Zeitaufgelöste Photolumineszenz-Untersuchungen an nanostrukturierten III-V-Halbleitern:
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1995
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Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
Schriftenreihe: | Berichte aus der Physik
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Beschreibung: | 138 S. graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
ZUSAMMENFASSUNG
9
1.
EINLEITUNG
13
2.
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
17
2.1.
QUANTISIERUNG
UND
ZUSTANDSDICHTEN
IN
NIEDERDIMENSIONALEN
SYSTEMEN
17
2.2.
OPTISCHE
UEBERGAENGE
UND
LEBENSDAUERN
21
2.3.
RELAXATION
HEISSER
LADUNGSTRAEGER
25
2.4.
BANDKANTENRENORMIERUNG
29
3.
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
UND
PROBENMATERIAL
32
3.1.
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
ZUR
ZEITAUFGELOESTEN
PHOTOLUMINESZENZMESSUNG
32
3.2.
MATERIALEIGENSCHAFTEN
UND
PROBENAUFBAU
36
3.3.
BARRIERENMODULIERTE
UND
TIEFGEAETZTE
NANOSTRUKTUREN
38
4.
UNTERSUCHUNG
DER
REKOMBINATION
IN
2D-,
ID
UND
OD-STRUKTUREN
41
4.1.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
REKOMBINATION
IN
INAS/ALINAS-QUANTENFILMEN
41
4.1.1.
THERMISCHE
EMISSION
IN
DIE
BARRIERE
41
4.1.2.
UEBERGANG
VON
EXZITONISCHER
REKOMBINATION
ZUR
REKOMBINATION
FREIER
TEILCHEN
43
4.2.
REKOMBINATION
IN
OBERFLAECHENNAHEN
QUANTENFILMEN
46
4.2.1.
ABHAENGIGKEIT
DER
LEBENSDAUER
VON
DER
DECKSCHICHTDICKE
47
4.2.2.
EINFLUSS
DER
QUANTENFILMDICKE
AUF
DIE
DECKSCHICHTDICKENABHAENGIGKEIT
DER
LEBENSDAUER
48
4.3.
REKOMBINATION
IN
QUANTENPUNKT
UND
QUANTENDRAHTSTRUKTUREN
51
4.3.1.
PUNKTGROESSEN
UND
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
LEBENSDAUER
IN
QUANTENPUNKTEN
52
4.3.2.
DIFFUSIONSMODELL
UND
VERGLEICH
VON
TIEFGEAETZTER
UND
BARRIEREN
MODULIERTER
STRUKTURIERUNG
56
4.3.3.
BESTIMMUNG
DER
STRAHLENDEN
LEBENSDAUER
IN
PUNKTSTRUKTUREN
61
4.3.4.
DRAHTBREITEN
UND
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
LEBENSDAUER
IN
QUANTENDRAEHTEN
63
4.3.5.
DIFFUSIONSMODELL
FUER
DRAHTSTRUKTUREN
65
5.
EINFANG
IN
QUANTENPUNKTSTRUKTUREN
69
5.1.
PHOTOLUMINESZENZ
UND
LADUNGSTRAEGEREINFANG
IN
2D-STRUKTUREN
69
5.2.
LATERALER
UND
VERTIKALER
EINFANG
77
5.3.
VERZOEGERTER
EINFANG
IN
KLEINEN
QUANTENPUNKTEN
82
5.4.
VERGLEICH
DES
EINFANGS
IN
BARRIERENMODULIERTEN
UND
TIEFGEAETZTEN
PUNKT
STRUKTUREN
85
6.
LATERALE
QUANTISIERUNG
IN
ZEITAUFGELOESTEN
SPEKTREN
88
6.1.
QUANTISIERUNG
DES
GRUNDZUSTANDES
IN
ID
UND
OD-STRUKTUREN
88
6.2.
SUBBANDAUFSPALTUNG
UND
SUBBANDAUFFUELLUNG
92
7.
TRANSIENTES
VERHALTEN
HOCHANGEREGTER
2D-,
ID
UND
OD-EIEKTRON-LOCH
PLASMEN
98
7.1.
LINIENFORMMODELLE
FUER
ID
UND
2D-PLASMALUMINESZENZSPEKTREN
98
7.2.
HOMOGENITAET
DES
ELEKTRON-LOCH-PLASMAS
AM
BEISPIEL
VON
2D-PLASMEN
101
7.3.
LADUNGSTRAEGERDICHTE
UND
PHOTOLUMINESZENZ
VON
2D
UND
ID-ELEKTRON
LOCH-PLASMEN
104
7.4.
TRANSIENTE
PHOTOLUMINESZENZ
UND
THERMALISIERUNG
VON
LADUNGSTRAEGERN
109
7.4.1.
RELAXATION
VON
LADUNGSTRAEGERN
IN
QUANTENDRAEHTEN
110
7.4.2.
THERMISCHE
VERTEILUNG
DER
LADUNGSTRAEGER
IN
QUANTENPUNKTEN
116
7.5.
AUSTAUSCH
UND
KORRELATIONSWECHSELWIRKUNG
IN
ID
UND
OD-PLASMEN
120
8.
ANHANG
126
8.1.
ENERGIEVERLUSTRATEN
FUER
DIE
ELEKTRON-PHONONSTREUUNG
8.2.
VERWENDETE
MATERIALPARAMETER
126
128
9.
LISTE
HAEUFIG
VERWENDETER
SYMBOLE
129
10.
LITERATURVERZEICHNIS
131 |
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