Untersuchung von SiGe/Si-Heterostrukturen mittels kapazitiver Methoden und Hall-Effekt:
Gespeichert in:
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| Sprache: | German |
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Jülich
1993
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2742 |
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UNTERSUCHUNG VON SIGE/SI-
HETEROSTRUKTUREN MITTELS KAPAZITIVER METHODEN UND HALL-EFFEKT
ROGER LOO
IMAGE 2
INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
2 THEORETISCHE GRUNDLAGEN 3
2.1 KRITISCHE SCHICHTDICKE FUER PSEUDOMORPHE SI^GEX-SCHICHTEN AUF SI 3
2.2 BANDSTRUKTUR IN SI/SI^XGEX-SCHICHTSYSTEMEN 7
2.3 ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN VON MODULATIONSDOTIERTEN SI/SIO.GGEO.2
HETEROSTRUKTUREN 10
2.3.1 2-DIMENSIONALES LOECHERGAS (2DHG) 10
2.3.2 STREUMECHANISMEN FUER LOECHER IN SI UND SI^GEX 15
2.4 DER KLASSISCHE HALL-EFFEKT 23
2.5 KAPAZITAET-SPANNUNG (CV) - MESSUNGEN 25
2.5.1 DER SCHOTTKY-KONTAKT 25
2.5.2 DIE CV-MESSUNG 27
2.5.3 RAEUMLICHE AUFLOESUNG DER CV-PROFILE VON HALBLEITERN MIT
QUANTENMECHANISCHEN EFFEKTEN 29
3 APPARATIVE DETAILS 32
3.1 DER TTH- UND DER KEITHLEY 926B-MESSPLATZ 32
3.1.1 DIE VAN DER PAUW MESSMETHODE 32
3.1.2 AUFBAU UND ARBEITSWEISE DES TTH-MESSPLATZES 34
3.1.3 AUFBAU UND ARBEITSWEISE DES KEITHLEY-MESSPLATZES 35
3.1.4 FEHLERBETRACHTUNG 35
3.2 DER CV-PROFILER 36
3.2.1 AUFBAU UND ARBEITSWEISE 36
3.2.2 MESSGRENZE UND MESSFEHLER 39
4 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE UND INTERPRETATION 41
4.1 EINFUEHRUNG 41
4.2 HOMOGEN DOTIERTE P + SCHICHTEN 43
4.3 DELTA- DOTIERTE SCHICHTEN 48
4.3.1 AUFBAU DER PROBEN 48
4.3.2 CHARAKTERISIERUNG 49
4.4 MODULATIONSDOTIERTE SI/SII_ X GEX/SI- STRUKTUREN 57
4.4.1 AUBAU DER PROBEN 57
4.4.2 VERGLEICH 3D-STRUKTUREN MIT 2D-STRUKTUREN 58
4.4.3 VERGLEICH VON SIMULATION UND MESSUNGEN 63
4.4.4 MESSERGEBNISSE FUER 2D-LOECHERGASE 66
IMAGE 3
4.4.5 EINFLUSS DER PROBENGEOMETRIE AUF DIE HALLMESSUNG 76
4.4.6 QUANTEN-HALLEFFEKT- UND SHUBNIKOV-DE HAASMESSUNGEN 78
5 ZUSAMMENFASSUNG 81
DANKSAGUNG 83
LITERATURVERZEICHNIS 85
II
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