Tandem-Photolithographie-Verfahren:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1995
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
214 |
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| adam_text | Titel: Tandem-Photolithographie-Verfahren
Autor: Sachse, Hermann
Jahr: 1995
Inhaltsverzeichnis 1 Abstract ......................................1 2 Einleitung.....................................3 3 Möglichkeiten zur Strukturierung nach dem Tandem-Verfahren......6 3.1 Das Tandem-Verfahren mit der Doppel-Maske “D-M 1”......... 12 4 Die Doppel-Photomaske ........................... 16 4.1 Filtermaterial-Eigenschaften......................... 18 4.1.1 Das Metall Niob................................ 18 4.1.1.1 Nb 2 C 5 als Halbleiter............................. 20 4.1.2 Quarzglas.................................... 27 4.2 Anodische Oxidation von Niob ....................... 29 4.2.1 Elektrochemische Grundlagen, Faraday-Gesetze.............. 29 4.2.2 Bildung der Passivschicht........................... 31 4.2.3 Der Einfluß des Elektrolyten auf die Passivierung............. 33 4.2.4 Potentiostatische Messungen......................... 43 4.2.5 Festlegung der Anodisierungsparameter................... 49 4.2.5.1 Der Elektrolyt................................. 49 4.2.5.2 Die eingeprägte Stromdichte......................... 50 4.2.5.3 Die Zellspannung............................... 51 4.2.5.4 Art der Stromzuführung............................ 55 4.3 Herstellung der Doppel-Masken 56 5 Photolithographie ................. 64 5.1 Grondlagen ................................... 64 5.2 Charakteristische Photolack-Parameter................... 69 5.3 Standard-1-Lagen-Photolithographie-Verfahren .............. 78 5.4 Verfahren zur Erhöhung der Auflösung eines Photolithographie- Prozesses .....................................90 5.4.1 Der DESIRE Prozeß ............................. 90 5.4.2 Auflösungssteigerong durch Kontrasterhöhung (engl. CEL, Contrast Enhanced Lithography . ............................90 5.4.3 Der PCM (Portable Conformable Mask)- Prozeß ............. 91 5.5 Das neue 2-Lagen-Photolithographie-Verfahren (Tandem-Verfahren) . . 95 5.5.1 Der Novolak-Resist “KTI 809”
.......................101 5.5.2 Der Elektronenstrahl-Resist “PMMA” ...................107 5.5.3 Die KrCl*-Excimer-Lampe..........................110 5.5.4 Erprobung des Tandem-Verfahrens anhand einer Dehnungsmeßstreifen-Teststruktur......................113 V
6 Zusammenfassung . . ,............................11 7 Anhang.....................................121 8 Literaturverzeichnis..............................12 Glossar..........................................13 VI
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