Gasphasen-Epitaxie von Siliziumkarbid:
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1994
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INHALT
1.
EINLEITUNG
1.1.
HISTORISCHES
.
1
1.2.
EIGENSCHAFTEN
VON
SIC
.
1
1.4.
EPITAXIE
VON
SIC
.
5
2.
MATERIALHERSTELLUNG
2.1.
SUBSTRATE
.
8
2.1.1.
HERSTELLUNG
.
8
2.1.2.
PRAEPARATION
VON
SUBSTRATEN
FUER
EPITAXIE
MIT
CVD
.
9
2.2.
EPITAXIE-APPARATUR
.
11
2.2.1.
GASVERSORGUNG/REGELUNG
.
11
2.2.2.
REAKTIONSSYSTEM/HEIZUNG
.
14
2.3.
STANDARD-PROZESS
.
17
2.4.
DOTIERUNG
DER
SCHICHTEN
.
19
2.4.1.
N-DOTIERUNG
.
19
2.4.2.
P-DOTIERUNG
.
20
2.5.
HERGESTELLTE
PROBEN
.
21
3.
EINFLUESSE
DER
WACHSTUMSPARAMETER
AUF
DAS
SCHICHTWACHSTUM
UND
DIE
PHYSIKALISCHEN
EIGENSCHAFTEN
DER
EPITAXIESCHICHTEN
3.1.
SUBSTRAT-EIGENSCHAFTEN
.
25
3.2.
TEMPERATUR
.
28
3.3.
ARBEITSGASFLUESSE
.
29
3.4.
TRAEGERGASE
.
30
3.5.
DOTIERUNG
.
32
4.
PROZESSANALYSE
4.1.
SIMULATIONSRECHNUNGEN
.
34
4.1.1.
TEMPERATUR
IM
SUSZEPTOR
.
36
4.1.2.
BEDINGUNGEN
IM
GESAMTEN
REAKTOR
.
39
4.1.2.1.
ALTE
GEOMETRIE
.
39
4.1.2.2.
NEUE
GEOMETRIE
.
42
4.1.2.2.1.
STANDARDPROZESS
.
43
4.1.2.2.2.
MISCHTRAEGERGASE
.
46
4.I.2.2.3.
VERSCHIEDENE
SUSZEPTORTEMPERATUREN
.
47
4.1.2.2.4.
VARIATIONEN
ZUR
UNTERDRUECKUNG
DER
WIRBELBILDUNG
.
51
4.I.2.2.4.I.
SKALIERUNG
DER
GROESSE
.
51
4.
1.2.2.4.2.
GASFLUSS
.
53
4.1.3.
DISKUSSION
WEITERER
GEOMETRIEN
.
56
4.1.3.1.
COLD-WALL
UND
HOT-WALL-TYP
.
56
4.1.3.2.
MODIFIKATIONEN
DER
REALEN
GEOMETRIE
.
57
4.2.
CHEMIE
DER
GASPHASE
UND
WACHSTUMSGRENZE:
WASSERSTOFF
ALS
TRAEGERGAS
.
59
4.2.1.
STOECHIOMETRIEPROBLEM
.
59
4.2.1.1.
KOHLENSTOFFBILANZ
DER
GASPHASE
.
59
4.2.1.2.
C-H-SCHWINGUNGEN
.
69
4.2.1.3.
SI-H-SCHWINGUNGEN
.
73
4.2.2.
CHEMIE
DER
TRAEGERGASE
.
73
4.2.2.1.
WASSERSTOFF-AETZE
.
73
4.2.2.2.
MISCHTRAEGERGASSYSTEME
.
75
4.3.
MASSENSPEKTROMETRIE
.
79
5.
CHARAKTERISIERUNG
DER
EPITAXIESCHICHTEN
5.1.
SCHICHTDICKENBESTIMMUNG
.
84
5.2.
OBERFLAECHENTNORPHOLOGIE
.
86
5.2.1
.OBERFLAECHEN
NACH
EPITAKTISCHEM
SCHICHTWACHSTUM
.
86
5.2.2
WASSERSTOFF-AETZE
.
89
5.3.
SEKUNDAER-IONEN
MASSENSPEKTROMETRIE
(SIMS-)
MESSUNGEN
.
91
5.4.
ELEKTRISCHE
MESSUNGEN
.
93
5.4.1
.KAPAZITAETS-MESSUNGEN
.
94
5.4.2.HALL-EFFEKT-MESSUNGEN
.
95
5.4.4.SPREADING
RESISTANCE
MESSUNGEN
.
96
5.5.
PHOTOLUMINESZENZ
.
99
6.
PN-DIODEN
6.1.
PROZESSIERUNG
.
101
6.1.1.
MESA-STRUKTURIERUNG
.102
6.1.2.
PASSIVIERUNG
.104
6.2.
CHARAKTERISIERUNG
.
105
6.2.1.
ERGEBNISSE
DER
J-V-MESSUNGEN
.
105
6.2.2.
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DES
SPERRSTROMS
.
107
7.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
108
LITERATURVERZEICHNIS
111 |
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