Optisch aktivierte Galliumarsenidschalter für die Erzeugung von Hochleistungsimpulsen:
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Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1994
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Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschrittberichte VDI / 21]
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adam_text | Titel: Optisch aktivierte Galliumarsenidschalter für die Erzeugung von Hochleistungsimpulsen
Autor: Katschinski, Ulf
Jahr: 1994
Inhaltsverzeichnis V Inhaltsverzeichnis Einleitung 1 1 Hochleistungsimpulserzeugung mit leitungsförmigen Energie- 4 speichern 1.1 Leitungsförmige Energiespeichersysteme 4 1.2 Pulsbeeinflussung durch Schaltereigenschaften 6 1.3 Überlegungen zur Schaltergestaltung 9 1.3.1 Optische Aktivierung 9 1.3.2 Spannungsfestigkeit und Elektrodenanordnung 17 1.4 Ziel der Untersuchungen 19 2 Versuchs- und Meßeinrichtungen 21 2.1 Impulssystem, Impedanz 50 Q 22 2.2 Impulssystem, Impedanz 1 fl 25 2.3 Optische Einrichtungen zur Aktivierung der Halbleiter- 28 Schalter 2.4 Photographische Einrichtungen 30 3 Grundsatzuntersuchungen zum Schaltverhalten 32 3.1 Charakteristische Schaltvorgänge 32 3.2 Stromverteilung im Schalter und absorbierte Energie 37
VI Inhaltsverzeichnis 3.3 Einfluß der Dotierung des Schaltermaterials 41 3.4 Einfluß der Kontaktausführung 45 3.5 Gezielte Einleitung der nichtlinearen Photoleitfahigkeit 49 3.5.1 Beeinflussung durch die Bestrahlung 49 3.5.2 Beeinflussung durch die zu schaltende Spannung 55 3.6 Einsatz und Verlauf der Filamentierung bei nichtlinearer 58 Photoleitfähigkeit 4 Untersuchungen zur Hochleistungspulserzeugung mit nieder- 66 impedanter Bandleitungsanordnung nach Blumlein 4.1 Hochspannungstechnische Ausführung der Schalter 67 4.2 Parallelbetrieb von 5 Schaltelementen 69 4.2.1 Einfluß der Bestrahlung auf das Schaltverhalten 70 4.2.2 Einfluß der Ladespannung auf das Schaltverhalten 73 Zusammenfassung 78 Bildteil 83 Literaturverzeichnis 129
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