Entwicklung und Optimierung eines integriert-optischen Schaltmoduls in Silizium:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1995
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INHALTSVERZEICHNIS
1
INTEGRIERTE
OPTIK
IN
SILIZIUM
5
2
MATERIALEIGENSCHAFTEN
12
2.1
SILIZIUM
UND
GERMANIUM
.
12
2.2
SIGE-LEGIERUNGEN
UND
HETEROEPITAXIE
.
14
2.3
SOI-MATERIAL
.
16
3
SCHALTMOEGLICHKEITEN
19
3.1
LADUNGSTRAEGERINJEKTIONSEFFEKT
.
19
3.1.1
EINFLUSS
VON
SIGE-LEGIERUNGEN
.
29
3.2
THERMOOPTISCHER
EFFEKT
.
32
3.3
ELEKTROOPTISCHE
EFFEKTE
.
38
4
WELLENLEITERKONZEPTE
IN
SILIZIUM
41
4.1
WELLENFUEHRUNG
IN
SIGE-LEGIERUNG
.
41
4.1.1
GE-DIFFUNDIERTER
WELLENLEITER
.
41
4.1.2
SIGE-EPI-WELLENLEITER
.
43
4.1.3
WELLENLEITER
MIT
VERGRABENER
SIGE-SCHICHT
.
46
4.2
WELLENFUEHRUNG
IN
SILIZIUM
.
47
4.2.1
SOI-RIPPENWELLENLEITER
.
47
2
INHALTSVERZEICHNIS
4.2.2
SI-EPI-WELLENLEITER
.
48
S
MESSTECHNIK
50
6
INJEKTIONSSCHALTER
54
6.1
GE-DIFFUNDIERTE
WELLENLEITER
MIT
LATERALER
PIN-DIODE
.
54
6.1.1
SCHALTERANORDNUNG
.
54
6.1.2
HERSTELLUNG
.
56
6.1.3
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
UND
SIMULATION
MIT
PISCES
2B
.
.
.
60
6.1.4
OPTISCHE
MESSUNGEN
.
68
6.2
GE-DIFFUNDIERTER
WELLENLEITER
MIT
VERTIKALER
PIN-DIODE
.
75
6.2.1
THEORIE
.
75
6.2.2
HERSTELLUNG
.
77
6.2.3
WELLENLEITERDAEMPFUNG
.
78
6.2.4
HALBLEITERTECHNISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
.
.
.
.
81
6.2.5
SIMULATION
MIT
PISCES
2B
.
87
6.2.6
MACH-ZEHNDER-INTERFEROMETER
(MZI)
-SCHALTER
.
89
6.2.7
RICHTKOPPLER-SCHALTER
(BOA)
.
92
6.3
SCHALTER
MIT
SIGE-DOPPELHETEROSTRUKTUR
.
95
6.3.1
THEORIE
.
95
6.3.2
OPTIMIERUNG
DER
DOPPELHETEROSTRUKTUR
.
95
6.3.3
SCHALTERHERSTELLUNG
.
100
6.3.4
SCHALTERCHARAKTERISIERUNG
UND
AUSWERTUNG
.
102
6.4
INJEKTIONSSCHALTER
IN
SOI-MATERIAL
.
107
6.4.1
ENTWURF
UND
DESIGN
.
107
INHALTSVERZEICHNIS
3
6.4.2
CHARAKTERISIERUNG
DES
GRUNDMATERIALS
.
108
6.4.3
DEVICE-CHARAKTERISIERUNG
(WAFER
1)
.
112
6.5
INJEKTIONSSCHALTER:
ZUSAMMENFASSUNG
UND
OPTIMIERUNG
.
114
7
THERMOOPTISCHE
SCHALTER
117
7.1
THERMISCHER
SCHALTER
MIT
GE-DIFFUNDIERTEM
WELLENLEITER
.
120
7.1.1
HERSTELLUNG
.
120
7.1.2
CHARAKTERISIERUNG
DES
SCHALTVERHALTENS
.
121
7.2
THERMOOPTISCHER
SCHALTER
AUF
SOI
.
122
7.2.1
ABSCHAETZUNG
DER
SCHALTLEISTUNG
UND
-FREQUENZ
.
122
7.2.2
HERSTELLUNG
.125
7.2.3
SCHALTERCHARAKTERISIERUNG
.
126
7.3
OPTIMIERTER
THERMOOPTISCHER
MZI-SCHALTER
AUF
SOI
.
129
7.3.1
HERSTELLUNG
.
129
7.3.2
CHARAKTERISIERUNG
DES
SCHALTVERHALTENS
.
132
7.4
OPTIMIERTER
THERMOOPTISCHER
LX2-SCHALTER
AUF
SOI
.
134
7.4.1
SCHALTMATRIZEN
.134
7.4.2
SCHALTERDESIGN
.
138
7.4.3
MESSERGEBNISSE
.
141
8
ZUSAMMENFASSUNG
144
A
TECHNOLOGIE
146
B
DAEMPFUNG
UND
EIN-AUS-VERHAELTNIS
BEI
MZI-SCHALTERN
149
C
AUSWERTUNG
DER
SCHALTFLANKENMESSUNGEN
151
4
INHALTSVERZEICHNIS
C.L
BESTIMMUNG
DES
LADUNGSTRAEGERINJEKTIONSEFFEKTS
.
151
C.2
BESTIMMUNG
DER
LADUNGSTRAEGERLEBENSDAUER
.153
C.3
BESTIMMUNG
DER
GRENZFREQUENZ
AUS
SCHALTFLANKENMESSUNGEN
.153
D
FORMELZEICHEN
LITERATURVERZEICHNIS
156
163 |
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