Silicon carbide: a high temperature semiconductor ; proceedings of the Conference on Silicon Carbide, Boston, Mass., Apr. 2 - 3, 1959
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Format: Tagungsbericht Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Oxford u.a. Pergamon Pr. 1960
Ausgabe:1. publ.
Schlagworte:
Beschreibung:XIX, 521 S. graph. Darst.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!