Druckabhängigkeit der Absorption von Ni-Störstellen in ZnS und ZnSe und der exzitonischen Absorption in binären, ternären und II-VI-Halbleiterverbindungen und Übergittern:
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Format: | Buch |
Sprache: | German |
Veröffentlicht: |
Regensburg
Roderer
1995
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Schriftenreihe: | Theorie und Forschung
368 |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
Beschreibung: | Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 1995 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
5
2.1
KRISTALLSTRUKTUR
DER
UNTERSUCHTEN
II-VI-HALBLEITER
.
5
2.1.1
BINAERE
VERBINDUNGEN
.
5
2.1.2
TERNAERE
VERBINDUNGEN
.
6
2.2
BANDSTRUKTUR
DER
UNTERSUCHTEN
HALBLEITER
.
7
2.2.1
BINAERE
VERBINDUNGEN
.
7
2.2.2
TERNAERE
VERBINDUNGEN
.
9
2.3
K
YY
P-STOERUNGSRECHNUNG
.
10
2.4
DRUCKEFFEKTE
.
15
2.4.1
DIE
THEORIE
ELASTISCHER
VERZERRUNGEN
.
15
2.4.2
EINFLUSS
VON
VERZERRUNGEN
AUF
DIE
BANDSTRUKTUR
.
17
DRUCKABHAENGIGKEIT
DER
EFFEKTIVEN
MASSEN
.
22
2.4.3
PHASENUEBERGAENGE
.
24
2.5
3D-UEBERGANGSMETALL-STOERSTELLEN
IN
HALBLEITERN
.
26
2.5.1
UBERGANGSMETALL-STOERSTELLEN
ALS
REFERENZNIVEAU
.
26
2.5.2
INTERNE
UEBERGAENGE
KRISTALLFELDTHEORIE
.
31
ELEKTRON-ELEKTRON-WECHSELWIRKUNG
.
32
DER
EINFLUSS
DES
KRISTALLFELDES
BEI
TJ-SYMMETRIE
.
33
AUSWAHLREGELN
.
35
2.6
HALBLEITER-HETEROSTRUKTUREN
.
36
2.6.1
BANDSTRUKTUR
IN
HETEROSTRUKTUREN
.
37
2.7
DIE
OPTISCHEN
EIGENSCHAFTEN
VON
HALBLEITERN
.
40
2.7.1
MAKROSKOPISCHE
OPTISCHE
GROESSEN
.
40
2.7.2
ELEKTRON-PHOTON-WECHSELWIRKUNG
.
41
HETEROSTRUKTUREN
.
43
AUSWAHLREGELN
UND
UEBERGANGSWAHRSCHEINLICHKEITEN
.
44
2.7.3
EXZITONEN
.
45
EXZITONEN
IN
HETEROSTRUKTUREN
.
48
II
INHALT
3
EXPERIMENTELLES
51
3.1
PROBENPRAEPARATION
.
51
3.1.1
ZNSE:NI
UND
ZNS:NI-BULKPROBEN
.
51
3.1.2
HETEROEPITAKTISCHE
II-VI-HALBLEITERSCHICHTEN
.
51
3.2
DIE
DIAMANTSTEMPEL-DRUCKZELLE
.
52
3.2.1
METHANOL/ETHANOL-PRAEPARATION
.
53
3.2.2
HELIUM-PRAEPARATION
.
54
3.3
DER
MESSAUFBAU
.
57
3.4
DRUCKMESSUNG
.
60
4
MESSUNG
UND
DISKUSSION
62
4.1
NI-STOERSTELLEN
IN
ZNS
UND
ZNSE
.
62
4.1.1
DRUCKABHAENGIGKEIT
DER
INTERNEN
UEBERGAENGE
.
63
4.1.2
DRUCKABHAENGIGKEIT
DER
PHOTOIONISATION
.
71
4.2
MESSUNGEN
AN
EPITAKTISCHEN
ZNSE-SCHICHTEN
.
74
4.2.1
TEMPERATURABHAENGIGE
MESSUNGEN
.
75
4.2.2
SCHICHTDICKENBESTIMMUNG
UND
ABSOLUTE
TRANSMISSION
.
80
SCHICHTDICKENBESTIMMUNG
.
80
ABSOLUTE
TRANSMISSION
UND
SCHICHTRAUHIGKEIT
.
81
4.2.3
DRUCKABHAENGIGKEIT
DES
BRECHUNGSINDEX
.
84
BRECHUNGSINDEX
BEI
RAUMTEMPERATUR
.
86
BRECHUNGSINDEX
BEI
2K
.
88
4.2.4
DRUCKABHAENGIGKEIT
DER
EXZITONISCHEN
ABSORPTION
.
90
MODELL
DER
EXZITONENABSORPTION
.
90
DRUCKVERSCHIEBUNG
DER
E
Q
-
UND
E
O
+
AO-UEBERGAENGE
.
94
DRUCKABHAENGIGKEIT
DER
EXZITONBINDUNGSENERGIEN
.
103
VERSCHLECHTERUNG
DER
SCHICHTQUALITAET
BEI
HOHEN
DRUECKEN
.
106
DONATORGEBUNDENES
EXZITON
BEI
2K;
LO-PHONONREPLIKA
.
107
4.2.5
PHASENUEBERGANG
.
107
4.3
DIE
EPITAKTISCHEN
MISCHKRISTALLE
ZN(SE,TE),
ZN(S,SE)
UND
(ZN,CD)SE
.
.
109
4.3.1
BESTIMMUNG
DER
SCHICHTDICKE
UND
DER
ABSORPTION
.
109
4.3.2
KONZENTRATIONSABHAENGIGKEIT
DER
BANDLUECKEN
.
114
INHALT
III
MESSUNGEN
AN
ZNSEJTEI.J,
.
114
MESSUNGEN
AN
ZNSXSEI-
.
118
MESSUNGEN
AN
ZUJCDJ-^SE
.
122
4.3.3
DRUCKVERSCHIEBUNG
DER
BANDLUECKEN
BEI
ZN
X
CDI_XSE
.
126
4.3.4
DER
PHASENUEBERGANG
BEI
ZN^CDJ.^SE
.
130
4.4
ZNSE/ZNSO.24SE
O
.7
6
-UBERGITTER
UNTER
DRUCK
.
133
4.4.1
DRUCKVERSCHIEBUNG
DER
EXZITONENERGIEN
.
134
4.4.2
VERGLEICH
MIT
EINER
MODELLRECHNUNG
.
138
4.4.3
DRUCKABHAENGIGKEIT
DES
ABSTANDS
VON
LS
UND
2S-/I/IL-EXZITONEN
143
4.4.4
PHASENUEBERGANG
DER
UEBERGITTERSTRUKTUR
.
146
5
ZUSAMMENFASSUNG
147
6
ANHANG
151
7
LITERATUR
157 |
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