Lichtinduzierte transiente Änderungen der besetzten Zustandsdichte von amorphem wasserstoffhaltigem Silizium:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1995
|
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 369 S. Ill., zahlr. graph. Darst. |
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INHALTSUEBERSICHT
DIE
VORLIEGENDE
ARBEIT
SETZT
SICH
AUS
DEN
FOLGENDEN
KAPITELN
ZUSAMMEN:
1.
PROLOG
2.
EINLEITUNG
3.
GLIEDERUNG DER
ARBEIT
4.
AMORPHES
SILIZIUM
5.
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
6.
KELVIN-SONDEN-METHODE
7.
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
8.
PHOTOMODULIERTE
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
-
MESSUNGEN
9.
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
-
MESSUNGEN
10.
BESETZUNGSFUNKTIONEN
11.
THEORIE
DER
DEFEKTRELAXATION
12.
THEORIE
DER
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
13.
ANALYSE
DER
AUSTRITTSARBEIT
UND
PHOTOSPANNUNG
14.
ANALYSE
DER
PHOTOMODULIERTEN
AUSBEUTEMESSUNGEN
15.
BEMERKUNGEN
ZUR
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
16.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
17.
SYMBOLVERZEICHNIS
UND
ERLAEUTERUNGEN
18.
LITERATURZITATE
INHALTSVERZEICHNIS
INHALTSUEBERSICHT
.
5
INHALTSVERZEICHNIS
.
6
1.
PROLOG.
17
2.
EINLEITUNG
.
YYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY
19
3.
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
4.
AMORPHES
SILIZIUM
25
4.1.
HERSTELLUNG
DUENNER
A-SI:H
SCHICHTEN
.
25
4.2.
ATOMARE
STRUKTUR
.
25
4.3.
ELEKTRONISCHE
ZUSTANDSDICHTE
.
26
4.4.
DEFEKTRELAXATION
.
30
4.5.
KORRELATIONSENERGIE
.
32
4.6.
DOTIERUNG
UND
DEFEKTDICHTE
.
34
4.7.
OPTISCHE
ANREGUNG,
REKOMBINATION
UND
TRANSPORT.
37
4.8.
METASTABILITAET
.
38
4.9.
OBERFLAECHENZUSTAENDE
UND
OBERFLAECHENBANDVERBIEGUNG
.
40
YYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY
YYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY*
YYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY
YYYYYYYY*YYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYYY
5.1.
EINFUEHRUNG
.
41
5.2.
PHOTOEMISSION
.
41
5.2.1.
"FIRST
PRINCIPLE
APPROACH".
41
5.2.2.
DREISTUFENMODELL
DER
PHOTOEMISSION
.
42
5.2.2.1.
DIE
TRANSPORTFLMKTION
.
43
5.2.2.2.
DIE
AUSTRITTSFUNKTION
.
44
5.2.3.
PHOTOELEKTRONENAUSBEUTE
Y
.
45
5.2.3.1.
PHOTOEMISSION
AN
METALLEN:
FOWLER
-
FUNKTION
.
45
5.2.3.2.
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
AN
AMORPHEN
HALBLEITERN
.
47
5.2.3.2.
1.
PHOTOELEKTRONENSTROM
.
47
5.2.3.2.2.
AUSBEUTE
Y
.
49
S.2.3.2.3.
SPEKTRUM
DER
LONISIERUNGSENERGIEN
.
52
5.2.3.2.4.
AUSBEUTESPEKTREN
VON
A-SI:H
.
53
5.3.
PHOTOEMISSION
UND
OBERFLAECHENZUSTAENDE
.
54
5.3.1.
OBERFLAECHENZUSTANDSBEITRAG
.
54
5.3.2.
EINFLUSS
DER
OBERFLAECHENBANDVERBIEGUNG
AUF
DAS
AUSBEUTE
SPEKTRUM
.
55
5.4.
PHOTOMODULIERTE
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
.
56
6.
KDVIN-SONDEN-METHODE.
59
6.1.
EINLEITUNG
.
59
6.2.
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
DER
KELVIN-METHODE
.
60
6.2.1.
DER
MESSKREIS
.
60
6.2.2.
