Charakterisierung des Wachstums von Halbleiter-Heterostrukturen durch Online-in-situ-Ramanspektroskopie: dargestellt an zwei Schichtsystemen (CdTe/InSb und ZnSe/GaAs)
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Köster
1995
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Wissenschaftliche Schriftenreihe Physik
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INHALTSVERZEICHNIS
SEITE
1.
EINLEITUNG
.
1
2.
RAMANSPEKTROSKOPIE
.
4
2.1.
QUANTITATIVE
BESCHREIBUNG
.
4
2.2.
RAMANSTREUQUERSCHNITT
.
5
2.3
STREUMECHANISMEN
.
7
2.4.
AUSWAHLREGELN
.
8
2.5.
TRANSFERFUNKTION
FUER
SCHICHTSYSTEME
.
10
2.5.1.
STREUUNG
IN
DER
SCHICHT
.
12
2.5.2.
STREUUNG
IM
SUBSTRAT
.
15
3.
EXPERIMENTELLE
REALISATION
.
18
3.1.
OPTISCHER
AUFBAU
.
18
3.2.
UHV-KAMMER
.
21
3.3.
DURCHFUEHRUNG
DER
MESSUNGEN
.
24
4.
ERGEBNISSE
.
25
4.1.
CDTE/INSB
.
25
4.1.1.
PRAEPARATION
DES
INSB-SUBSTRATS
.
27
4.1.2.
DEPOSITION
BEI
RAUMTEMPERATUR
.
28
4.1.3.
DEPOSITION
BEI
150C
38
4.1.4.
DEPOSITION
BEI
300C
40
4.1.5.
EINFLUSS
DER
LASERSTRAHLUNG
.
43
4.2
ZNSE/GAAS
.
48
4.2.1.
PRAEPARATION
DES
GAAS-SUBSTRATS
.
50
4.2.2.
RESONANTE
RAMANSTREUUNG
AN
ZNSE
BEI
ERHOEHTEN
TEMPERATUREN
.
52
4.2.2.1.
ABHAENGIGKEIT
DER
STREUINTENSITAET
VON
DER
ANREGUNGSENERGIE
.
52
4.2.2.2.
FREQUENZVERSCHIEBUNG
DES
LO(ZNSE)
.
62
4.2.2.3.
LINIENBREITE
UND
LINIENFORM
.
63
4.2.3.
DEPOSITION
BEI
RAUMTEMPERATUR
.
66
4.2.4.
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
GAAS
UND
ZNSE
BEI
ERHOEHTEN
TEMPERATUREN
70
4.2.5.
DEPOSITION
BEI
ERHOEHTEN
SUBSTRATTEMPERATUREN
.
73
4.2.6.
EINFLUSS
DER
LASERSTRAHLUNG
.
77
4.2.7.
RELAXATION
VON
STRESS
IN
DER
ZNSE-SCHICHT
.
80
5.
ZUSAMMENFASSUNG
.
86
REFERENZEN
.
88 |
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