Modellbildung von Leistungsdiode und Leistungs-MOSFET zur Anwendung in einem Netzwerksimulationsprogramm:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
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1993
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INHALTSVERZEICHNIS
IN
INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
1
2.
PHYSIKALISCHE
GRUNDLAGEN
ZUR
MODEJLBILDUNG
VON
SILIZIUM
-
3
LEISTUNGSHALBLEITERBAUDEMENTEN
2.1
REKOMBINATIONSMECHANISMEN
6
2.2
STROMTRANSPORT
UND
SPEICHERLADUNG
10
2.3
STATIONAERE
DURCHLASSKENNLINIE
EINER
LEISTUNGSDIODE
16
2.4
MASSNAHMEN
ZUR
VERBESSERUNG
DER
SCHALTEIGENSCHAFTEN
BIPOLARER
19
BAUELEMENTE
2.5
BEWEGLICHKEITSMODULATION
UND
SAETTIGUNGSGESCHWINDIGKEIT
21
2.6
STOSSIONISATION
UND
DURCHBRUCHSPANNUNG
23
2.7
STROMTRANSPORT
IN
EINER
RAUMLADUNGSZONE
25
2.8
DIFFUNDIERTE
PN-UEBERGAENGE
28
3.
DAS
MODELL
EINER
LEISTUNGSDIODE
31
3.1
BESCHREIBUNG
DES
EINSCHALTVERHALTENS
32
3.2
SIMULATIONSERGEBNISSE
BEIM
EINSCHALTEN
41
3.3
BESCHREIBUNG
DES
ABSCHALTVERHALTENS
45
3.4
SIMULATIONSERGEBNISSE
BEIM
ABSCHALTEN
63
3.5
DAS
NETZWERKMODELL
67
3.6
ERMITTLUNG
DER
MODELLPARAMETER
71
4.
DAS
MODELL
EINES
LEISTUNGS-MOS-FELDEFLEKTTRANSISTORS
74
4.1
STATIONAERES
BETRIEBSVERHALTEN
76
4.2
DYNAMISCHES
BETRIEBSVERHALTEN
80
4.3
ERMITTLUNG
DER
MODELLPARAMETER
84
4.4
SIMULATION
UND
MESSUNG
DES
SCHALTVERHALTENS
EINES
MOSFET
89
5.
ERGEBNISSE
AUS
MESSUNG
UND
SIMULATION
93
5.1
EINSCHALTVERHALTEN
EINER
LEISTUNGSDIODE
BEIM
BETRIEB
MIT
93
WIDERSTANDSLAST
5.2
SCHALTVERHALTEN
DER
HALBLEITERBAUELEMENTE
EINES
TIEFSETZSTELLERS
97
BEIM
BETRIEB
MIT
INDUKTIVER
LAST
5.3
AUSWERTUNG
EINIGER
SIMULATIONSERGEBNISSE
107
IV
INHALTSVERZEICHNIS
6.
ZUSAMMENFASSUNG
117
7.
LITERATURVERZEICHNIS
120
8.
VERZEICHNIS
DER
VERWENDETEN
FORMELZEICHEN
125
A
AL
ANHANG
ZUR
VERNACHLAESSIGUNG
DES
FELDSTAERKEGRADIENTEN
IM
QUASI
131
NEUTRALEN
MITTELGEBIET
A2
DER
EINFLUSS
DER
GRUNDDOTIERUNG
AUF
DIE
STATIONAERE
DURCHLASSKENN
133
LINIE
EINER
LEISTUNGSDIODE
A3
MESSAUFBAU
ZUR
UNTERSUCHUNG
DES
SCHALTVERHALTENS
VON
LEISTUNGS
136
HALBLEITERBAUELEMENTEN |
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