KONTAKTPOTENTIALDIFFERENZ
IM
THERMISCHEN
GLEICHGEWICHT
.
62
6.2.2.1.
MODELL
FUER
AMORPHEN
HALBLEITER
.
62
6.2.2.2.
POTENTIALVERLAUF
IM
AMORPHEN
HALBLEITER
.
64
6.2.2.3.
KELVINSONDENSTROM
.
66
6.2.3.
KONTAKTPOTENTIALDIFFERENZ
UNTER
BELEUCHTUNG
.
67
6.2.3.1.
STATIONAERE
KONTAKTPOTENTIALDIFFERENZ
.
67
6.2.3.2.
ZEITAUFGELOESTE
KONTAKTPOTENTIALDIFFERENZMESSUNGEN
.
67
7.
EXPERIMENTELLER
AUFBAU.
.
71
7.1.
ALLGEMEINER
AUFBAU
DER
APPARATUR
.
71
7.2.
VAKUUMSYSTEM
.
72
7.3.
PROBENHERSTELLUNG
.
72
7.4.
KELVIN-SONDE
.
73
7.4.1.
AUFBAU
.
73
7.4.2.
STATIONAERE
PHOTOSPANNUNGSMESSUNGEN
.
76
7.4.3.
TRANSIENTE
MESSUNGEN
.
76
7.5.
PHOTOELEKTRONEN-AUSBEUTE-BASISEINHEIT
.
77
7.6.
PHOTOMODULATIONSEINHEIT
.
80
7.6.1.
PUMPLICHTQUELLEN
.
80
7.6.2.
MODULATION
.
81
7.7.
PROBENKUEHLUNG
.
82
8.
PHOTOMODULIERTE
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
-
MESSUNGEN
.
85
8.1.
UNDOTIERTES
A-SI:H
.
85
8.1.1.
BELEUCHTUNG
MIT
BANDKANTENLICHT
(2.34
EV)
.
85
8.1.1.1.
AUSBEUTE-SPEKTREN
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
TEMPERATUR
.
85
8.1.1.2.
PHOTOMODULIERTE
AUSBEUTE-MESSUNGEN
.
86
8.1.1.2.1.
SPEKTRALE
FORM
DES
PHOTOMODULIERTEN
AUSBEUTE-SIGNALS
.
86
8.1.1.2.2.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
MODULATIONSAMPLITUDE
.
91
8.1.1.2.3.
BELEUCHTUNGSSTAERKENABHAENGIGKEIT
DER
MODULATIONSAMPLITUDE
.
93
8.1.1.2.4.
FREQUENZABHAENGIGKEIT
DER
MODULATIONSAMPLITUDE
.
94
8.1.1.2.5.
ZEITABHAENGIGKEIT
DES
AUSBEUTESIGNALS
.
95
8.1.2.
PHOTOMODULIERTE
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
MIT
INFIAROTLICHT
.
99
8.1.3.
METASTABILE
AENDERUNGEN
DER
ZUSTANDSDICHTE
.101
8.1.3.1.
EINLEITUNG
.
101
8.1.3.2.
MESSVERFAHREN
.
101
8.1.3.3.
MESSERGEBNISSE
.
101
8.1.3.3.1.
AENDERUNG
DER
INTEGRIERTEN
DEFEKTDICHTE
UNTER
BELEUCHTUNG
.
105
8.1.3.3.2.
SPEKTRALE
AENDERUNGEN
DER
ZUSTANDSDICHTE
UNTER
BELEUCHTUNG
.105
8.2.
DOTIERTES
A-SI:H
.
107
8.2.1.
BOR-DOTIERTE
PROBEN
.
107
8.2.1.1.
VORBEMERKUNG
.
107
8.2.1.2.
100
PPM
BOR-DOTIERUNG
.
108
8.2.1.2.1.
PHOTOMODULATION
MIT
BANDKANTENLICHT
.
108
8.2.1.2.1.1.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
MODULATIONSAMPLITUDE
.
110
8.2.1.2.1.2.
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DER
MODULATIONSAMPLITUDE
.
110
8.2.1.2.1.3.
ZEITABHAENGIGKEIT
DES
AUSBEUTESIGNALS
.
