Nichtlineare optische Suszeptibilität von Silizium-Oberflächen:
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Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
1994
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Beschreibung: | München, Techn. Univ., Diss., 1994 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
2 CLUSTERRECHNUNG IM ORTSRAUM 8
2.1 CLUSTERMODELL. 8
2.1.1 GEOMETRIE . 8
2.1.2 TIGHT-BINDING-HAMILTONMATRIX .10
2.1.3 TIGHT-BINDING-PARAMETER.11
2.2 GRUPPENTHEORIE. 13
2.2.1 IRREDUZIBLE DARSTELLUNGEN. 14
2.2.2 BLOCKDARSTELLUNG DER HAMILTONMATRIX. 15
2.2.3 BASIS FUER IRREDUZIBLE DARSTELLUNGEN . 15
3 BANDMODELL IM REZIPROKEN RAUM 17
3.1 PERIODISCHES POTENTIAL .18
3.1.1 BLOCH-METHODE.18
3.1.2 VEREINFACHUNGEN DER BLOCHMETHODE.18
3.1.3 ZWEI-ZENTREN-NAEHERUNG.20
3.2 ENERGIEINTEGRALE.20
3.3 INTRINSISCHE OBERFLAECHENZUSTAENDE .23
4 ELEKTRONISCHE STRUKTUR 25
4.1 ZUSTANDSDICHTEN FUER DEN CLUSTER.25
4.2 KONVERGENZ DER CLUSTERRECHNUNGEN .29
4.3 ENERGIEDISPERSION DER BANDRECHNUNG .31
I
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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11
4.4 VERGLEICH DER ZUSTANDSDICHTEN
35
5 LINEARE SUSZEPTIBILITAET
5.1 DIELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN
5.2 ERGEBNISSE.
6
NICHTLINEARE SUSZEPTIBILITAET
6.1 X(2) FUER DEN CLUSTER.
6.2
X(2) 'N DER BANDRECHNUNG.
6.3 ERGEBNISSE.
6.3.1 KONVERGENZVERHALTEN VON X
(2).
6.3.2 X
(2) FUER DIE REINE OBERFLAECHE.
6.3.3 X
(2) FUER ADSORPTION VON WASSERSTOFF.
6.3.4 VERGLEICH VON BANDMETHODE UND CLUSTERRECHNUNG
51
51
52
56
56
56
63
66
7
8
A
B
C
TIGHT-BINDING BIS 3.NACHBAR
7.1 EINLEITUNG.
7.2 BERECHNUNG DER ENERGIEBAENDER.
7.3 ELEKTRONISCHE UND OPTISCHE EIGENSCHAFTEN
7.3.1 ELEKTRONISCHE STRUKTUR.
7.3.2 LINEARE SUSZEPTIBILITAET.
7.3.3 NICHTLINEARE SUSZEPTIBILITAET . . . .
AUSBLICK
INDUZIERTE LADUNGSTRAEGER UND SSHG
X
2) IN DER DIPOLNAEHERUNG
DRITTER-NACHBAR-HAMILTONMATRIX
69
69
70
76
76
79
79
86
88
92
98
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