Verfügbarkeit: Druckabhängigkeit der elektronischen Bandstruktur und der optischen Eigenschaften von Ge, GaAs und GaxIn(1-x)P

Druckabhängigkeit der elektronischen Bandstruktur und der optischen Eigenschaften von Ge, GaAs und GaxIn(1-x)P:

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Goñi, Alejandro R. (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	1989
Schlagworte:	Indiumarsenid Germanium Drei-Fünf-Halbleiter Galliumverbindungen Hochdruck Indiumphosphid Optische Eigenschaft Elektronische Eigenschaft Hochschulschrift
Beschreibung:	Stuttgart, Univ., Diss.
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