Nevermann, P. (1995). Modellbildung und Simulation der temperaturabhängigen Rauscheigenschaften von GaAs-MESFETs im Hochfrequenzbereich (Als Ms. gedr.). Shaker.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Nevermann, Peter. Modellbildung Und Simulation Der Temperaturabhängigen Rauscheigenschaften Von GaAs-MESFETs Im Hochfrequenzbereich. Als Ms. gedr. Aachen: Shaker, 1995.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Nevermann, Peter. Modellbildung Und Simulation Der Temperaturabhängigen Rauscheigenschaften Von GaAs-MESFETs Im Hochfrequenzbereich. Als Ms. gedr. Shaker, 1995.
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