Heteroepitaxie oxidischer Schichten auf Silizium (001) als Diffusionsbarrieren für Hochtemperatursupraleiter:
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INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
3
2.
EXPERIMENTELLE
METHODEN
7
2.1
PRAEPARATIONSVERFAHREN
8
2.1.1
THERMISCHES
VERDAMPFEN
9
2.1.2
BESCHREIBUNG
DES
DEPOSITIONSPROZESSES
12
2.1.3
KATHODENZERSTAEUBEN,
LASERDEPOSITION
14
2.2
CHARAKTERISIERUNG
DER
PROBEN
16
2.2.1
SPEKTROSKOPISCHE
METHODEN
16
2.2.2
STRUKTURELLE
CHARAKTERISIERUNG
22
2.2.3
SPANNUNGSMESSUNG
DURCH
VERBIEGUNGSBESTIMMUNG
27
2.2.4
MESSMETHODEN
SUPRALEITENDER
EIGENSCHAFTEN
30
2.2.5
AUSWERTUNG
DER
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPISCHEN
32
MESSUNGEN
2.2.6
AUSWERTUNG
DER
SPANNUNGSMESSUNGEN
33
3.
ERGEBNISSE
36
3.1
REDUKTION
UND
NACHTRAEGLICHE
BILDUNG
DES
SIC 2
36
3.1.1
YTTRIA-STABILISIERTES
ZIRKONOXID
ALS
PRIMAERSCHICHT
36
3.1.2
NACHTRAEGLICHE
REOXIDATION
AN
DER
GRENZFLAECHE
42
YSZ
/
SILIZIUM
3.1.3
Y2O3
ALS
PRIMAERSCHICHT
44
3.2
FRUEHSTADIEN
DES
WACHSTUMS
48
3.2.1
WACHSTUM
DES
YSZ
48
3.2.2
WACHSTUM
DES
Y2O3
54
3.2.3
SILIZIDBILDUNG
AN
DER
GRENZFLAECHE
YSZ
/
SILIZIUM
57
3.3
STRUKTURUNTERSUCHUNGEN
SPAETERER
WACHSTUMSSTADIEN
59
3.4
SPANNUNGEN
IN
OXIDSCHICHTEN
67
3.4.1
EPITAKTISCHE
SPANNUNGEN
69
3.4.2
WACHSTUM
VONY2UE3
OHNE
EPITAKTISCHE
SPANNUNGEN
72
3.4.3
THERMISCHE
SPANNUNGEN
74
3.5
EIGENSCHAFTEN
VON
YBCO-SCHICHTEN
AUF
77
SILIZIUM
UND
"SILICON
ON
SAPPHIRE"-SUBSTRATEN
4.
DISKUSSION
84
4.1
ABLAUF
DER
REDUKTION
DES
SIUE2
84
4.2
FRUEHSTADIEN
DES
WACHSTUMS
87
4.3
SPANNUNGEN
IN
OXIDISCHEN
DIFIUSIONSBARNEREN
91
4.4
SUPRALEITENDE
SCHICHTEN
93
5.
ZUSAMMENFASSUNG
95
ANHANG
97
LITERATURVERZEICHNIS
99 |
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| topic_facet | Silicium Kristallfläche Oxide Hochtemperatursupraleiter Oxidschicht Diffusionsbarriere Heteroepitaxie Hochschulschrift Diffussionsbarriere |
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