Einheitliches Modell zur Beschreibung der Generations- und Ausheilprozesse von Oxidladungen Qot und Grenzflächenzuständen Dit im Siliziumdioxid durch Stress:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Wulf, Friedrich (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: Berlin 1988
Schriftenreihe:Hahn-Meitner-Institut <Berlin, West>: Berichte des ... 465
Schlagworte:
Beschreibung:Zugl.: Berlin, West, Techn. Univ., Diss.
Beschreibung:128 S. graph. Darst.

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