Modellbildung und Simulation der temperaturabhängigen Rauscheigenschaften von GaAs-MESFETs im Hochfrequenzbereich:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Nevermann, Peter (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Aachen Shaker 1995
Ausgabe:Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:
Beschreibung:Zugl.: Duisburg, Univ., Diss., 1994
Beschreibung:VI, 207 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:3826505107

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