Reaktions-, Wachstums- und Dotierungsuntersuchungen zur Epitaxie von GaAs mittels inelastischer Elektronenstreuung:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Lohe, Christoph (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: Jülich 1993
Schriftenreihe:Forschungszentrum <Jülich>: Berichte des ... 2768
Schlagworte:
Beschreibung:Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss.
Beschreibung:123 S. graph. Darst.

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