Druckabhängigkeit der Absorption von Ni-Störstellen in ZnS und ZnSe und der exzitonischen Absorption in binären, ternären und II-VI-Halbleiterverbindungen und Übergittern:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schötz, Gerhard (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Regensburg Roderer 1995
Schriftenreihe:Theorie und Forschung 368
Schlagworte:
Online-Zugang:Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 1995
Beschreibung:III, 168 S. graph. Darst.
ISBN:3890738257

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