Halbleiter-Heteroübergänge: II - VI-Schichtgitterchalkogenid- und CdS-CuInSe 2 -Grenzflächen: Beiträge von strukturellen Dipolen und elektronischen Grenzflächendipolen zur Bandanpassung
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Löher, Thomas (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1995
Schlagworte:
Beschreibung:142 S. Ill., graph. Darst.

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