InGaAs-Photodetektoren für die Integration mit wellenleitenden Polymersubstraten:
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| Published: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1995
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| adam_text | Titel: InGaAs-Photodetektoren für die Integration mit wellenleitenden Polymersubstraten
Autor: Klockenbrink, Ralf
Jahr: 1995
V Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung 1 2. Polymerkomponenten für optische Netzwerke 4 2.1. Justierkonzept............................................ 4 2.2. Detektorkonzept .......................................... 6 2.2.1. Anforderungen an einen Detektor ......................... 7 2.2.2. Detektorkonzepte .................................... 8 2.2.3. Frequenzverhalten .................................... 11 2.2.4. Quantenwirkungsgrad.................................. 13 2.2.5. Rauschen .......................................... 14 2.2.6. Konzeptauswahl...................................... 15 3. Anisotropes Ätzen von Justierstrukturen in InP 16 3.1. Anforderungen an Justierstrukturen ............................. 16 3.1.1. Justier-V-Nut........................................ 16 3.1.2. Sollbruchnut ........................................ 17 3.2. Auswahl der Ätzlösung ..................................... 18 3.3. Prozeßsimulation von Ätzvorgängen............................. 20 3.3.1. Modell zur Konstruktion von Nutprofilen .................... 21 3.3.2. Technologie der Ätzexperimente .......................... 23 3.3.3. Maskenmaterial Titan.................................. 24 3.3.4. Maskenmaterial 1^53080^8............................. 33 4. MSM-Photodetektoren 38 4.1. Barrierenerhöhende Schichten................................. 38 4.2. Technologische Realisierung.................................. 47 4.3. Charakterisierung der Detektoren............................... 49 4.3.1. Strom-Spannungs-Charakteristik........................... 49 4.3.2. Kapazität-Spannungs-Charakteristik ........................ 51 4.3.3. Frequenzverhalten .................................... 52 4.3.4. Empfindlichkeit...................................... 61 4.3.5. Temperaturstabilität ................................... 65 4.4. Literaturvergleich ......................................... 68 5. Laterale Diffusionsdioden 70 5.1.
Technologie der Diffusionsexperimente .......................... 70 5.2. Ganzflächige Diffusion...................................... 72
vi Inhaltsverzeichnis 5.3. Flächenselektive Diffusion ................................... 76 5.4. Realisierung in Interdigitalstruktur.............................. 80 5.5. Charakterisierung.......................................... 81 6. Vergleich der realisierten Detektorkonzepte 87 6.1. Technologie ............................................. 87 6.2. Detektorkenngrößen........................................ 88 7. Integrierte Photodetektoren 92 7.1. Herstellung des Detektorchips................................. 92 7.2. Integration ins Polymersubstrat ................................ 96 8. Zusammenfassung 99 9. Literatur 102
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