Entwicklung und Anwendung von Simulationsmodellen für MOS-Prozesse und MOS-Bauelemente im Bereich der 2 mi-Technik:
Gespeichert in:
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| Veröffentlicht: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik
1982
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| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 82,1 -
82,153 |
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