Proceedings of the International Conference on Defects in Semiconductors: 14,3. Paris, France, Aug. 18 - 22, 1986. - 1986. - XXVIII S., S. 827 - 1270 : zahlr. graph. Darst.
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: International Conference on Defects in Semiconductors (VerfasserIn)
Format: Tagungsbericht Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: Aedermannsdorf u.a. Trans Tech Publ. 1986
Schriftenreihe:Materials science forum 10/12,3
Schlagworte:

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