Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1990
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Marburg, Univ., Diss. |
| Beschreibung: | 61 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV008992426 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 940206s1990 m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)613318601 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV008992426 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-29T | ||
| 100 | 1 | |a Saleh, Rosari |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H |c von Rosari Saleh |
| 264 | 1 | |c 1990 | |
| 300 | |a 61 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Marburg, Univ., Diss. | ||
| 650 | 7 | |a Amorpher Zustand |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Dünnschichttransistor |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Feldeffekttransistor |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Silicium |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Wasserstoff |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Zustandsdichte |2 swd | |
| 650 | 0 | 7 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Dünnschichttransistor |0 (DE-588)4150834-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Zustandsdichte |0 (DE-588)4191170-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 1 | 1 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
| 689 | 1 | 2 | |a Feldeffekttransistor |0 (DE-588)4131472-4 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a Silicium |0 (DE-588)4077445-4 |D s |
| 689 | 2 | 1 | |a Amorpher Zustand |0 (DE-588)4306087-0 |D s |
| 689 | 2 | 2 | |a Wasserstoff |0 (DE-588)4064784-5 |D s |
| 689 | 2 | 3 | |a Dünnschichttransistor |0 (DE-588)4150834-8 |D s |
| 689 | 2 | 4 | |a Zustandsdichte |0 (DE-588)4191170-2 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005941412 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804123334877642752 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Saleh, Rosari |
| author_facet | Saleh, Rosari |
| author_role | aut |
| author_sort | Saleh, Rosari |
| author_variant | r s rs |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV008992426 |
| ctrlnum | (OCoLC)613318601 (DE-599)BVBBV008992426 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02141nam a2200589 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV008992426</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">940206s1990 m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)613318601</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV008992426</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-29T</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Saleh, Rosari</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H</subfield><subfield code="c">von Rosari Saleh</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1990</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">61 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Marburg, Univ., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Dünnschichttransistor</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Zustandsdichte</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Dünnschichttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150834-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Zustandsdichte</subfield><subfield code="0">(DE-588)4191170-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="2"><subfield code="a">Feldeffekttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4131472-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="1"><subfield code="a">Amorpher Zustand</subfield><subfield code="0">(DE-588)4306087-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="2"><subfield code="a">Wasserstoff</subfield><subfield code="0">(DE-588)4064784-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="3"><subfield code="a">Dünnschichttransistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4150834-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="4"><subfield code="a">Zustandsdichte</subfield><subfield code="0">(DE-588)4191170-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005941412</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV008992426 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T17:28:08Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-005941412 |
| oclc_num | 613318601 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-29T |
| owner_facet | DE-29T |
| physical | 61 S. |
| publishDate | 1990 |
| publishDateSearch | 1990 |
| publishDateSort | 1990 |
| record_format | marc |
| spelling | Saleh, Rosari Verfasser aut Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H von Rosari Saleh 1990 61 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Marburg, Univ., Diss. Amorpher Zustand swd Dünnschichttransistor swd Feldeffekttransistor swd Silicium swd Wasserstoff swd Zustandsdichte swd Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd rswk-swf Dünnschichttransistor (DE-588)4150834-8 gnd rswk-swf Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd rswk-swf Zustandsdichte (DE-588)4191170-2 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Silicium (DE-588)4077445-4 s Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 s Wasserstoff (DE-588)4064784-5 s Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 s DE-604 Dünnschichttransistor (DE-588)4150834-8 s Zustandsdichte (DE-588)4191170-2 s |
| spellingShingle | Saleh, Rosari Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H Amorpher Zustand swd Dünnschichttransistor swd Feldeffekttransistor swd Silicium swd Wasserstoff swd Zustandsdichte swd Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Dünnschichttransistor (DE-588)4150834-8 gnd Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Zustandsdichte (DE-588)4191170-2 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4064784-5 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4131472-4 (DE-588)4150834-8 (DE-588)4306087-0 (DE-588)4191170-2 (DE-588)4113937-9 |
| title | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H |
| title_auth | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H |
| title_exact_search | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H |
| title_full | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H von Rosari Saleh |
| title_fullStr | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H von Rosari Saleh |
| title_full_unstemmed | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H von Rosari Saleh |
| title_short | Modellrechnungen zum Einfluß von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt-Transistoren aus a-Si:H |
| title_sort | modellrechnungen zum einfluß von grenzflacheneffekten auf die charakteristik von dunnfilm feldeffekt transistoren aus a si h |
| topic | Amorpher Zustand swd Dünnschichttransistor swd Feldeffekttransistor swd Silicium swd Wasserstoff swd Zustandsdichte swd Wasserstoff (DE-588)4064784-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Feldeffekttransistor (DE-588)4131472-4 gnd Dünnschichttransistor (DE-588)4150834-8 gnd Amorpher Zustand (DE-588)4306087-0 gnd Zustandsdichte (DE-588)4191170-2 gnd |
| topic_facet | Amorpher Zustand Dünnschichttransistor Feldeffekttransistor Silicium Wasserstoff Zustandsdichte Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT salehrosari modellrechnungenzumeinflußvongrenzflacheneffektenaufdiecharakteristikvondunnfilmfeldeffekttransistorenausasih |