Methoden zur Simulation hochenergetischer Elektronen in Ultrakurzkanaltransistoren:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1995
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Elektrotechnik
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| Beschreibung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1995 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
5
2.1
DIE
BOLTZMANN-TRANSPORTGLEICHUNG
.
6
2.2
BANDSTRUKTUR
FUER
ELEKTRONEN
UND
LOECHER
.
8
2.3
STREUPROZESSE
.
11
3
DIE
MONTE-CARLO-METHODE
18
3.1
DER
MONTE-CARLO-ALGORITHMUS
.
19
3.2
DAS
PAULI-PRINZIP
.
19
3.3
GRUNDLAGEN
DER
STATISTISCHEN
AUSWERTUNG
.
23
3.4
GEZIELTE
VARIANZREDUKTION
.
27
4
BAUELEMENTSIMULATOR
35
4.1
KOPPLUNG
VON
BTG
UND
PG
.
36
4.1.1
FINITE-ELEMENTE-FORMULIERUNG
DER
PG
.
38
4.1.2
APPROXIMATION
DER
BEWEGUNGSGLEICHUNGEN
.
42
4.1.3
SELBSTKONSISTENTE
LOESUNG
VON
BTG
UND
PG
.
47
4.2
KLASSISCHER
LADUNGSTRANSPORT
IN
INVERSIONSKANAELEN
.
49
5
SIMULATION
SKALIERTER
MOSFETS
56
5.1
BESCHREIBUNG
DER
BAUELEMENTE
.
56
5.2
SIMULATIONSERGEBNISSE
.
61
5.3
HOCHENERGETISCHE
EFFEKTE
.
72
6
DAS
LUCKY-ELECTRON-MODELL
78
6.1
NICHTLOKALES
LUCKY-ELECTRON-MODELL
.
80
6.2
THEORETISCHE
GRUNDLAGEN
.
81
6.3
DISKUSSION
DES
MODELLS
.
86
6.3.1
HOMOGENE
SYSTEME
.
87
II
6.3.2
INHOMOGENE
SYSTEME
.
91
7
ZUSAMMENFASSUNG
99
A
VARIANZVERLUST
AUFGRUND
DES
MULTIPLE-REFRESHS
102
B
ABLEITUNG
DES
MODELLS
VON
MEINERZHAGEN
105 |
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