Entwurf, Simulation und Modellierung anwendungsspezifischer CMOS-Strukturen:
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| Format: | Buch |
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1994
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IV
INHALT
BIBLIOGRAFISCHE
BESCHREIBUNG
1
VORWORT
I
INHALT
IV
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
IX
UEBERSICHTENVERZEICHNIS
XI
BEISPIELVERZEICHNIS
XII
DATENSATZVERZEICHNIS
XIII
SYMBOLVERZEICHNIS
XIV
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS
XVII
1
EINFUEHRUNG
1
1.1
ENTWICKLUNGSTENDENZEN
INTEGRIERTER
SCHALTUNGEN
.
1
1.2
CAD
UND
SIMULATIONSSYSTEME
.
4
1.3
ENTWICKLUNGSSTAND
UND
ENTWICKLUNGSTENDENZEN
.
8
1.4
UEBERBLICK
UEBER
DIE
GLIEDERUNG
.
10
2
PROZESSSIMULATION
13
2.1
UEBERBLICK
UND
EINORDNUNG
DER
PROZESSSIMULATION
.
13
2.2
STRUKTURIERUNGSPROZESSE
.
15
2.2.1
UEBERBLICK
UEBER
STRUKTURIERUNGSPROZESSE
.
15
2.2.2
FOTOLITHOGRAPHIE
.
16
2.2.3
SCHICHTABSCHEIDEN
.
19
2.2.4
SCHICHTABTRAGEN
.
22
2.2.5
SCHICHTUMFORMEN,
SCHICHTUMWANDELN
.
24
2.2.5.1
BERBLICK
BER
AKTUELLE
VERFAHREN
.
24
2.2.5.2
OXIDATION
.
24
INHALT
V
2.2.5.3
EPITAXIE
.
27
2.2.5.4
SILIZIERUNG
.
28
2.2.5.5
SCHICHTVERFLIESSEN,
SCHICHTSCHRUMPFEN
.
28
2.2.6
STRUKTURAENDERUNGEN
.
30
2.3
DOTANDENEINBRINGUNG
.
31
2.4
DOTANDENUMVERTEILUNG
.
34
2.5
AUSWERTUNG
DER
PROZESSSIMULATIONSERGEBNISSE
.
40
2.6
ZUSAMMENFASSUNG
ZUR
PROZESSSIMULATION
.
41
3
BAUELEMENTESIMULATION
43
3.1
UEBERBLICK
UND
EINORDNUNG
DER
BAUELEMENTESIMULATION
.
43
3.2
STRUKTUR
UND
DOTIERUNGSPROFILGENERIERUNG
.
44
3.2.1
AUSGANGSPUNKT
DER
BAUELEMENTESIMULATION
.
44
3.2.2
IMPORT
VON
STRUKTUR
UND
DOTIERUNGSPROFILDATEN
.
44
3.2.3
ANALYTISCHE
STRUKTUR
UND
DOTIERUNGSPROFILGENERIERUNG
.
45
3.2.3.1
STRUKTURGENERIERUNG
.
45
3.2.3.2
DOTIERUNGSPROFILGENERIERUNG
.
46
3.2.3.3
STRUKTUR
UND
DOTIERUNGSPROFILWANDLUNGEN
.
47
3.2.4
MODIFIZIERUNG
VON
STRUKTUREN
UND
DOTIERUNGSPROFILEN
.
47
3.3
PHYSIKALISCH-ELEKTRONISCHE
ZUSAMMENHAENGE
.
48
3.3.1
MAKROSKOPISCHE
HALBLEITERGLEICHUNGEN
.
48
3.3.2
ERWEITERUNGEN
ZU
DEN
HALBLEITERGLEICHUNGEN
.
51
3.3.3
MODELLIERUNG
DES
LEITBAHNKOMPLEXES
.
54
3.3.4
MODELLUMFANG
DER
BAUELEMENTESIMULATION
.
56
3.4
BESTIMMUNG
DES
KLEMMENVERHALTENS
.
57
3.4.1
BERECHNUNG
EINES
ARBEITSPUNKTES
.
57
3.4.2
KENNLINIENBERECHNUNG,
ZEITVERHALTEN
.
57
3.4.3
SIMULATION
KOMPLEXER
BAUELEMENTESTRUKTUREN
.
60
3.5
AUSWERTUNG
DER
BAUELEMENTESIMULATIONSERGEBNISSE
.
62
3.5.1
INNERELEKTRONISCHE
GROESSEN
.
62
3.5.2
KONTAKTSTROEME
.
63
VI
INHALT
3.5.3
INTEGRALE
GROESSEN
.
64
3.6
ZUSAMMENFASSUNG
ZUR
BAUELEMENTESIMULATION
.
