Degradation von MOS-Bauelementen durch optische Generation von Ladungsträgern:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
HMI
1995
|
| Schriftenreihe: | Hahn-Meitner-Institut <Berlin>: Berichte des Hahn-Meitner-Instituts
530 |
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INHALT
S
VERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
3
2
MOS-SYSTEM
5
2.1
MOS-VARAKTOR
.
5
2.1.1
FUNKTIONSPRINZIP
.
5
2.1.2
EINFLUSS
VON
DEFEKTEN
.
8
2.1.3
HERSTELLUNG
.
9
2.2
MOS-TRANSISTOR
.
10
2.2.1
FUNKTIONSPRINZIP
.
10
2.2.2
HERSTELLUNG
.
10
3
GENERATION
UND
TRANSPORT
VON
LADUNGSTRAEGERN
IM
SIUE2
13
3.1
ABSORPTION
VON
PHOTONEN
.
13
3.2
LADUNGSTRAEGERTRENNUNG
.
14
3.3
TRANSPORT
DER
LADUNGSTRAEGER
.
16
3.4
PULSMESSUNGEN
.
20
4
EXPERIMENT
23
4.1
CHARAKTERISIERUNG
.
23
4.1.1
KAPAZITAETSMESSUNGEN
.
23
4.1.2
TIEFTEMPERATUR-C(V)-MESSUNGEN
.
27
4.1.3
TRANSFERKENNLINIE
.
28
4.1.4
CHARGE-PUMPING
.
31
4.1.5
DYNAMISCHE
CHARAKTERISIERUNG
.
34
4.1.6
PHOTOINJEKTION
.
36
4.2
MESSPLATZ
.
38
4.2.1
BESTRAHLUNGSQUELLEN
.
38
4.2.2
REZIPIENT
.
39
5
DEFEKTGENERATION
IM
SIOJ
41
5.1
OXIDLADUNG
.
41
5.1.1
AUFBAU
DURCH
IONISIERENDE
BESTRAHLUNG
.
41
5.1.1.1
VUV-BESTRAHLUNG
.
42
5.1.1.2
^CO-BESTRAHLUNG
.
44
5.1.1.3
BESTRAHLUNG
BEI
TIEFEN
TEMPERATUREN
.
46
5.1.2'
ABBAU
DER
OXIDLADUNG
.
50
5.1.2.1
TUNNELMODELL
.
50
2
INHALTSVERZEICHNIS
5.1.2.2
BELADUNG
DER
LOECHERTRAPS
.
55
5.1.2.3
EXPERIMENT
.
56
5.1.2.4
SIMULATION
DES
LADUNGSABBAUS
.
58
5.1.2.5
SIMULATION
DES
LADUNGSAUFBAUS
.
62
5.1.2.6
BEURTEILUNG
DES
MODELLS
.
62
5.2
GRENZFLAECHENZUSTAENDE
.
64
5.2.1
GENERATION
DURCH
VUV
UND
^CO-BESTRAHLUNG
.
64
5.2.2
SPEKTRALE
VERTEILUNG
.
71
5.2.3
VUV-TRANSISTORMESSUNGEN
.
74
5.2.4
EINFLUSS
VON
WASSERSTOFF
.
79
6
NICHTELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
84
6.1
INFRAROTSPEKTROSKOPIE
.
84
6.2
NRA-UNTERSUCHUNGEN
.
89
7
MODELL
DER
DEGRADATION
DES
SI/SIO2-SYSTEMS
95
7.1
STRUKTUR
DES
SIC 2
.
95
7.2
UEBERSICHT
UEBER
BESTEHENDE
MODELLE
.
96
7.2.1
OXIDLADUNGEN
.
96
7.2.2
GRENZFLAECHENZUSTAENDE
.
97
7.2.2.1
WASSERSTOFFMODELLE
.
97
7.2.2.2
LOECHERMODELLE
.
98
7.3
LOECHEREINFANG
IN
TIEFE
STOERSTELLEN
.
99
7.4
GENERATION
VON
GRENZFLAECHENZUSTAENDEN
.
100
8
ZUSAMMENFASSUNG
102
LITERATURVERZEICHNIS
104
ANHANG
115
A.L
SIMULATION
DES
OXIDLADUNGSABBAUS
.
115
A.2
DYNAMISCHE
TRANSISTORCHARAKTERISIERUNG
.
117
LISTE
DER
VERWENDETEN
SYMBOLE
120
DANKSAGUNG
124 |
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