111
8.2.1.2.2.
PHOTOMODULATION
MIT
INFIAROTLICHT
.
114
8.2.1.3.
1000
PPM
BOR-DOTIERUNG
.115
8.2.1.3.1.
PHOTOMODULATION
MIT
1.96
EV
.115
8.2.I.3.2.
PHOTOMODULATION
MIT
INFIAROTLICHT
.
116
8.2.1.4.
SCHWACHE
BOR-DOTIERUNG
.
117
8.2.2.
PHOSPHOR-DOTIERTE
PROBEN
.
119
8.3.
ZUSAMMENFASSUNG
.
119
9.
MESSUNGEN
DER
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG.
121
9.1.
UNDOTIERTES
A-SI:H
.
121
9.1.1.
DIE
AUSTRITTSARBEIT
.
121
9.1.2.
DIE
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
.
123
9.1.2.1.
STATIONAERE
MESSUNGEN
DER
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
.
123
9.1.2.2.
TRANSIENTE
AENDERUNGEN
DER
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
.124
9.2.
OBERFLAECHENSPANNUNG
VON
DOTIERTEM
A-SI:H
.
129
9.2.1.
VORBEMERKUNG
.
129
9.2.2.
BOR-DOTIERTE
PROBEN
UNTER
BELEUCHTUNG
.
129
9.3.
ZUSAMMENFASSUNG
.
132
10.
BESETZUNGSFUNKTIONEN
VON
DEFEKTEN
IN
A-SI:H
.
_
133
10.1.
EINFUEHRUNG
.
133
10.1.1.
SHOCKLEY-READ-STATISTIK
.
134
10.1.2.
DEMARKATIONSNIVEAUS
.
136
10.1.3.
SIMMONS-TAYLOR-MODELL
.138
10.2.
BESETZUNGSFUNKTIONEN
VON
A-SI:H
.
142
10.2.1.
ANREGUNG
VON
LADUNGSTRAEGERN
IN
A-SI:H
.
142
10.2.1.1.
THERMISCHE
ANREGUNG
.
142
10.2.1.2.
OPTISCHE
ANREGUNG
.
143
10.2.2.
REKOMBINATIONSPROZESSE
IN
A-SI:H
.144
10.2.2.1.
REKOMBINATIONSKANAELE
UND
TEMPERATURREGIME
.144
10.2.2.2.
LEBENSDAUERN
UND
EINFANGQUERSCHNITTE
.
146
10.2.2.2.1.
LADUNGSTRAEGER
IN
BANDAUSLAEUFEM
UND
AUSGEDEHNTEN
ZUSTAENDEN
.
146
10.2.2.2.2.
LEBENSDAUERN
.
147
10.2.2.2.3.
EINFANGQUERSCHNITTE
UND
UEBERGANGSWAHRSCHEINLICHKEITEN
.148
10.2.3.
BESETZUNGSFUNKTIONEN
IM
THERMISCHEN
GLEICHGEWICHT
.
151
10.2.4.
ALLGEMEINES
RATENGLEICHUNGSMODELL
FUER
A-SI:H
.
154
10.2.4.1.
VERNACHLAESSIGUNG
THERMISCHER
RATEN
.
154
10.2.4.2.
DISKUSSION
.
156
10.2.4.3.
ANSATZ
ZUR
BERECHNUNG
DER
BESETZUNGSFUENKTIONEN
.
156
10.2.4.4.
STATIONAERES
GLEICHGEWICHT
.
159
10.2.4.5.
EFFEKTIVE
UEBERGANGSWAHRSCHEINLICHKEITEN
.
161
10.2.4.5.1.
VORBEMERKUNG
.
161
10.2.4.5.2.
PARAMETRISIERUNG
DER
ELEKTRONISCHEN
ZUSTANDSDICHTE
.
161
10.2.4.5.3.
ANALYTISCHE
BERECHNUNG
VON
IJ,
UND
FJ,.163
10.2.4.5.4.
NUMERISCHE
BERECHNUNG
VON
4
UND
FJ
.
165
10.2.4.6.
EFFEKTIVE
BAND-BAND
REKOMBINATION
.
169
10.2.4.7.
