Process and device simulation for MOS-VLSI circuits: [proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS VLSI Circuits, SOGESTA, Urbino, Ialy, June 12 - 23, 1982]
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Format: Tagungsbericht Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Boston [u.a.] Nijhoff 1983
Schriftenreihe:NATO ASI series Series E ; 62
Schlagworte:
Beschreibung:Literaturangaben
Beschreibung:XII, 619 S. zahlr. graph. Darst.
ISBN:902472824X

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