Herstellung und Charakterisierung von Cadmium-Tellurid-Feldeffekttransistoren:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
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1993
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
GESCHICHTE
.
1
1.2
SILIZIUM
-
III-V
-
II-VI
.
2
1.3
SELBSTKOMPENSATION
.
3
1.4
FELDEFFEKTTRANSISTOREN
.
4
1.5
II-VI-TECHNOLOGIE
IN
WUERZBURG
.
4
2
THEORIE
DER
BAUELEMENTE
7
2.1
SCHOTTKY
-
DIODEN
.
7
2.2
EINFACHE
THEORIE
ZUR
BESCHREIBUNG
VON
MES-FETS
.
10
2.3
ERSATZSCHALTBILDER
.
14
2.3.1
ERSATZSCHALTBILD
EINER
SCHOTTKY-DIODE
.
15
2.3.2
REDUNDANZ
.
16
2.4
HALBLEITERKONTAKTE
AUF
DUENNEN
SCHICHTEN
.
17
2.4.1
YYOHM
'
SCHE
"
KONTAKTE
.
18
2.4.2
SCHOTTKY-KONTAKTE
.
26
3
TECHNOLOGIE
29
3.1
HERSTELLUNGSSCHRITTE
AUSGEWAEHLTER
BAUELEMENTE
.
29
3.1.1
FELDEFFEKTTRANSISTOR
.
29
3.1.2
LEUCHTDIODE
MIT
RUECKSEITENKONTAKT
.
32
3.1.3
PLANAR
AUFGEBAUTE
STRUKTUR
FUER
VERTIKALEN
TRANSPORT
.
32
3.1.4
HALLSTRUKTUR
.
33
3.2
BESCHREIBUNG
DER
EINZELNEN
PROZESSSCHRITTE
.
33
3.2.1
HERSTELLUNG
DER
MASKENVORLAGEN
.
34
II
INHALTSVERZEICHNIS
3.2.2
HERSTELLUNG
DER
MASKEN
.
35
3.2.3
BELACKEN
DER
PROBEN
.
35
3.2.4
PHOTOLITHOGRAPHIE
.
35
3.2.5
STRIPPEN
.
36
3.2.6
AETZEN
.
37
3.2.7
METALLISIERUNG
.
40
3.2.8
LIFT-OFF
.
41
3.2.9
STRUKTURIERTES
AETZEN
VON
INDIUMSCHICHTEN
.
42
3.2.10
KONTAKTIEREN
.
.
.
.
.
43
3.2.11
TEMPERN
.
44
4
CHARAKTERISIERUNG
DER
BAUELEMENTE
47
4.1
MESSUNG
UND
AUSWERTUNG
VON
CDTE-MES-FETS
.
48
4.1.1
CHARAKTERISIERUNG
DER
GATE-DIODEN
.
52
4.1.2
AUSWERTUNG
DES
SAETTIGUNGSBEREICHES
.
59
4.1.3
AUSWERTUNG
DES
ANLAUFBEREICHES
.
60
4.2
LEUCHTDIODEN
.
63
4.2.1
HERSTELLUNG
.
63
4.2.2
ELEKTRISCHE
MESSUNG
AN
DEN
DIODEN
.
64
4.2.3
ELEKTROLUMINESZENZ
.
65
4.3
VERTIKALER
TRANSPORT
.
68
4.3.1
AUSWERTUNG
DER
MESSUNGEN
.
73
4.4
TEMPERN
VON
SUBSTRATEN
.
77
5
ZUSAMMENFASSUNG
83 |
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