VEREINFACHTES
GLEICHUNGSSYSTEM
.
170
10.2.4.8.
GRENZFALL
SIMMONS
UND
TAYLOR-MODELL
.
171
10.2.4.9.
DISKUSSION
DER
PARAMETERSAETZE
.
172
10.2.5.
VEREINFACHTES
RATENGLEICHUNGSMODELL
.
174
10.2.5.1.
VORBEMERKUNG
.
174
10.2.5.2.
ALLGEMEINE
BEZIEHUNGEN
.
174
10.2.5.2.1.
MASSENWIRKUNGSGESETZ
.
174
10.2.5.2.2.
ABSOLUTE
KONZENTRATIONEN
IN
ABHAENGIGKEIT
VON
DER
BELEUCHTUNGSSTAERKE
.
176
10.2.5.2.3.
BESETZTE
ZUSTANDSDICHTE
UNTER
BELEUCHTUNG
.
177
10.2.5.3.
STATIONAERE
LOESUNG
FUER
UNDOTIERTEN
HALBLEITER
.
178
10.2.5.3.1.
GRENZFALL
SCHWACHER
BELEUCHTUNGSSTAERKEN
.178
10.2.5.3.2.
GRENZFALL
STARKER
BELEUCHTUNG
.
180
10.2.5.3.3.
NUMERISCHE
LOESUNG
.
182
10.2.5.3.3.1.
NUMERISCHE
ANALYSE
DER
ABHAENGIGKEIT
DER
LOESUNG
VON
DEN
PARAMETERN
.
182
10.2.5.3.3.1.1.
FALL
1
.
184
10.2.5.3.3.1.2.
FALL
2
.
185
10.2.5.3.3.1.3.
FALL
3
.
186
10.2.5.3.3.1.4.
FALL
4
.
187
10.2.5.3.3.2.
PARAMETERSATZ
VON
STUTZMANN
.
188
10.2.5.3.3.3.
PARAMETER
VON
STREET
.
189
10.2.5.3.3.4.
PARAMETERSATZ
DIESER
ARBEIT
.
190
10.2.5.3.3.5.
PARAMETRISIERUNG
DES
UMLADUNGSBEREICHS
.
191
10.2.5.3.3.6.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
.
192
10.2.5.4.
STATIONAERE
LOESUNG
FUER
P-DOTIERTEN
HALBLEITER
.193
10.2.5.4.1.
VORBEMERKUNG
.
193
10.2.5.4.2.
ANALYTISCHER
AUSDRUCK
FUER
NIEDRIGE
GENERATIONSRATEN
.
193
10.2.5.4.3.
NUMERISCHE
LOESUNG
FUER
Q/E=L
.
195
10.2.5.4.3.1.
PARAMETERSATZ
VON
STUTZMANN
.
195
10.2.5.4.3.2.
PARAMETERSATZ
VON
STREET
UND
DIESER
ARBEIT
.
196
10.2.5.4.4.
NUMERISCHE
LOESUNG
FUER
Q/E=0.5
.
197
10.2.5.5.
STATIONAERE
LOESUNG
FUER
N-DOTIERTEN
HALBLEITER
.197
10.2.5.6.
ZEITABHAENGIGKEIT
.198
10.3.
ZUSAMMENFASSUNG
.
200
11.
THEORIE
DER
DEFEKTRELAXATION
.
201
11.1.
EINLEITUNG
.
201
11.2.
GRUNDLAGEN
DES
DEFEKTRELAXATIONSMODELLS
.
202
11.2.1.
AB
INITIO
BERECHNUNG
DER
GESAMTENERGIE
.
203
11.2.2.
PHYSIKALISCHE
URSACHE
DER
KONFIGURATIONSUNTERSCHIEDE
UNTERSCHIEDLICH
GELADENER
'DANGLING
BONDS'
.
206
11.2.3.
MODELL
VON
BRANZ
.
207
11.3.
MONTE-CARLO
SIMULATION
ZUR
DEFEKTRELAXATION
BEI
OPTISCHER
ANREGUNG
.
210
11/3.1.
DEFEKTRELAXATION
BEI
BELEUCHTUNG
.
