Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß:
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | Undetermined |
Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1995
|
Ausgabe: | Als Ms. gedruckt |
Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]
203 |
Schlagworte: | |
Beschreibung: | Zugl.: Berlin, Diss. |
Beschreibung: | IX, 111 S. Ill., graph. Darst. |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV010215478 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 19950927 | ||
007 | t | ||
008 | 950608s1995 ad|| m||| 00||| undod | ||
035 | |a (OCoLC)632539025 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV010215478 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | |a und | ||
049 | |a DE-91 |a DE-210 | ||
084 | |a MSR 326d |2 stub | ||
084 | |a ELT 270d |2 stub | ||
100 | 1 | |a Riethmüller, Werner |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß |c Werner Riethmüller |
250 | |a Als Ms. gedruckt | ||
264 | 1 | |a Düsseldorf |b VDI-Verl. |c 1995 | |
300 | |a IX, 111 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 1 | |a Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |v 203 | |
500 | |a Zugl.: Berlin, Diss. | ||
650 | 0 | 7 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Beschleunigungssensor |0 (DE-588)4144872-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Siliciumsensor |0 (DE-588)4193160-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a CMOS |0 (DE-588)4010319-5 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Siliciumsensor |0 (DE-588)4193160-9 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Beschleunigungssensor |0 (DE-588)4144872-8 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Halbleitertechnologie |0 (DE-588)4158814-9 |D s |
689 | 0 | |5 DE-604 | |
810 | 2 | |a 9] |t Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI |v 203 |w (DE-604)BV047505631 |9 203 |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1805075866183532544 |
---|---|
adam_text | |
any_adam_object | |
author | Riethmüller, Werner |
author_facet | Riethmüller, Werner |
author_role | aut |
author_sort | Riethmüller, Werner |
author_variant | w r wr |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV010215478 |
classification_tum | MSR 326d ELT 270d |
ctrlnum | (OCoLC)632539025 (DE-599)BVBBV010215478 |
discipline | Elektrotechnik Mess-/Steuerungs-/Regelungs-/Automatisierungstechnik |
edition | Als Ms. gedruckt |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV010215478</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">19950927</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">950608s1995 ad|| m||| 00||| undod</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)632539025</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV010215478</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-210</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">MSR 326d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ELT 270d</subfield><subfield code="2">stub</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Riethmüller, Werner</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß</subfield><subfield code="c">Werner Riethmüller</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedruckt</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI-Verl.</subfield><subfield code="c">1995</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">IX, 111 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9]</subfield><subfield code="v">203</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: Berlin, Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Beschleunigungssensor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4144872-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumsensor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4193160-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">CMOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4010319-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Siliciumsensor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4193160-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Beschleunigungssensor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4144872-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158814-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">9]</subfield><subfield code="t">Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI</subfield><subfield code="v">203</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">203</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV010215478 |
illustrated | Illustrated |
indexdate | 2024-07-20T05:48:12Z |
institution | BVB |
language | Undetermined |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006788439 |
oclc_num | 632539025 |
open_access_boolean | |
owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-210 |
owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-210 |
physical | IX, 111 S. Ill., graph. Darst. |
publishDate | 1995 |
publishDateSearch | 1995 |
publishDateSort | 1995 |
publisher | VDI-Verl. |
record_format | marc |
series2 | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] |
spelling | Riethmüller, Werner Verfasser aut Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß Werner Riethmüller Als Ms. gedruckt Düsseldorf VDI-Verl. 1995 IX, 111 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 203 Zugl.: Berlin, Diss. CMOS (DE-588)4010319-5 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd rswk-swf Beschleunigungssensor (DE-588)4144872-8 gnd rswk-swf Siliciumsensor (DE-588)4193160-9 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content CMOS (DE-588)4010319-5 s Siliciumsensor (DE-588)4193160-9 s Beschleunigungssensor (DE-588)4144872-8 s Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 s DE-604 9] Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI 203 (DE-604)BV047505631 203 |
spellingShingle | Riethmüller, Werner Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Beschleunigungssensor (DE-588)4144872-8 gnd Siliciumsensor (DE-588)4193160-9 gnd |
subject_GND | (DE-588)4010319-5 (DE-588)4158814-9 (DE-588)4144872-8 (DE-588)4193160-9 (DE-588)4113937-9 |
title | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß |
title_auth | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß |
title_exact_search | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß |
title_full | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß Werner Riethmüller |
title_fullStr | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß Werner Riethmüller |
title_full_unstemmed | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß Werner Riethmüller |
title_short | Entwicklung eines Prozesses zur monolithischen Integration piezoresistiver Beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 Mikrometer CMOS Prozeß |
title_sort | entwicklung eines prozesses zur monolithischen integration piezoresistiver beschleunigungssensoren in einem kommerziellen 2 mikrometer cmos prozeß |
topic | CMOS (DE-588)4010319-5 gnd Halbleitertechnologie (DE-588)4158814-9 gnd Beschleunigungssensor (DE-588)4144872-8 gnd Siliciumsensor (DE-588)4193160-9 gnd |
topic_facet | CMOS Halbleitertechnologie Beschleunigungssensor Siliciumsensor Hochschulschrift |
volume_link | (DE-604)BV047505631 |
work_keys_str_mv | AT riethmullerwerner entwicklungeinesprozesseszurmonolithischenintegrationpiezoresistiverbeschleunigungssensorenineinemkommerziellen2mikrometercmosprozeß |