Verfügbarkeit: MOVPE-Schichten aus III - V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten

MOVPE-Schichten aus III - V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten:

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Tang, Guang-Ping (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1994
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 5] 360
Schlagworte:	Dünne Schicht MOCVD-Verfahren Indiumphosphid Silicium Galliumarsenid Halbleitersubstrat Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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adam_text	V INHALTSVERZEICHNIS INHALT S VERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 1.1 HISTORISCHER UEBERBLICK............................ . . . 1 1.2 PROBLEME UND THEMENSTELLUNG........................... 2 2 ENTSPANNUNGSPROZESSE 5 2.1 PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN ............................. 5 2.1.1 KRISTALLBAUFEHLER.............................. 6 2.1.2 ELASTIZITAETSTHEORIE UND VERSETZUNGSVERHALTEN............... 8 2.2 THEORETISCHE MODELLE ............................... 10 2.2.1 MODELL VON VAN DER MERWE......................... 11 2.2.2 MODELL VON MATTHEWS ........................... 12 2.2.3 MODELL VON PEOPLE UND BEAN ....................... 12 2.3 KINETISCHES MODELL VON DODSON UND TSAO .................... 13 2.3.1 ENTWICKLUNG DES MODELLS.......................... 13 2.3.2 ERWEITERUNGEN DES MODELLS......................... 15 2.4 ANWENDUNGEN DES MODELLS............................. 17 3 SIMULATION DER ATZGRUBENDICHTE 22 3.1 VERSETZUNGSMULTIPLIKATION............................. 22 3.2 SIMULATION DER ATZGRUBENDICHTE PEPD ...................... 23 3.2.1 MODELL VON YAMAGUCHI MODELL....................... 23 3.2.2 MODELL VON DODSON............................. 25 3.3 NEUES MODELL.................................... 26 3.4 ANWENDUNG UND VERGLEICH............................. 27 4 WACHSTUM VON INP- UND GAAS-SCHICHTEN AUF (OOL)-SI 29 4.1 MOVPE-TECHNOLOGIE................................ 29 4.2 VORBEHANDLUNG DES SI-SUBSTRATS DURCH ASH 3 ................... 30 4.2.1 EINFLUSS DER TEMPERATUR .......................... 33 4.2.2 EINFLUSS DER DAUER ............................. 35 4.3 III/V-PUFFERSCHICHTEN AUF EXAKTEM (OOL)-SI.................... 38 4.3.1 INP-PUFFERSCHICHT.............................. 38 4.3.2 GAAS-PUFFERSCHICHT............................. 41 4.4 OPTIMIERUNG DES WACHSTUMSPROZESSES....................... 43 INHALTSVERZEICHNIS VI 5 SELEKTIVES WACHSTUM FEHLANGEPASSTER III/V-SCHICHTEN 45 5.1 UEBERBLICK...................................... 45 5.2 ENTWICKLUNG EINES NEUEN WACHSTUMSPROZESSES.................. 47 5.3 ERGEBNISSE...................................... 48 5.3.1 UNTERSUCHUNG DER SELEKTIVITAET....................... 48 5.3.2 SELEKTIV GEWACHSENES INP UND GAAS.................... 50 6 CHARAKTERISIERUNG 54 6.1 KRISTALLINE QUALITAET................................. 54 6.1.1 EIGENSCHAFTEN DER VERWENDETEN AETZLOESUNGEN............... 54 6.1.2 ANTIPHASEN-DOMAENEN (APD) ....................... 56 6.1.3 ZWILLINGSLAMELLE............................... 58 6.1.4 DXRD-UNTERSUCHUNGEN UND VERSETZUNGEN................ 59 6.2 PL- UND PLM-UNTERSUCHUNGEN........................... 67 6.2.1 GRUNDLAGE UND RESTSPANNUNG....................... 67 6.2.2 PL-MESSERGEBNISSE.............................. 69 6.2.3 PLM-UNTERSUCHUNGEN ........................... 72 6.3 ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN.............................. 75 6.3.1 LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION UND IHR PROFIL................ 76 6.3.2 BEWEGLICHKEIT................................ 79 7 ZUSAMMENFASSUNG 84 VERWENDETE SYMBOLE 86 LITERATUR 90
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