210
11.3.2.
FESTLEGUNG
DER
MODELLPARAMETER
.
211
11.3.3.
MONTE-CARLO-SIMULATION
.
213
11.3.3.1.
VORBEMERKUNG
.
213
11.3.3.2.
MATHEMATISCHER
ANSATZ
.
213
11.3.3.3.
NUMERISCHE
SIMULATION
.
216
11.3.3.3.1.
STATIONAERE
DICHTE
DER
LADUNGSTRAEGER
.
216
11.3.3.3.2.
DEFEKTRELAXATION
IN
ABHAENGIGKEIT
VOM
VERHAELTNIS
DER
ZEITKONSTANTEN
.
217
11.3.3.3.3.
VERTEILUNGSFUNKTION
ALS
FUNKTION
DER
BELEUCHTUNGSTAERKE
.221
11.3.3.3.4.
DEFEKTRELAXATION
IN
ABHAENGIGKEIT
VOM
ABSOLUTWERT
DER
ZEITKONSTANTEN
.
223
11.3.3.3.5.
MITTLERE
VERSCHIEBUNG
EINES
DEFEKTS
.
223
11.3.3.3.6.
VERSCHIEBUNG
BEI
DEFEKTVERTEILUNG
.
225
11.4.
ANALYTISCHE
BEHANDLUNG
DER
DEFEKTRELAXATION
BEI
OPTISCHER
ANREGUNG
.
227
11.4.1.
EINLEITUNG
.
227
11.4.2.
ANSATZ
FUER
STATIONAERE
LOESUNGEN
.
227
11.4.3.
STATIONAERE
NAEHERUNG:
1.
SCHRITT
.
229
11.4.4.
STATIONAERE
NAEHERUNG:
2.
SCHRITT
.
230
11.4.4.1.
SKALIERUNGSFREIHEIT
DER
STATIONAEREN
LOESUNG
.
231
11.4.4.2.
MATRIXFORM
DES
GEWOEHNLICHEN
DIFIERENTIALGLEICHUNGSSYSTEMS
.
233
11.4.5.
STATIONAERE
NAEHERUNG:
3.
SCHRITT
.
233
11.4.5.1.
LOESUNG
IM
FALL
SCHNELLER
D
+
-RELAXATION
.
233
1
1.4.5.2.
AENDERUNG
DER
AUSBEUTE
Y
IM
STATIONAEREN
FALL
FUER
KONSTANTE
DEFEKTVERTEILUNG
.
237
11.4.6.
TRANSIENTEN
DER
D-RELAXATION
BEI
SCHNELLER
DMLELAXATION
.
238
11.4.6.1.
EINLEITUNG
.
238
11.4.6.1.1.
MITTLERE
VERSCHIEBUNG
EINES
DEFEKTS
.
239
11.4.6.1.2.
AUSBEUTE-ANSTIEGSTRANSIENTE
.
241
11.4.6.2.
ABFALLTRANSIENTE
.
242
11.4.6.2.1.
ABFALLTRANSIENTE
BAE
EINEM
DEFEKT
.
242
11.4.6.2.2.
AUSBEUTE-ABFALLTRANSIENTE
.
243
11.4.7.
ANHANG:
POTENZREIHE
.
245
11.5.
ZUSAMMENFASSUNG
.
246
12.
THEORIE
DER
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG.
247
12.1.
EINLEITUNG
.
247
12.1.1.
DEFINITION
DER
LADUNGSTRAEGERDICHTEN
.
247
12.2.
BANDVERBIEGUNG
IM
THERMODYNAMISCHEN
GLEICHGEWICHT
.
248
12.3.
BANDVERBIEGUNG
UNTER
BELEUCHTUNG:
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
.
250
12.3.1.
GRUNDSAETZLICHES
.
250
12.3.2.
MODELLE
ZUR
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
.
253
12.3.2.1.
SCHWACHE
OBERFLAECHENREKOMBINATION:
JOHNSON
MODELL
.
253
12.3.2.2.
STARKE
OBERFLAECHENREKOMBINATION
.
254
12.3.2.3.
DEMBER-EFFEKT
.
255
12.4.
MODELL
ZUR
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
VON
A-SI:H
.
