Prozeßinduzierte mechanische Spannungen in TiSi-2-Schichten Während der Temperung in einem RTP-System:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1994
|
| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 3]
353 |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
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VERZEICHNIS
DER
VERWENDETEN
SYMBOLE
UND
ABKUERZUNGEN
VII
1.
EINLEITUNG
1
2.
EINFLUSS
MECHANISCHER
SPANNUNGEN
IN
INTEGRIERTEN
SCHALTUNGEN
3
3.
ENTSTEHUNG
MECHANISCHER
SPANNUNGEN
IN
DUENNEN
SCHICHTEN
6
3.1.
THERMISCHE
SPANNUNGEN
8
3.2.
ABSCHEIDUNGSBEDINGTE
SPANNUNGEN
8
3.3.
SPANNUNGEN
DURCH
CHEMISCHE
REAKTIONEN
UND
PHASENUMWANDLUNGEN
10
3.4
SPANNUNGSRELAXATION
11
3.4.1.
THEORETISCHE
SCHUBFESTIGKEIT
11
3.4.2.
VERSETZUNGSGLEITEN
12
3.4.3.
VERSETZUNGSKLETTERN
14
3.4.4.
SPANNUNGSRELAXATION
DURCH
DIFFUSIONSVORGAENGE
16
3.4.5.
EINFLUSS
DER
SPANNUNG
AUF
DIE
DIFFUSIONSGESCHWINDIGKEIT
17
3.4.6.
BERUECKSICHTIGUNG
DER
BINDUNG
DES
FILMS
AN
DAS
SUBSTRAT
18
3.5.
BERECHNUNG
DER
GESAMTSPANNUNG
21
4.
BESCHREIBUNG
DER
MESSAPPARATUR
23
4.1.
MESSUNG
DER
SCHICHTSPANNUNG
23
4.2.
DAS
RTP-SYSTEM
27
4.3.
BESTIMMUNG
DER
WAFERTEMPERATUR
28
5.
CHARAKTERISIERUNG
DER
MESSAPPARATUR
36
5.1.
EMISSIONSGRAD
DER
WAFER
36
5.2.
THERMISCHES
VERHALTEN
DER
WAFER
39
5.3.
TEMPERATURVERTEILUNG
IM
WAFER
44
V
52
52
53
53
55
59
61
62
66
76
80
83
88
88
90
91
95
100
102
107
UNTERSUCHUNGEN
AN
TISI
2
TISI
2
IN
DER
HALBLEITERTECHOLOGIE
UNTERSUCHUNGEN
AN
UNSTRUKTURIERTEN
SCHICHTEN
SCHICHTHERSTELLUNG
TEMPERUNG
IM
RTP-SYSTEM
SPEZIFISCHER
WIDERSTAND
UND
REM-UNTERSUCHUNGEN
EMISSIONSGRAD
DER
C54~PHASE
IR-EMISSION
MECHANISCHE
SPANNUNGEN
ELASTISCHES
VERHALTEN
HORIZONTALE
DEHNUNG
BILDUNGSTEMPERATUREN
DER
TISI
2
-PHASEN
UNTERSUCHUNGEN
AN
STRUKTURIERTEN
TISI
2
-SCHICHTEN
STRUKTURIERUNG
UND
TEMPERUNG
SPANNUNGSMESSUNG
VERTIKALE
DEHNUNG
UND
VOLUMENKONTRAKTION
SPEZIFISCHER
WIDERSTAND
UND
OBERFLAECHENRAUHIGKEIT
ZUSAMMENFASSUNG
LITERATURVERZEICHNIS
ANHANG
VI
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