Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator: Einzelstrukturen und Integration
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Buch |
Sprache: | Undetermined |
Veröffentlicht: |
1991
|
Schriftenreihe: | Reihe Elektrotechnik
|
Schlagworte: | |
Beschreibung: | Aachen, Techn. Hochsch., Diss. |
Beschreibung: | 105 S. |
ISBN: | 3861111012 |
Internformat
MARC
LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | BV009015151 | ||
003 | DE-604 | ||
005 | 00000000000000.0 | ||
007 | t | ||
008 | 940206s1991 m||| 00||| und d | ||
020 | |a 3861111012 |9 3-86111-101-2 | ||
035 | |a (OCoLC)633810763 | ||
035 | |a (DE-599)BVBBV009015151 | ||
040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
041 | |a und | ||
049 | |a DE-29T | ||
100 | 1 | |a Schulte, Frank |e Verfasser |4 aut | |
245 | 1 | 0 | |a Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator |b Einzelstrukturen und Integration |c von Frank Schulte |
264 | 1 | |c 1991 | |
300 | |a 105 S. | ||
336 | |b txt |2 rdacontent | ||
337 | |b n |2 rdamedia | ||
338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
490 | 0 | |a Reihe Elektrotechnik | |
500 | |a Aachen, Techn. Hochsch., Diss. | ||
650 | 0 | 7 | |a Isolatorbauteil |0 (DE-588)4123452-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a MIS |0 (DE-588)4139664-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Indiumarsenid |0 (DE-588)4249718-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
650 | 0 | 7 | |a Siliciumdioxid |0 (DE-588)4077447-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
689 | 0 | 0 | |a MIS |0 (DE-588)4139664-9 |D s |
689 | 0 | 1 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
689 | 0 | 2 | |a Indiumarsenid |0 (DE-588)4249718-8 |D s |
689 | 0 | 3 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |D s |
689 | 0 | 4 | |a Siliciumdioxid |0 (DE-588)4077447-8 |D s |
689 | 0 | 5 | |a Isolatorbauteil |0 (DE-588)4123452-2 |D s |
689 | 0 | |8 1\p |5 DE-604 | |
999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005960825 | ||
883 | 1 | |8 1\p |a cgwrk |d 20201028 |q DE-101 |u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
Datensatz im Suchindex
_version_ | 1804123364411834368 |
---|---|
any_adam_object | |
author | Schulte, Frank |
author_facet | Schulte, Frank |
author_role | aut |
author_sort | Schulte, Frank |
author_variant | f s fs |
building | Verbundindex |
bvnumber | BV009015151 |
ctrlnum | (OCoLC)633810763 (DE-599)BVBBV009015151 |
format | Book |
fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01664nam a2200457 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV009015151</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">940206s1991 m||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3861111012</subfield><subfield code="9">3-86111-101-2</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)633810763</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV009015151</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29T</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Schulte, Frank</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator</subfield><subfield code="b">Einzelstrukturen und Integration</subfield><subfield code="c">von Frank Schulte</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1991</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">105 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Reihe Elektrotechnik</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Aachen, Techn. Hochsch., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Isolatorbauteil</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123452-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MIS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139664-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Indiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4249718-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Siliciumdioxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077447-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MIS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4139664-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Indiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4249718-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Siliciumdioxid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077447-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Isolatorbauteil</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123452-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005960825</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection> |
genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
genre_facet | Hochschulschrift |
id | DE-604.BV009015151 |
illustrated | Not Illustrated |
indexdate | 2024-07-09T17:28:36Z |
institution | BVB |
isbn | 3861111012 |
language | Undetermined |
oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005960825 |
oclc_num | 633810763 |
open_access_boolean | |
owner | DE-29T |
owner_facet | DE-29T |
physical | 105 S. |
publishDate | 1991 |
publishDateSearch | 1991 |
publishDateSort | 1991 |
record_format | marc |
series2 | Reihe Elektrotechnik |
spelling | Schulte, Frank Verfasser aut Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration von Frank Schulte 1991 105 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Reihe Elektrotechnik Aachen, Techn. Hochsch., Diss. Isolatorbauteil (DE-588)4123452-2 gnd rswk-swf MIS (DE-588)4139664-9 gnd rswk-swf Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd rswk-swf Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd rswk-swf Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd rswk-swf Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MIS (DE-588)4139664-9 s Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 s Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 s Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 s Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 s Isolatorbauteil (DE-588)4123452-2 s 1\p DE-604 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk |
spellingShingle | Schulte, Frank Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration Isolatorbauteil (DE-588)4123452-2 gnd MIS (DE-588)4139664-9 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd |
subject_GND | (DE-588)4123452-2 (DE-588)4139664-9 (DE-588)4131472-4 (DE-588)4019155-2 (DE-588)4249718-8 (DE-588)4077447-8 (DE-588)4113937-9 |
title | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration |
title_auth | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration |
title_exact_search | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration |
title_full | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration von Frank Schulte |
title_fullStr | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration von Frank Schulte |
title_full_unstemmed | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator Einzelstrukturen und Integration von Frank Schulte |
title_short | Ga0,47In0,53As-MISFETs mit SiO2-Isolator |
title_sort | ga0 47in0 53as misfets mit sio2 isolator einzelstrukturen und integration |
title_sub | Einzelstrukturen und Integration |
topic | Isolatorbauteil (DE-588)4123452-2 gnd MIS (DE-588)4139664-9 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd Siliciumdioxid (DE-588)4077447-8 gnd |
topic_facet | Isolatorbauteil MIS Feldeffekttransistor Galliumarsenid Indiumarsenid Siliciumdioxid Hochschulschrift |
work_keys_str_mv | AT schultefrank ga047in053asmisfetsmitsio2isolatoreinzelstrukturenundintegration |