Spektroskopie tiefer Störstellen in Halbleitern durch Injektion von Elektronen und Licht:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1994
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
.
1
2.
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
.
3
2.1.
THERMISCHE
UND
OPTISCHE
EMISSIONS-UND
EINFAENGRATEN
.
3
2.2.
STANDARD-DLTS
UND
OPTISCHE
DLTS
.
4
2.3.
DAS
PRINZIP
DER
SCANNING-DLTS
.
8
2.4.
STROM
UND
KAPAZITAETS-SDLTS
.
10
2.5.
DAS
EBIC-PRINZIP
.
13
3.
EXPERIMENTELLES
.
15
3.1.
AUFBAU
DES
SDLTS-SPEKTROMETERS
.
15
3.1.1.
ENTWICKLUNG
DER
KAPAZITAETSMESSBRUECKE
.
15
3.1.2.
DAS
SDLTS-SPEKTROMETER
IM
STROMMODUS
.
17
3.2.
AUFTAU
DER
OPTISCHEN
DLTS
.
19
3.3.
PROBENPRAEPARATION
.
21
4.
ERGEBNISSE
.
24
4.1.
PLASTISCH
VERFORMTES
N-SI
.
24
4.1.1.
STANDARD-DLTS
.
24
4.1.2
STANDARD-EBIC
.
26
4.1.3
OPTISCHE
DLTS
.
33
4.1.4
ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTE
DLTS
.
36
4.1.5
SDLTS-UND
EBIC-LINESCANS
.
44
4.2.
PLASTISCH
VERFORMTES
P-SI
.
53
4.3.
KRATZER
AUFN-SI
.
57
4.4.
HAERTEEINDRUCK
AUF
GAAS
.
62
5.
DISKUSSION
.
68
5.1
QUASIFERMINRVEAUS
UND
DEMARKATIONSENERGIEN
UNTER
BELEUCHTUNG
.
68
5.2
STROMTRANSIENTE
FUER
EIN
AMPHOTERES
DEFEKTNIVEAU
.
74
5.3
OPTISCHE
UND
LOKALE
DLTS-SPEKTREN
IN
PLASTISCH
VERFORMTEM
SI
.
76
5.4
RAEUMLICHE
VERTEILUNG
DER
DEFEKTE
.
84
6.
ZUSAMMENFASSUNG
.
86
7.
LITERATURVERZEICHNIS
.
89 |
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