Kristallwachstum von GeSi-Legierungen beim Bridgman-Verfahren:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Karthaus, Engelbert (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
German
Schriftenreihe:Forschungszentrum <Jülich>: Berichte 2418
Schlagworte:
Beschreibung:Aachen, Techn. Hochsch., Diss.
Beschreibung:151 S.

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