258
12.4.1.
RAUMLADUNG
.
258
12.4.1.1.
NAEHERUNG
KONSTANTER
QUASIFERMINIVEAUS
BTI
A-SI:H
.
258
12.4.1.2.
BERECHNUNG
DER
RAUMLADUNG
.
260
12.4.2.
OBERFLAECHENLADUNG
.
262
12.4.3.
GRAPHISCHE
BESTIMMUNG
DER
OBERFLAECHENBANDVERBIEGUNG
.
264
12.4.3.1.
ANSATZ
ZUR
GRAPHISCHEN
BESTIMMUNG
DER
OBERFLAECHENBANDVERBIEGUNG.
264
12.4.3.2.
FESTLEGUNG
DER
MODELLPARAMETER
.
264
12.4.3.3.
GRAPHISCHE
LOESUNG
.
266
12.4.4.
ANALYTISCHE
NAEHERUNG
.
269
12.5.
ZAETABHAENGIGKDT
DER
OBERFLAECHENPHOTOSPANNUNG
.
271
12.6.
ZUSAMMENFASSUNG
.
274
13.
ANALYSE
DER
AUSTRITTSARBEIT
UND
PHOTOSPANNUNG.
275
13.1.
EINLDTUNG
.
275
13.2.
AUSTRITTSARBEIT
VON
UNDOTIERTEM
A-SI:H
.
275
13.2.1.
LANGZEITABHAENGIGKEIT
DER
AUSTRITTSARBEIT.
275
13.2.2.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
AUSTRITTSARBEIT
.
276
13.3.
PHOTOSPANNUNG
VON
UNDOTIERTEM
A-SI:H
.
277
13.3.1.
BETRAG
UND
RICHTUNG
DER
BANDVERBIEGUNG
.
277
13.3.2.
STATIONAERE
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
.
279
13.3.2.1.
LOGARITHMISCHER
BEREICH
.
279
13.3.2.2.
AKTIVIERUNGSENERGIE
.
280
13.3.2.3.
PHAENOMENOLOGISCHE
ANPASSUNG
.
282
13.3.2.4.
CHARAKTERISTISCHE
LOECHERDICHTE
FUER
DIE
PHOTOSPANNUNG
.
284
13.3.3.
TRANSIENTEN
.
285
13.3.3.1.
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
DER
TRANSIENTEN
.
285
13.3.3.2.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
TRANSIENTEN
.
285
13.4.
PHOTOSPANNUNG
VON
BOR-DOTIERTEM
A-SI:H
.
286
13.5.
ZUSAMMENFASSUNG
.
287
14.
ANALYSE
DER
PHOTOMODULIERTEN
AUSBEUTEMESSUNGEN.
.
289
14.1.
UNDOTIERTES
A-SI:H
UNTER
BANDKANTENLICHT
.
289
14.1.1.
FORMALE
ANALYSE
.
289
14.1.1.1.
VERGLEICH
ZEITAUFGELOESTER
UND
FREQUENZAUFGELOESTER
MESSUNGEN
.
289
14.1.1.1.1.
TIEFPASSVERHALTEN
.
289
14.1.1.1.2.
VERTEILUNG
DER
ZEITKONSTANTEN
FUER
DEN
ABFALL
.
292
14.1.1.1.3.
SIMULATION
.
293
14.1.1.1.4.
ZEITAUFGELOESTE
MESSUNGEN
.
295
14.1.1.2.
PHAENOMENOLOGISCHE
BESCHREIBUNG
DES
MODULIERTEN
PHOTOELEKTRONENSTROMS
.
296
14.1.1.3.
ZUSAMMENFASSUNG
.
398
14.1.2.
VERGLEICH
DER
MESSDATEN
MIT
MIKROSKOPISCHEN
MODELLEN
.
398
14.1.2.1.
AENDERUNG
DER
BESETZUNGSFUNKTIONEN
.
300
14.1.2.1.1.
THERMISCHES
GLEICHGEWICHT
UNTER
MESSLICHTEINFLUSS
.
300
14.1.2.1.1.1.
BESETZUNG
IM
THERMISCHEN
GLEICHGEWICHT
.