65
4
DURCHGAENGIGE
SIMULATIONSKONZEPTE
67
4.1
UEBERBLICK
UND
EINORDNUNG
.
67
4.2
STRUKTURELLE
KONZEPTE
.
68
4.3
ZEITLICHE
KONZEPTE
.
72
4.4
SCHNITTSTELLENKONZEPTE
.
75
4.5
DATENHALTUNG
.
77
4.6
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
DURCHGAENGIGEN
SIMULATIONSKONZEPTEN
.
80
5
INFORMATISCHE
UND
NUMERISCHE
ASPEKTE
83
5.1
UEBERSICHT
.
83
5.2
ASPEKTE
DER
MODELLBILDUNG
.
83
5.2.1
UEBERGANG
PHYSIKALISCHE
MODELLE
-
NUMERISCHE
MODELLE
.
83
5.2.2
VERALLGEMEINERUNG
DER
MODELLBILDUNG
.
85
5.3
ASPEKTE
DER
COMPUTERTECHNIK
.
86
5.4
ASPEKTE
DER
NUMERISCHEN
MATHEMATIK
.
88
5.4.1
UEBERBLICK
ZU
NUMERISCHEN
LOESUNGSVERFAHREN
.
88
5.4.2
ZEITDISKRETISIERUNG
.
90
5.4.3
ORTSDISKRETISIERUNG
.
92
5.4.3.1
SCHICHT
UND
RANDDISKRETISIERUNG
.
92
5.4.3.2
ZELLDISKRETISIERUNG
.
93
5.4.3.3
UMDISKRETISIERUNG
.
97
5.4.4
AUSGEWAEHLTE
LOESUNGSMETHODEN
.
98
5.4.4.1
STRINGVERFAHREN
.
98
5.4.4.2
NICHTLINEARE-,
LINEARE
GLEICHUNGSSYSTEME
.
99
5.4.5
SIMULATIONSFEHLER
.
103
5.5
ASPEKTE
DER
INFORMATIK
.
104
5.5.1
UEBERSICHT
UEBER
INFORMATISCHE
ASPEKTE
.
104
5.5.2
EINGABEMODULE
(PREPROCESSOR)
.
105
5.5.3
AUSGABEMODULE
(POSTPROCESSOR)
.
106
INHALT
VII
5.5.4
STEUENNODULE
(CONTROL)
.
107
5.5.5
SIMULATIONSMODULE
(PROCESSOR)
.
108
5.6
ZUSAMMENFASSUNG
.
110
6
ANWENDUNGEN,
SIMULATIONSERGEBNISSE
111
6.1
OPTIMIERUNG
EINER
HIGH-VOLTAGE-CMOS-SOI-TECHNOLOGIE
.
111
6.1.1
PROBLEMDARSTELLUNG
.
111
6.1.2
ZIELSTELLUNG
.
114
6.1.3
LOESUNGSWEG
.
115
6.1.3.1
SPLIT-SOURCE-,
BACK-GATE-SIMULATIONEN
.
115
6.1.3.2
DRAIN-EXTENSION-SIMULATIONEN
.
115
6.1.4
SIMULATIONSERGEBNISSE
.
117
6.1.4.1
SPLIT-SOURCE-,
BACK-GATE-SIMULATIONEN
.
117
6.1.4.2
DRAIN-EXTENSION-SIMULATIONEN
.
117
6.1.5
SIMULATIONSAUFWAND
.
120
6.2
BETRIEBSRUHESTROMTEST
MIT
EINEM
NEUARTIGEN
SUBSTRATSTROMSENSOR
.
.
.
121
6.2.1
PROBLEMDARSTELLUNG
.
121
6.2.2
ZIELSTELLUNG
.
125
6.2.3
LOESUNGSWEG
.
125
6.2.4
SIMULATIONSERGEBNISSE
.
126
6.2.4.1
ERGEBNISSE
ZUR
BAUELEMENTESIMULATION
DES
NPN-BJT
.
.
126
6.2.4.2
ERGEBNISSE
ZUR
BAUELEMENTESIMULATION
DES
N-KANAL
MOSFET
.
127
6.2.4.3
ERGEBNISSE
ZUR
BAUELEMENTESIMULATION
DES
SUBSTRAT
STROMSENSORS
127
6.2.5
SIMULATIONSAUFWAND
.
128
6.3
ZUSAMMENFASSUNG
ZU
ANWENDUNGEN
.
129
7
SCHLUSSFOLGERUNGEN,
AUSBLICK
131
LITERATURVERZEICHNIS
133
A
UEBERSICHTEN
151
VIII
INHALT
B
DEMONSTRATIONSBEISPIELE
161
C
DATENSAETZE
185 |
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