Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1987
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 149 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV009227467 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 940313s1987 m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)246557445 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV009227467 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-29T |a DE-188 | ||
| 100 | 1 | |a Cohausz, Ludwig |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| 264 | 1 | |c 1987 | |
| 300 | |a 149 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Kassel, Univ., Diss., 1987 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a Tiefe Störstelle |0 (DE-588)4185419-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Leitfähigkeit |0 (DE-588)4120663-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Hall-Effekt |0 (DE-588)4023028-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Tiefe Störstelle |0 (DE-588)4185419-6 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Hall-Effekt |0 (DE-588)4023028-4 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Leitfähigkeit |0 (DE-588)4120663-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006136156 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804123670821470208 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Cohausz, Ludwig |
| author_facet | Cohausz, Ludwig |
| author_role | aut |
| author_sort | Cohausz, Ludwig |
| author_variant | l c lc |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV009227467 |
| ctrlnum | (OCoLC)246557445 (DE-599)BVBBV009227467 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01293nam a2200373 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV009227467</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">940313s1987 m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)246557445</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV009227467</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Cohausz, Ludwig</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1987</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">149 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Kassel, Univ., Diss., 1987</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Tiefe Störstelle</subfield><subfield code="0">(DE-588)4185419-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Leitfähigkeit</subfield><subfield code="0">(DE-588)4120663-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Hall-Effekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4023028-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Tiefe Störstelle</subfield><subfield code="0">(DE-588)4185419-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Hall-Effekt</subfield><subfield code="0">(DE-588)4023028-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Leitfähigkeit</subfield><subfield code="0">(DE-588)4120663-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006136156</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV009227467 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:33:28Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006136156 |
| oclc_num | 246557445 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29T DE-188 |
| owner_facet | DE-29T DE-188 |
| physical | 149 S. |
| publishDate | 1987 |
| publishDateSearch | 1987 |
| publishDateSort | 1987 |
| record_format | marc |
| spelling | Cohausz, Ludwig Verfasser aut Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen 1987 149 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Kassel, Univ., Diss., 1987 Tiefe Störstelle (DE-588)4185419-6 gnd rswk-swf Leitfähigkeit (DE-588)4120663-0 gnd rswk-swf Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Tiefe Störstelle (DE-588)4185419-6 s Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 s Leitfähigkeit (DE-588)4120663-0 s DE-604 |
| spellingShingle | Cohausz, Ludwig Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen Tiefe Störstelle (DE-588)4185419-6 gnd Leitfähigkeit (DE-588)4120663-0 gnd Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4185419-6 (DE-588)4120663-0 (DE-588)4023028-4 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4113937-9 |
| title | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_auth | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_exact_search | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_full | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_fullStr | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_full_unstemmed | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_short | Charakterisierung tiefer Störstellen in Silizium anhand der differentiellen Analyse von Halleffekt- und Widerstandsmessungen |
| title_sort | charakterisierung tiefer storstellen in silizium anhand der differentiellen analyse von halleffekt und widerstandsmessungen |
| topic | Tiefe Störstelle (DE-588)4185419-6 gnd Leitfähigkeit (DE-588)4120663-0 gnd Hall-Effekt (DE-588)4023028-4 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd |
| topic_facet | Tiefe Störstelle Leitfähigkeit Hall-Effekt Silicium Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT cohauszludwig charakterisierungtieferstorstelleninsiliziumanhandderdifferentiellenanalysevonhalleffektundwiderstandsmessungen |