRINSISCHE
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
.
237
6.3.3
DIFFUSION
BEI
HOHEN
DOTIERATOMKONZENTRATIONEN
.
240
6.3.4
OXIDATIONSBESCHLEUNIGTE
DIFFUSION
.
241
6.3.5
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
AN
GRENZFLAECHEN
.
242
6.3.6
DIFFUSION
VON
DOTIERATOMEN
IN
SCHICHTEN
.
244
6.3.7
SCHICHTWIDERSTAND
VON
DOTIERTEN
SCHICHTEN
.
246
6.3.8
DIFFUSION
AM
RAND
VON
DOTIERTEN
BEREICHEN
.
248
6.4
DIFFUSION
VON
NICHTDOTIERENDEN
STOFFEN
.
249
6.5
LITERATUR
ZU
KAPITEL
6
.
252
7
REINIGUNGSTECHNIK
.
253
7.1
VERUNREINIGUNGEN
UND
IHRE
AUSWIRKUNGEN
.
253
7.2
REINE
RAEUME,
MATERIALIEN
UND
PROZESSE
.
257
7.2.1
REINRAEUME
.
257
7.2.2
REINE
MATERIALIEN
.
260
7.2.3
SAUBERE
PROZESSFUEHRUNG
.
263
7.3
SCHEIBENREINIGUNG
.
263
7.4
LITERATUR
ZU
KAPITEL
7
.
267
8
PROZESSINTEGRATION
.
269
8.1
DIE
VERSCHIEDENEN
MOS
UND
BIPOLAR-TECHNOLOGIEN
.
269
8.1.1
DIE
AKTIVEN
BAUELEMENTE
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
269
8.1.2
SYSTEMATIK
DER
MOS
UND
BIPOLAR-TECHNOLOGIEN
.
269
8.1.3
DIE
PASSIVEN
BAUELEMENTE
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
271
8.2
ARCHITEKTUR
DER
GESAMTPROZESSE
.
271
8.2.1
ARCHITEKTUR
DER
MOS-TECHNOLOGIEN
.
271
8.2.2
ARCHITEKTUR
DER
BIPOLAR
UND
BICMOS-TECHNOLOGIEN
.
274
8.3
TRANSISTOREN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
275
8.3.1
AUFBAU
DER
MOS-TRANSISTOREN
UND
IHRER
ISOLATION
.
275
8.3.2
AUFBAU
DER
DMOS-TRANSISTOREN
.
283
8.3.3
AUFBAU
DER
BIPOLAR-TRANSISTOREN
UND
IHRER
ISOLATION
.
285
8.4
SPEICHERZELLEN
.
288
8.4.1
AUFBAU
VON
STATISCHEN
SPEICHERZELLEN
.
288
8.4.2
AUFBAU
VON
DYNAMISCHEN
SPEICHERZELLEN
.
290
8.4.3
AUFBAU
VON
NICHTFLUECHTIGEN
SPEICHERZELLEN
.
293
INHALTSVERZEICHNIS
XIII
8.5
MEHRLAGENMETALLISIERUNG
.
297
8.5.1
EINEBNUNG
VON
OBERFLAECHEN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
298
8.5.2
KONTAKTE
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
303
8.5.3
LEITERBAHNEN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
306
8.5.4
PASSIVIERUNG
VON
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
.
307
8.6
DETAILLIERTE
PROZESSFOLGE
AUSGEWAEHLTER
GESAMTPROZESSE
.
308
8.6.1
0,4
PM-DIGITAL-CMOS-PROZESS
.
308
8.6.2
0,7
PM-BICMOS-PROZESS
.
319
8.6.3
HOECHSTFREQUENZ-BIPOLAR-PROZESS
.
319
8.6.4
0,25
PM-DRAM-PROZESS
.
319
8.7
LITERATUR
ZU
KAPITEL
8
.
348
SACHVERZEICHNIS
.
351 |
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