Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt:
Gespeichert in:
| Format: | Buch |
|---|---|
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik
1984
|
| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 -
84,203 |
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 246 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV009073055 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 940227s1984 |||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)634957988 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV009073055 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-210 | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |c Mitarb.: Gerhard Fischer* |
| 246 | 1 | 3 | |a Entwicklung einer mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |
| 264 | 1 | |a Eggenstein-Leopoldshafen |b Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik |c 1984 | |
| 300 | |a 246 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 - |v 84,203 | |
| 650 | 0 | 7 | |a CMOS-Schaltung |0 (DE-588)4148111-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Fertigung |0 (DE-588)4016899-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a VLSI |0 (DE-588)4117388-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a VLSI |0 (DE-588)4117388-0 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Fertigung |0 (DE-588)4016899-2 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a CMOS-Schaltung |0 (DE-588)4148111-2 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 700 | 1 | |a Fischer, Gerhard |e Sonstige |4 oth | |
| 810 | 2 | |a Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 - |t Deutschland <Bundesrepublik> |v 84,203 |w (DE-604)BV000004400 |9 84,203 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006010625 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804123486135779328 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV009073055 |
| ctrlnum | (OCoLC)634957988 (DE-599)BVBBV009073055 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01717nam a2200361 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV009073055</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">940227s1984 |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)634957988</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV009073055</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-210</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt</subfield><subfield code="c">Mitarb.: Gerhard Fischer*</subfield></datafield><datafield tag="246" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Entwicklung einer mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Eggenstein-Leopoldshafen</subfield><subfield code="b">Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik</subfield><subfield code="c">1984</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">246 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 -</subfield><subfield code="v">84,203</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">CMOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4148111-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Fertigung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4016899-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">VLSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4117388-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">VLSI</subfield><subfield code="0">(DE-588)4117388-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Fertigung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4016899-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">CMOS-Schaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4148111-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Fischer, Gerhard</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 -</subfield><subfield code="t">Deutschland <Bundesrepublik></subfield><subfield code="v">84,203</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">84,203</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006010625</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV009073055 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:30:32Z |
| institution | BVB |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006010625 |
| oclc_num | 634957988 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-210 |
| owner_facet | DE-210 |
| physical | 246 S. |
| publishDate | 1984 |
| publishDateSearch | 1984 |
| publishDateSort | 1984 |
| publisher | Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik |
| record_format | marc |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 - |
| spelling | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt Mitarb.: Gerhard Fischer* Entwicklung einer mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt Eggenstein-Leopoldshafen Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik 1984 246 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 - 84,203 CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 gnd rswk-swf Fertigung (DE-588)4016899-2 gnd rswk-swf VLSI (DE-588)4117388-0 gnd rswk-swf VLSI (DE-588)4117388-0 s Fertigung (DE-588)4016899-2 s CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 s DE-604 Fischer, Gerhard Sonstige oth Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 84,1 - Deutschland <Bundesrepublik> 84,203 (DE-604)BV000004400 84,203 |
| spellingShingle | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 gnd Fertigung (DE-588)4016899-2 gnd VLSI (DE-588)4117388-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4148111-2 (DE-588)4016899-2 (DE-588)4117388-0 |
| title | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |
| title_alt | Entwicklung einer mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |
| title_auth | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |
| title_exact_search | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |
| title_full | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt Mitarb.: Gerhard Fischer* |
| title_fullStr | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt Mitarb.: Gerhard Fischer* |
| title_full_unstemmed | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt Mitarb.: Gerhard Fischer* |
| title_short | Entwicklung einer 2 mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie mym-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt |
| title_sort | entwicklung einer 2 mym silicon gate cmos technologie mym silicon gate cmos technologie zur herstellung von mikroprozessororientierten vlsi schaltkreisen mit einem versorgungsspannungsbereich von 1 5 bis 5 volt |
| topic | CMOS-Schaltung (DE-588)4148111-2 gnd Fertigung (DE-588)4016899-2 gnd VLSI (DE-588)4117388-0 gnd |
| topic_facet | CMOS-Schaltung Fertigung VLSI |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT fischergerhard entwicklungeiner2mymsilicongatecmostechnologiemymsilicongatecmostechnologiezurherstellungvonmikroprozessororientiertenvlsischaltkreisenmiteinemversorgungsspannungsbereichvon15bis5volt AT fischergerhard entwicklungeinermymsilicongatecmostechnologiezurherstellungvonmikroprozessororientiertenvlsischaltkreisenmiteinemversorgungsspannungsbereichvon15bis5volt |