Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung:
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | German English |
| Published: |
Eggenstein-Leopoldshafen
Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik
1978
|
| Series: | Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 -
78,40 |
| Subjects: | |
| Physical Description: | 135 S. Ill., graph. Darst. |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 cb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV009063966 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 940227s1978 ad|| |||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)255972933 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV009063966 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger |a eng | |
| 049 | |a DE-210 |a DE-19 | ||
| 100 | 1 | |a Neidig, Arno |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung |c Arno Neidig ; Georg Wahl ; Klaus Weimann* |
| 264 | 1 | |a Eggenstein-Leopoldshafen |b Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik |c 1978 | |
| 300 | |a 135 S. |b Ill., graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 - |v 78,40 | |
| 650 | 0 | 7 | |a Passivierung |0 (DE-588)4173500-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Halbleiterbauelement |0 (DE-588)4113826-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Thyristor |0 (DE-588)4060020-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Glas |0 (DE-588)4021142-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Glas |0 (DE-588)4021142-3 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Thyristor |0 (DE-588)4060020-8 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Halbleiterbauelement |0 (DE-588)4113826-0 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Passivierung |0 (DE-588)4173500-6 |D s |
| 689 | 0 | |8 1\p |5 DE-604 | |
| 700 | 1 | |a Wahl, Georg |e Verfasser |4 aut | |
| 700 | 1 | |a Weimann, Klaus |d 1935- |e Verfasser |0 (DE-588)136689094 |4 aut | |
| 810 | 2 | |a Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 - |t Deutschland <Bundesrepublik> |v 78,40 |w (DE-604)BV000004400 |9 78,40 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006002545 | ||
| 883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk | |
Record in the Search Index
| _version_ | 1804123473474224128 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Neidig, Arno Wahl, Georg Weimann, Klaus 1935- |
| author_GND | (DE-588)136689094 |
| author_facet | Neidig, Arno Wahl, Georg Weimann, Klaus 1935- |
| author_role | aut aut aut |
| author_sort | Neidig, Arno |
| author_variant | a n an g w gw k w kw |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV009063966 |
| ctrlnum | (OCoLC)255972933 (DE-599)BVBBV009063966 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01783nam a2200409 cb4500</leader><controlfield tag="001">BV009063966</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">940227s1978 ad|| |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)255972933</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV009063966</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield><subfield code="a">eng</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-210</subfield><subfield code="a">DE-19</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Neidig, Arno</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung</subfield><subfield code="c">Arno Neidig ; Georg Wahl ; Klaus Weimann*</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Eggenstein-Leopoldshafen</subfield><subfield code="b">Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik</subfield><subfield code="c">1978</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">135 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 -</subfield><subfield code="v">78,40</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Passivierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4173500-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Thyristor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060020-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Glas</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021142-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Glas</subfield><subfield code="0">(DE-588)4021142-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Thyristor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060020-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Passivierung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4173500-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Wahl, Georg</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Weimann, Klaus</subfield><subfield code="d">1935-</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)136689094</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 -</subfield><subfield code="t">Deutschland <Bundesrepublik></subfield><subfield code="v">78,40</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV000004400</subfield><subfield code="9">78,40</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006002545</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV009063966 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:30:20Z |
| institution | BVB |
| language | German English |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-006002545 |
| oclc_num | 255972933 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-210 DE-19 DE-BY-UBM |
| owner_facet | DE-210 DE-19 DE-BY-UBM |
| physical | 135 S. Ill., graph. Darst. |
| publishDate | 1978 |
| publishDateSearch | 1978 |
| publishDateSort | 1978 |
| publisher | Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik |
| record_format | marc |
| series2 | Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 - |
| spelling | Neidig, Arno Verfasser aut Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung Arno Neidig ; Georg Wahl ; Klaus Weimann* Eggenstein-Leopoldshafen Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik 1978 135 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 - 78,40 Passivierung (DE-588)4173500-6 gnd rswk-swf Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd rswk-swf Thyristor (DE-588)4060020-8 gnd rswk-swf Glas (DE-588)4021142-3 gnd rswk-swf Glas (DE-588)4021142-3 s Thyristor (DE-588)4060020-8 s Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 s Passivierung (DE-588)4173500-6 s 1\p DE-604 Wahl, Georg Verfasser aut Weimann, Klaus 1935- Verfasser (DE-588)136689094 aut Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht T / 78,1 - Deutschland <Bundesrepublik> 78,40 (DE-604)BV000004400 78,40 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
| spellingShingle | Neidig, Arno Wahl, Georg Weimann, Klaus 1935- Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung Passivierung (DE-588)4173500-6 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Thyristor (DE-588)4060020-8 gnd Glas (DE-588)4021142-3 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4173500-6 (DE-588)4113826-0 (DE-588)4060020-8 (DE-588)4021142-3 |
| title | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung |
| title_auth | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung |
| title_exact_search | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung |
| title_full | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung Arno Neidig ; Georg Wahl ; Klaus Weimann* |
| title_fullStr | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung Arno Neidig ; Georg Wahl ; Klaus Weimann* |
| title_full_unstemmed | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung Arno Neidig ; Georg Wahl ; Klaus Weimann* |
| title_short | Technologie der Grenzflächen an Halbleiter-Leistungsbauelementen mit Silikatglas-Passivierung |
| title_sort | technologie der grenzflachen an halbleiter leistungsbauelementen mit silikatglas passivierung |
| topic | Passivierung (DE-588)4173500-6 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd Thyristor (DE-588)4060020-8 gnd Glas (DE-588)4021142-3 gnd |
| topic_facet | Passivierung Halbleiterbauelement Thyristor Glas |
| volume_link | (DE-604)BV000004400 |
| work_keys_str_mv | AT neidigarno technologiedergrenzflachenanhalbleiterleistungsbauelementenmitsilikatglaspassivierung AT wahlgeorg technologiedergrenzflachenanhalbleiterleistungsbauelementenmitsilikatglaspassivierung AT weimannklaus technologiedergrenzflachenanhalbleiterleistungsbauelementenmitsilikatglaspassivierung |