Herstellung und Charakterisierung heteroepitaktischer Diamantschichten auf Silizium:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1996
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Physik
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| Beschreibung: | Zugl.: Augsburg, Univ., Diss., 1995 |
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I
NHALTSVERZEICHNIS
I
1
EINLEITUNG
1
2
THEORETISCHE
UND
EXPERIMENTELLE
GRUNDLAGEN
5
2.1
TEXTURAUSBILDUNG
IN
POLYKRISTALLINEN SCHICHTEN
6
2.1.1
A-PARAMETER
UND
IDIOMOIPHE
KRISTALLFORM
5
2.1.2
DER
VAN
DER
DRIFT-MECHANISMUS
6
2.1.3
DIAMANTSTRUKTUR
UND
VERZWILLINGUNG
7
2.1.4
TEXTURBESTIMMUNG
MITTELS
ROENTGENBEUGUNG
9
2.2
RAMANSPEKTROSKOPIE
11
2.2
1
RAMANTENSOREN
UND
AUSWAHLREGELN
13
2.2.2
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
14
2.3
ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG
DUENNER
SCHICHTEN
17
2.3.1
POOLE-FRENKEL-EFFEKT
17
2.3.2
RAUMLADUNGSBEGRENZTER
STROM
20
2.3.3
VERSUCHSAUFBAU
21
3
HERSTELLUNG
DER
DIAMANTSCHICHTEN
25
3.1
DIE
MIKROWELLEN-CVD-ANLAGE
26
3.2
SCHLCHTHERSTELLUNG
27
3.2.1
SUBSTRATE
27
3.2.2
BEKEIMUNG
28
3.2.3
WACHSTUM
32
3.3
BESTIMMUNG DES
A-PARAMETERS
32
4
STRUKTURUNTERSUCHUNGEN
AN
DEN
DIAMANTSCHICHTEN
35
4.1
HETEROEPITAXIE
AUF
SILIZIUM
35
4.1.1
ABSCHEIDUNG
AUF
(001)-ORIENTLERTEM
SILIZIUM
35
4.1.2
ABSCHEIDUNG
AUF
(111 -ORIENTIERTEM
SILIZIUM
38
4.2
TEXTURIERTES
WACHSTUM 40
4.2.1
UNTERDRUECKUNG
VON
ZWILLINGEN
42
4.2.2
VERSCHMAELERUNG
DER
POLDICHTEMAXIMA
-
VERKIPPUNG
UND
VERDREHUNG
45
4.2
3
ZWEIDIMENSIONALE
SIMULATION
ZUR
TEXTURENTWICKLUNG
54
4.2.4
UNTERSUCHUNG
DER
VERZWILLINGTEN
BEREICHE
MITTELS
TEM,
REM
UND
RAMAN
61
4.3
DISKUSSION
67
5
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
DER
SCHICHTEN
73
6.1
OBERFLAECHEN
UND
VOLUMENLEITFAEHIGKEIT
74
6.2
DURCHSCHLAGSFESTIGKEIT
76
6.3
LEITUNGSMECHANISMUS
BEI
HOHEN FELDERN
6.4
DISKUSSION
6
ZUSAMMENFASSUNG
II
I
NHALTSVERZEICHNIS
7
ANHANG
91
7.1
MATERIALPARAMETER
91
7.2
BESTIMMUNG
DER
SCHICHTDICKE
92
7.3
FORMELN
UND
PLOTS
ZUM
A-PARAMETER
7.4
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
8
LITERATURVERZEICHNIS
97
8
8 |
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