300
14.1.2.1.1.2.
UMBESETZUNG
DURCH
BELEUCHTUNG
.
302
14.1.2.1.2.
NICHT-THERMISCHES
GLEICHGEWICHT
UNTER
MESSLICHTEINFLUSS
.
304
14.1.2.1.2.1.
AENDERUNG
DER
OBERFLAECHENBAND
VERBIEGUNG
.
304
14.1.2.1.2.2.
AENDERUNG
DER
BESETZUNGS
FUNKTIONEN
OBERFLAECHENNAHER
DEFEKTZUSTAENDE
.
306
14.1.2.1.2.2.1.
SPEKTRALE
LAGE
.
306
14.1.2.1.2.2.2.
RELATIVE
INTENSITAETS
ABHAENGIGKEIT
.
309
14.1.2.1.2.2.3.
CHARAKTERISTISCHE
GENERATIONSRATE
.
310
14.1.2.1.2.2.4.
ANSTIEGS
UND
ABFALL
TRANSIENTEN
.
311
14.1.2.1.2.2.5.
ABFALLTRANSIENTE
BEI
THERMISCHER
EMISSION
.
314
14.1.2.1.2.3.
ZUSAMMENFASSUNG
.
317
14.1.2.2.
AENDERUNG
DER
EINELEKTRONENZUSTANDSDICHTE
ALS
URSACHE
FIIR
4G
.
318
14.1.2.2.1.
VORSTUFE
ZUM
STAEBLER-WRONSKI-EFIEKT?
.
318
14.1.2.2.1.1.
METASTABILE
AENDERUNGEN DER
DEFEKTZUSTANDSDICHTE
.
318
14.1.2.2.1.2.
LICHTINDUZIERTES
AUSHEILEN
.
320
14.1.2.2.1.3.
MODELL
ZUR
TRANSIENTEN
AENDERUNG
.
321
14.1.2.2.1.4.
VERGLEICH
ZWISCHEN
THEORIE
UND
EXPERIMENT
.
322
14.1.2.2.1.4.1.
DEMARKATIONSENERGIE
UND
SPEKTRALE
FORM
.
322
14.1.2.2.1.4.2.
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
VON
AG
.
323
14.1.2.2.1.5.
ZUSAMMENFASSUNG
.
324
14.1.2.2.2.
DEFEKTRELAXATION
ALS
URSACHE
FUER
AG
.
325
14.1.2.2.2.1.
SPEKTRALER
VERGLEICH
.
325
14.1.2.2.2.2.
INTENSITAETSABHAENGIGKEIT
UND
ZEITKONSTANTEN
.
326
14.1.2.2.2.3.
TRANSIENTEN
.
327
14.1.2.2.2.4.
DOTIERUNGSABHAENGIGKEIT
.
328
14.1.2.2.2.5.
ZUSAMMENFASSUNG
.
328
14.2.
P-DOTIERTES
A-SI:H
UNTER
BANDKANTENLICHT
.
329
14.2.1.
VORBEMERKUNG
.
329
14.2.2.
100
PPM
BOR-DOTIERTE
PROBEN
.
329
14.2.2.1.
STATIONAERE
DEFEKTDICHTE
BEI
MEBLICHTBELEUCHTUNG
.
329
14.2.2.1.1.
GENERATIONSRATENABHAENGIGKEIT
DER
UEBERGANGSWAHRSCHEINLICHKEIT
.331
14.2.2.2.
ANSTIEGSTRANSIENTE
.
333
14.2.2.3.
ABFALLTRANSIENTE
.
335
14.2.3.
1000
PPM
BOR-DOTIERTE
PROBEN
.
335
14.3.
INFRAROTANREGUNG
VON
A-SI:H
.
336
14.3.1.
VORBEMERKUNG
.
336
14.3.2.
ANALYSE
DER
MESSERGEBNISSE
.
336
14.4.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
DISKUSSION
.
338
15.
BEMERKUNGEN
ZUR
AUSBEUTE-SPEKTROSKOPIE
.
341
16.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
343
17.
SYMBOLVERZEICHNIS
UND
ERLAEUTERUNGEN
.
349
18.
LITERATURZITATE
.
361 |
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