Zur Grenzflächendotierung von Metall/Halbleiter-Kontakten:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1993
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| Beschreibung: | Duisburg, Univ., Diss., 1993 |
| Beschreibung: | 207 S. zahlr. graph. Darst. |
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INHALT
1.
EINLEITUNG
1
2.
EXPERIMENTELLE
BEDINGUNGEN
11
2.1
DAS
KRISTALLMATERIAL
11
2.2
APPARATIVER
MESSAUFBAU
12
2.2.1
MESSAPPARATUR
I
12
2.2.2
MESSAPPARATUR
II
22
3.
ZUR
ADSORPTION
NICHTMETALLISCHER
ADSORBATE
AUF
GAAS(
110)
-
OBERFLAECHEN
23
3.1.
CL
2
:GAAS(U0)
UND
BR
2
:GAAS(110)
23
3.1.1
BISHERIGE
ERGEBNISSE
23
3.1.2
ERGAENZENDE
ERGEBNISSE
ZUR
CHEMISCHEN
ANALYSE
DES
SYSTEMS
CL
2
:GAAS(110)
29
3.2
ZUR
ADSORPTION
VON
JOD
AUF
GAAS
-
SPALTFLAECHEN
35
3.2.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
35
3.2.1.1
PHOTOEMISSIONSSPEKTROSKOPIE
MIT
ROENTGENLICHT
35
3.2.1.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
39
3.2.2
DISKUSSION
42
3.2.2.1
BEDECKUNGSBESTIMMUNG
UND
ADSORPTIONSPLAETZE
42
3.2.2.2
AENDERUNG
DER
LONISIERUNGSENERGIE
UND
DER
BANDVERBIEGUNG
48
3.3
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
ADSORPTION
VON
JOD
AUF
INP-SPALTFLAECHEN
57
3.3.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
57
3.3.2
DISKUSSION
58
3.4
ZUR
ADSORPTION
VON
SCHWEFEL
AUF
GAAS(LLO)
60
3.4.1
BISHERIGE
ERGEBNISSE
60
3.4.2
ERGAENZENDE
MESSUNGEN
61
3.4.2.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
61
3.4.2.2
DISKUSSION
70
3.5
ZUR
ADSORPTION
VON
STICKSTOFF
AUF
GAAS(
110)
75
4.
ZUR
ADSORPTION
VON
SILBER
AUF
GAAS(LLO)
76
4.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
76
4.1.1
PHOTOEMISSIONSSPEKTROSKOPIE
MIT
ROENTGENLICHT
76
4.1.2
AUSTRITTSARBEITSMESSUNGEN
UND
UPS
80
4.2
DISKUSSION
86
4.2.1
CHEMISCHES
VERHALTEN
86
4.2.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
91
5.
ZUR
GRENZFLAECHENDOTIERUNG
VON
AG/GAAS(110)-KONTAKTEN
MIT
I,
S
UND
N
97
5.1
AG/I
2
:GAAS(110)
100
5.1.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
100
5.1.1.1
CHEMISCHE
EIGENSCHAFTEN
100
5.1.1.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
105
5.1.2
DISKUSSION
115
5.1.2.1
CHEMISCHE
ANALYSE
115
5.1.2.2
ELEKTRONISCHES
VERHALTEN
AN
DER
GRENZFLAECHE
117
5.1.3
ZUSAMMENFASSUNG
121
5.2.
ZUR
GRENZFLAECHENDOTIERUNG
VON
METALL/HALBLEITER
KONTAKTEN
MIT
SCHWEFEL
123
5.2.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
125
5.2.1.1
CHEMISCHE
EIGENSCHAFTEN
125
5.2.1.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
135
5.2.2
DISKUSSION
143
5.2.2.1
SEGREGATION
DES
SCHWEFELS
AN
DER
AG-BEDECKTEN
OBERFLAECHE
143
5.2.2.2
DIE
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
GRENZFLAECHE
147
5.3
AG/N:GAAS(110)
151
5.3.1
EXPERIMENTELLE
ERGEBNISSE
152
5.3.1.1
CHEMISCHE
EIGENSCHAFTEN
152
5.3.1.2
ELEKTRONISCHE
EIGENSCHAFTEN
158
5.3.2
DISKUSSION
163
5.3.2.1
WACHSTUMSMECHANISMUS
163
5.3.2.2
ELEKTRONISCHES
VERHALTEN
AN
DER
GRENZFLAECHE
164
5.4
GEGENUEBERSTELLUNG
DER
ERGEBNISSE
UND
VERGLEICH
MIT
ANDEREN
ARBEITEN
167
6.
ZUSAMMENFASSUNG
183
LITERATURVERZEICHNIS
185 |
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