Feldangepaßte Eingangswellenleiter für verlustarme Faser-Chip-Verbindungen im InGaAsP-InP-Materialsystem:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1994
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| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschrittberichte VDI / 10]
314 |
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| adam_text | Titel: Feldangepaßte Eingangswellenleiter für verlustarme Faser-Chip-Verbindungen im InGaAsP InP-Material
Autor: Pohl, Alexandre De A. P
Jahr: 1994
V Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 1 1.1 Faser-Chip-Kopplungsproblem . :.......................... 2 1.2 Integrierte Taperanordnung............................. 3 2 Eigenschaften von InGaAsP und InP 6 2.1 Brechungsindex von InGaAsP und InP..... 7 2.2 Absorptionsverlauf von InP ............................. 10 2.3 n /n + InP-Wellenleiter ............................... 12 3 Theoretische Grundlagen I 5 3.1 Maxwellsche Gleichungen............................... 15 3.2 Wellengleichungen................................... 17 3.3 Lösung der Wellengleichungen.................. 18 3.4 Anregungswirkungsgrad............................... 21 3.5 Dimensionierung des Eingangswellenleiters..................... 24 4 Technologie 31 4.1 Flüssigphasen-Epitaxie................................ 31
VI INHALTSVERZEICHNIS 4.1.1 Epitaxieanlage ................................ 32 4.1.2 Wachstum von dicken, undotierten Schichten................ 34 4.1.3 Überwachsen strukturierter Substrate.................... 38 4.1.4 Wachsen der Deckschicht.......................... . 39 4.1.5 Charakterisierung epitaktischer Schichten.................. 41 4.2 Strukturierung .................................... 44 4.2.1 Photolithographie...... . ........................ 44 4.2.2 Naßchemisches Ätzen............................. 45 4.3 Herstellungsvorgänge................................. 52 5 Optische Charakterisierung 80 5.1 Rückschneideverfahren................................ 60 5.1.1 Messungen an Rippenwellenleitern ..................... 62 5.2 Nahfeldverfahren.................................... 65 5.2.1 Messungen an Rippen- und symmetrischen Wellenleitern......... 68 6 Antireflexionsbeschichtungen 75 6.1 Design von Antireflexionsbeschichtungen...................... 75 6.1.1 Herstellung der AR-Schichten........................ 80 7 Diskussion und Ausblick 83 A Herstellungsschritte 87 B Symbolverzeichnis 91
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