Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1996
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
221 |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | VI, 118 S. Ill., graph. Darst. |
| ISBN: | 3183221098 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV010651995 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20170505 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 960308s1996 ad|| ma|| 00||| gerod | ||
| 016 | 7 | |a 947111239 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 3183221098 |9 3-18-322109-8 | ||
| 035 | |a (OCoLC)75679305 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV010651995 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-210 |a DE-634 |a DE-83 | ||
| 084 | |a ELT 334d |2 stub | ||
| 100 | 1 | |a Bartels, Arne |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger |c Arne Bartels |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Düsseldorf |b VDI-Verl. |c 1996 | |
| 300 | |a VI, 118 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |v 221 | |
| 502 | |a Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1995 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Optoelektronisches Bauelement |0 (DE-588)4043689-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Optoelektronisches Bauelement |0 (DE-588)4043689-5 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Optoelektronisches Bauelement |0 (DE-588)4043689-5 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a Halbleitersubstrat |0 (DE-588)4158813-7 |D s |
| 689 | 1 | 3 | |a Drei-Fünf-Halbleiter |0 (DE-588)4150649-2 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 810 | 2 | |a 9] |t Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI |v 221 |w (DE-604)BV047505631 |9 221 | |
| 856 | 4 | 2 | |m HBZ Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007109110&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007109110 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804125129712599040 |
|---|---|
| adam_text | Titel: Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger
Autor: Bartels, Arne
Jahr: 1996
INHALTSVERZEICHNIS V Inhalt s Verzeichnis 1 Einleitung 1 2 III-V-Halbleiterschichten auf Si-Substrat 5 2.1 Kristallstruktur und Antiphasengrenzen .................... 6 2.2 Gitterkonstante und Versetzungen........................ 8 2.3 Thermischer Ausdehnungskoeffizient und Gitterspannungen.......... 11 2.4 Dotierung..................................... 12 3 MSM-Photodetektor 14 3.1 Grundlagen.................................... 14 3.1.1 Funktionsprinzip............................. 14 3.1.2 Kenngrößen................................ 15 3.2 Kristallwachstum................................. 18 3.3 Materialcharakterisierung ............................ 19 3.3.1 Elektrochemischer CU-Profiler...................... 19 3.3.2 Röntgendiffraktometrie....... 21 3.4 Bauelementeigenschaften............................. 24 3.4.1 Aufbau................................... 24 3.4.2 Strom-Spannungscharakteristik..................... 25 3.4.3 Kapazitäts-Spannungscharakteristik................... 27 3.4.4 Empfindlichkeitsmessungen ....................... 28 3.4.5 Impulsmessungen............... 34 4 Dotierstoffverteilung 39 4.1 Gasphasentransfer von Si ............. 39 4.2 Festkörperdiffusion von Si ............................ 43
VI INHALTSVERZEICHNIS 5 Versetzungen und Transporteigenschaften 48 5.1 Theoretische Modelle............................... 49 5.2 Differentielle van-der-Pauw-Technik....................... 52 5.3 Transportmessungen auf leitendem Substrat.................. 53 5.3.1 Petritzmodell............................... 54 5.3.2 Stromfluß über den InP/Si-Heteroübergang............... 55 5.3.3 van-der-Pauw-Messungen...... 58 5.4 Experimenteller Aufbau.....................—....... 64 5.4.1 Probenpräparation............................ 64 5.4.2 Schichtabtrag................................. . 65 5.4.3 Automatisierter van-der-Pauw-Meßplatz................ 68 5.5 Simulation der Meßdaten............................. 73 6 Verspannungen 81 6.1 Thermische Verspannung von III-V/Si-Halbleitern............... 81 6.2 Bandstruktur von biaxial verspannten Halbleitern............... 84 6.3 Transmissionsspektroskopie ........................... 86 6.4 Photolumineszenzspektroskopie......................... 91 7 Zusammenfassung 98 Symbolverzeichnis 100 Literaturverzeichnis 105
|
| any_adam_object | 1 |
| author | Bartels, Arne |
| author_facet | Bartels, Arne |
| author_role | aut |
| author_sort | Bartels, Arne |
| author_variant | a b ab |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV010651995 |
| classification_tum | ELT 334d |
| ctrlnum | (OCoLC)75679305 (DE-599)BVBBV010651995 |
| discipline | Elektrotechnik |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02159nam a2200505 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV010651995</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20170505 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">960308s1996 ad|| ma|| 00||| gerod</controlfield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">947111239</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3183221098</subfield><subfield code="9">3-18-322109-8</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)75679305</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV010651995</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-210</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 334d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Bartels, Arne</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger</subfield><subfield code="c">Arne Bartels</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI-Verl.</subfield><subfield code="c">1996</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VI, 118 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]</subfield><subfield code="v">221</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1995</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Optoelektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4043689-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Optoelektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4043689-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Optoelektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4043689-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Halbleitersubstrat</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158813-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Drei-Fünf-Halbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150649-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">9]</subfield><subfield code="t">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI</subfield><subfield code="v">221</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">221</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">HBZ Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007109110&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007109110</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV010651995 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:56:39Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3183221098 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-007109110 |
| oclc_num | 75679305 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-210 DE-634 DE-83 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-210 DE-634 DE-83 |
| physical | VI, 118 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1996 |
| publishDateSearch | 1996 |
| publishDateSort | 1996 |
| publisher | VDI-Verl. |
| record_format | marc |
| series2 | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |
| spelling | Bartels, Arne Verfasser aut Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger Arne Bartels Als Ms. gedr. Düsseldorf VDI-Verl. 1996 VI, 118 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 221 Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 1995 Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd rswk-swf Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd rswk-swf Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 s DE-604 Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 s 9] Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI 221 (DE-604)BV047505631 221 HBZ Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007109110&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Bartels, Arne Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4043689-5 (DE-588)4158813-7 (DE-588)4150649-2 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger |
| title_auth | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger |
| title_exact_search | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger |
| title_full | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger Arne Bartels |
| title_fullStr | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger Arne Bartels |
| title_full_unstemmed | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger Arne Bartels |
| title_short | Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger |
| title_sort | optimierung von iii v halbleitern auf si fur einen optoelektronischen empfanger |
| topic | Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd Halbleitersubstrat (DE-588)4158813-7 gnd Drei-Fünf-Halbleiter (DE-588)4150649-2 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Optoelektronisches Bauelement Halbleitersubstrat Drei-Fünf-Halbleiter Silicium Hochschulschrift |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=007109110&sequence=000002&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| volume_link | (DE-604)BV047505631 |
| work_keys_str_mv | AT bartelsarne optimierungvoniiivhalbleiternaufsifureinenoptoelektronischenempfanger |